कंपनी ब्लॉग के बारे में आपूर्ति एसटी लो साइड स्विच आईसी, आपूर्ति VND5N07TR ओम्निफेट II सीरीज पूरी तरह से ऑटोप्रोटेक्टेड पावर MOSFET

आपूर्ति एसटी लो साइड स्विच आईसी, आपूर्ति VND5N07TR ओम्निफेट II सीरीज़ पूरी तरह से ऑटोप्रोटेक्टेड पावर MOSFET

VND5N07TR ओम्निफेट II: पूरी तरह से स्वचालित सुरक्षा पावर MOSFET लो-साइड स्विच समाधान

VND5N07TR उत्पाद अवलोकन और मुख्य विशेषताएं:
VND5N07TR STMicroelectronics की VIPower M0-3 तकनीक पर आधारित एक सिंगल-चैनल इंटेलिजेंट पावर स्विच है, जो DPAK (TO-252-3) सरफेस-माउंट पैकेज में पैक किया गया है। VND5N07TR एक N-चैनल पावर MOSFET, ड्राइव लॉजिक और व्यापक सुरक्षा कार्यक्षमता मॉड्यूल को एकीकृत करता है, जो पारंपरिक MOSFET समाधानों को सीधे बदलने में सक्षम बनाता है।

VND5N07TR की अभिनव विशेषता इसका 'सेल्फ-प्रोटेक्शन' आर्किटेक्चर है, जो बाहरी निगरानी सर्किट की आवश्यकता के बिना कई दोष सुरक्षा को सक्षम बनाता है, जिससे सिस्टम डिज़ाइन काफी सरल हो जाता है।

VND5N07TR डिवाइस -40°C से +150°C के तापमान रेंज में संचालित होता है और AEC-Q101 ऑटोमोटिव-ग्रेड प्रमाणन मानक का अनुपालन करता है, जो कठोर वातावरण में स्थिर संचालन सुनिश्चित करता है।

VND5N07TR का पैकेजिंग डिज़ाइन थर्मल प्रदर्शन को अनुकूलित करता है, जिसमें 60W की पावर डिसिपेशन क्षमता है, जो इसे उच्च-प्रभाव वाले करंट लोड को संभालने में सक्षम बनाता है। VND5N07TR उत्पाद टेप और रील (TR) प्रारूप में पैक किया गया है, जो इसे स्वचालित SMT उत्पादन लाइनों के लिए उपयुक्त बनाता है और बड़े पैमाने पर विनिर्माण दक्षता को बढ़ाता है।

VND5N07TR विस्तृत तकनीकी विनिर्देश
VND5N07TR विद्युत प्रदर्शन में एक सटीक संतुलन प्राप्त करता है, कम नुकसान विशेषताओं को बनाए रखते हुए उच्च शक्ति हैंडलिंग आवश्यकताओं को पूरा करता है। VND5N07TR के मुख्य तकनीकी पैरामीटर निम्नलिखित हैं:
वोल्टेज विशेषताएँ
लोड वोल्टेज: 55V
ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: 70V

वर्तमान विशेषताएँ
निरंतर आउटपुट करंट: 3.5A
पीक आउटपुट करंट: 5.0A
करंट लिमिट थ्रेशोल्ड: 5.0A
कंडक्शन विशेषताएँ
कंडक्शन प्रतिरोध: 200mΩ

गेट चार्ज: 18nC
स्विचिंग विशेषताएँ
विशिष्ट टर्न-ऑन डिले टाइम: 50-150ns
विशिष्ट टर्न-ऑफ डिले टाइम: 150-3900ns
थर्मल प्रदर्शन
पावर डिसिपेशन: 60W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान: -40~+150°C

VND5N07TR का विशिष्ट ऑन-रेसिस्टेंस केवल 200 mΩ (अधिकतम) है, जिसके परिणामस्वरूप 5 A लोड स्थिति के तहत केवल 5 W का ऑन-रेसिस्टेंस पावर डिसिपेशन होता है, जो सिस्टम थर्मल प्रबंधन जटिलता को काफी कम करता है। VND5N07TR डिवाइस का स्विचिंग टाइमिंग अनुकूलित किया गया है, जिसमें 60–400 ns का राइज टाइम और 40–1100 ns का फॉल टाइम है, जो EMI प्रदर्शन के साथ स्विचिंग नुकसान को संतुलित करता है।

विशेष रूप से, VND5N07TR उत्पाद गैर-इनवर्टिंग इनपुट लॉजिक (उच्च-स्तरीय सक्रियण) का उपयोग करता है, जो अतिरिक्त स्तर रूपांतरण सर्किट की आवश्यकता के बिना 3V से 5V CMOS/TTL स्तरों पर सीधे ड्राइव का समर्थन करता है। इसका स्थैतिक करंट बेहद कम है, जो इसे बैटरी से चलने वाले अनुप्रयोगों के लिए विशेष रूप से उपयुक्त बनाता है

VND5N07TR ब्लॉक आरेख:

VND5N07TR STMicroelectronics®VIPower®M0 तकनीक का उपयोग करके डिज़ाइन किया गया एक मोनोलिथिक डिवाइस है, जिसका उद्देश्य DC से 50 KHz अनुप्रयोगों तक मानक पावर MOSFETs को बदलना है। VND5N07TR बिल्ट-इन थर्मल शटडाउन, लीनियर करंट लिमिटेशन और ओवरवॉल्टेज क्लैंप कठोर वातावरण में चिप की रक्षा करते हैं। VND5N07TR दोष प्रतिक्रिया को इनपुट पिन पर वोल्टेज की निगरानी करके पता लगाया जा सकता है।

【मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स】लंबे समय से एसटी (VND5N07TR) ओम्निफेट II™ सीरीज़ पूरी तरह से स्वचालित सुरक्षा पावर MOSFETs की आपूर्ति कर रहा है। VND5N07TR या मूल्य पूछताछ के बारे में अधिक उत्पाद जानकारी के लिए, कृपया विवरण के लिए मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स की आधिकारिक वेबसाइट (https://www.integrated-ic.com/) पर जाएं।