कंपनी ब्लॉग के बारे में आपूर्ति ST STW48N60M6 600V MDmeshTM M6 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

आपूर्ति STSTW48N60M6600V MDmeshTM M6 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

[शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड]दीर्घकालिक आपूर्ति (एसटी)STW48N60M6600V MDmeshTM M6 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर, नीचे ट्रांजिस्टर STW48N60M6 के लिए उत्पाद विवरण दिए गए हैंः

भाग संख्याःSTW48N60M6

पैकेजः TO-247-3

प्रकार: एन-चैनल पावर एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर

STW48N60M6एक 600 वी एन-चैनल पावर एमओएसएफईटी है जिसमें एसटी की एमडीमेश एम 6 तकनीक है। यह तकनीक उच्च दक्षता वाले पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए स्विचिंग प्रदर्शन और ऑन-प्रतिरोध (आरडीएस ((ऑन)) को अनुकूलित करती है।

STW48N60M6नई MDmeshTM M6 तकनीक में SJ MOSFETs के प्रसिद्ध और समेकित MDmesh परिवार में नवीनतम प्रगति शामिल है।

STMicroelectronics अपनी नई M6 तकनीक के माध्यम से MDmesh उपकरणों की पिछली पीढ़ी पर निर्माण करता है,जो उपलब्ध सबसे प्रभावी स्विचिंग व्यवहारों में से एक के साथ प्रति क्षेत्र में उत्कृष्ट आरडीएस ((ऑन) सुधार को जोड़ती है, साथ ही अधिकतम अंत के लिए उपयोगकर्ता के अनुकूल अनुभव

अनुप्रयोग की दक्षता।

STW48N60M6 की उत्पाद विशेषताएं

सीरीज़ः एमडीमेशTM एम6
एफईटी प्रकारः एन-चैनल
प्रौद्योगिकी: एमओएसएफईटी (धातु ऑक्साइड)
स्रोत पर निकासी वोल्टेज (Vdss): 600 V
वर्तमान - निरंतर निकासी (Id) @ 25°C
39A (Tc): ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)
10V: आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस
69mOhm @ 19.5A, 10V: Vgs(th) (अधिकतम) @ Id
4.75V @ 250μAGate चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
वीजीएस (अधिकतम): ± 25 वी
इनपुट क्षमता (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएसः 2578 पीएफ @ 100 वी
पावर डिसिपेशन (मैक्स): 250W (Tc)
ऑपरेटिंग तापमानः -55°C ~ 150°C (TJ)
माउंटिंग प्रकारः छेद के माध्यम से
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेजः TO-247-3
पैकेज / मामलाः TO-247-3

STW48N60M6इलेक्ट्रिकल विशेषताएं
ड्रेन स्रोत वोल्टेज (वीडीएस): 600V
गेट स्रोत वोल्टेज (VGS): ±30V
निरंतर निकासी धारा (आईडी): 48 ए
आवेग निकासी करंट (IDM): 192A
पावर डिसीपिएशन (पीडी): 330W

STW48N60M6Thermal विशेषताएं
परिवेश ताप प्रतिरोध (RthJA) के साथ जंक्शनः 40°C/W
जंक्शन टू केस थर्मल रेजिस्टेंस (RthJC): 0.5°C/W

STW48N60M6 की विशेषताएं

कम स्विचिंग हानि
पिछली पीढ़ी की तुलना में प्रति क्षेत्र कम आरडीएस (ऑन)
कम गेट इनपुट प्रतिरोध
100% हिमस्खलन परीक्षण
ज़ेनर-संरक्षित

STW48N60M6 के अनुप्रयोग
अनुप्रयोगों को स्विच करना
एलएलसी कन्वर्टर्स
पीएफसी कन्वर्टर्स को बढ़ाएँ

STW48N60M6 के फायदे
उच्च दक्षताः कम प्रतिरोध और तेजी से स्विच करने की विशेषताएं ऊर्जा हानि को कम करती हैं।
उच्च विश्वसनीयताः उच्च शक्ति और उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया
उत्कृष्ट थर्मल प्रदर्शनः TO-247 पैकेज अच्छी गर्मी अपव्यय प्रदान करता है

STW48N60M6 उच्च दक्षता शक्ति रूपांतरण अनुप्रयोगों की एक विस्तृत श्रृंखला के लिए एक उच्च प्रदर्शन शक्ति MOSFET ट्रांजिस्टर है।इसकी कम प्रतिरोध और तेजी से स्विचिंग विशेषताएं इसे उच्च शक्ति और उच्च आवृत्ति अनुप्रयोगों में अच्छा प्रदर्शन करने में सक्षम बनाती हैं.

मिंगजियाडा आपूर्तिSTW48N60M6STW48N60M6 के बारे में अधिक जानकारी के लिए, कृपया Mingjiaoa Electronics की आधिकारिक वेबसाइट देखें (https://www.integrated-ic.com/) ।