रेनेसा पावर डिस्क्रीट की आपूर्ति: GaN पावर डिस्क्रीट, पावर MOSFETs
शेन्ज़ेन मिंगजीडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेडइलेक्ट्रॉनिक घटकों का एक वैश्विक स्तर पर प्रसिद्ध आपूर्तिकर्ता है। अपनी वैश्विक आपूर्ति श्रृंखला संसाधनों का लाभ उठाते हुए, कंपनी औद्योगिक स्वचालन, ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स, नई ऊर्जा उपकरण और उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स जैसे उद्योगों में ग्राहकों को मूल फैक्टरी-डायरेक्ट उत्पाद प्रदान करती है। इसने अपनी उच्च लागत-प्रभावशीलता, त्वरित डिलीवरी और पेशेवर सेवाओं के माध्यम से बाजार का विश्वास अर्जित किया है।
मुख्य लाभ:
व्यापक उत्पाद रेंज: हम 5G चिप्स, नई ऊर्जा ICs, IoT ICs, ब्लूटूथ ICs, वाहन नेटवर्किंग ICs, ऑटोमोटिव-ग्रेड ICs, संचार ICs, AI ICs, मेमोरी ICs, सेंसर ICs, माइक्रो कंट्रोलर ICs, ट्रांससीवर ICs, ईथरनेट ICs, वाईफाई चिप्स, वायरलेस संचार मॉड्यूल, कनेक्टर्स और बहुत कुछ सहित उत्पादों की एक पूरी श्रृंखला की आपूर्ति करते हैं, जो विविध ग्राहक आवश्यकताओं को पूरा करते हैं।
स्टॉक में इन्वेंटरी आश्वासन: हमारे शेन्ज़ेन मुख्यालय और हांगकांग गोदाम के बीच एकीकृत प्रणाली का लाभ उठाते हुए, हम छोटे बैच परीक्षण उत्पादन और बड़े पैमाने पर खरीद दोनों का समर्थन करने के लिए पर्याप्त उत्पाद इन्वेंटरी बनाए रखते हैं। मानक मॉडल 24 घंटों के भीतर भेजे जाते हैं, और दुर्लभ सामग्रियों को 72 घंटों के भीतर प्राप्त किया जा सकता है।
मूल्य प्रतिस्पर्धात्मकता: कई ब्रांडों के साथ गहरी साझेदारी और हमारी बड़े पैमाने पर खरीद क्षमताओं के माध्यम से, हम बाजार औसत से कम कीमतें प्रदान करते हैं। हम दीर्घकालिक भागीदारों और बड़े ऑर्डर के लिए स्तरीय छूट प्रदान करते हैं, जिससे ग्राहकों की आपूर्ति श्रृंखला लागत में काफी कमी आती है।
【GaN पावर डिस्क्रीट】
रेनेसा पावर गैलियम नाइट्राइड हाई इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी ट्रांजिस्टर (GaN HEMTs) के अग्रणी हैं, जो 25W से 10kW तक की व्यापक श्रेणी के अनुप्रयोगों में विश्वसनीय, उच्च-प्रदर्शन समाधान प्रदान करते हैं। 20 मिलियन से अधिक उच्च-शक्ति और कम-शक्ति वाले उपकरणों के शिपमेंट के साथ, हमारे उत्पादों ने सामूहिक रूप से 300 बिलियन घंटे से अधिक का फील्ड ऑपरेशन जमा किया है। ये उपलब्धियां एक अद्वितीय और मौलिक रूप से बेहतर वास्तुकला से प्रेरित हैं जो GaN के अंतर्निहित प्रदर्शन लाभों का दोहन करती है।
हम कॉम्पैक्ट PQFN, मजबूत TO-लेडेड और बॉटम-साइड और टॉप-साइड कूलिंग दोनों की विशेषता वाले विभिन्न सरफेस-माउंट पैकेज सहित पावर GaN HEMT पैकेज विकल्पों का चयन प्रदान करते हैं। यह बहुमुखी प्रतिभा प्रतिस्पर्धी GaN उत्पादों द्वारा बेजोड़ है, जो अक्सर डिजाइन सीमाओं से बाधित होते हैं।
हमारा मजबूत सामान्य रूप से बंद वास्तुकला, व्यापक पैकेज विविधता, और एकीकृत कम-वोल्टेज सिलिकॉन MOSFET फ्रंट एंड मानक सिलिकॉन ड्राइवरों के साथ निर्बाध संगतता को सक्षम करते हैं। ये विशेषताएं सिस्टम डेवलपर्स के लिए GaN को अपनाना सरल और अधिक लागत प्रभावी बनाती हैं।
मजबूत और विश्वसनीय
हमारी अत्यधिक मजबूत GaN-on-Si कैस्केड तकनीक में फील्ड में 300+ बिलियन घंटे हैं, जो हमें एक विश्वसनीय GaN आपूर्तिकर्ता बनाता है जिसमें एक लंबवत एकीकृत आपूर्ति श्रृंखला है।
उच्च-प्रदर्शन पोर्टफोलियो
650V और 700V GaN डिवाइस 25W से 10kW तक के पावर स्पेक्ट्रम को अन्य GaN उत्पादों और सब्सट्रेट की तुलना में 25% कम नुकसान और बेहतर दक्षता के साथ संबोधित करते हैं।
डिजाइन करने में आसान
अद्वितीय कैस्केड संरचना के कारण मानक गेट ड्राइवरों के साथ ड्राइव करना आसान है, जो पिन-टू-पिन संगत लेडेड, एसएमडी और टॉप-साइड कूल्ड पैकेज और डिजाइन संसाधनों की एक लाइब्रेरी प्रदान करता है।
【पावर MOSFETs】
रेनेसा के पावर MOSFETs सिस्टम के लघुकरण और उच्च दक्षता का समर्थन करते हैं। वे इनवर्टर और कन्वर्टर्स जैसे पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के साथ-साथ लोड स्विच उद्देश्यों के लिए उपयुक्त हैं, जो उच्च मजबूती प्राप्त करते हैं। इसके अतिरिक्त, रेनेसा एक नई 12" लाइन की स्थापना के साथ उत्पादन क्षमता बढ़ाने के लिए प्रतिबद्ध है, जो स्थिर आपूर्ति के लिए प्रयास कर रहा है।
अनुप्रयोग
रेनेसा के पावर MOSFETs विभिन्न अनुप्रयोगों का समर्थन करते हैं।
औद्योगिक
रेनेसा के MOSFETs को PV इनवर्टर और ESS (इलेक्ट्रिक स्टोरेज सिस्टम) जैसे नवीकरणीय ऊर्जा स्रोतों पर लगे पावर अनुप्रयोगों के साथ-साथ इलेक्ट्रिक टूल और अन्य उपकरणों के लिए मोटर इनवर्टर ड्राइव में व्यापक रूप से अपनाया जाता है।
कंप्यूटिंग और दूरसंचार
AI सर्वर और एक्सीलरेटर स्विचिंग पावर सप्लाई के साथ-साथ वायरलेस इंफ्रास्ट्रक्चर में आमतौर पर इस्तेमाल किए जाने वाले बेस स्टेशनों के लिए पावर सप्लाई के लिए, कुंजी उच्च गति स्विचिंग के माध्यम से नुकसान में कमी है। रेनेसा के MOSFETs अपने कम ऑन-प्रतिरोध और स्विचिंग प्रदर्शन के साथ सेट के लघुकरण और उच्च दक्षता में योगदान करते हैं।
ऑटोमोटिव
वाहन नियंत्रण प्रणालियों को ICE में उपयोग किए जाने वाले 12V और 24V पावर सिस्टम और इलेक्ट्रिक टू-व्हीलर्स और ई-कार्ट द्वारा दर्शाए गए 48V पावर सिस्टम सहित विभिन्न प्रकार के वोल्टेज के लिए समर्थन की आवश्यकता होती है। रेनेसा के MOSFETs xEVs के लिए तेजी से बढ़ते नियंत्रण सिस्टम और चार्जिंग इंफ्रास्ट्रक्चर के लिए पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों को कवर करने के लिए एक विस्तृत लाइनअप प्रदान करते हैं।
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