आपूर्ति/पुनर्चक्रण PUOLOPउच्च-दक्षता 20V 45A P-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर
शेन्ज़ेन मिंगजीडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेडअपने व्यापक उत्पाद पोर्टफोलियो, वैश्विक दृष्टिकोण और पेशेवर सेवाओं के माध्यम से इलेक्ट्रॉनिक घटक पुनर्चक्रण और वितरण में एक नेता के रूप में स्थापित हो गया है।
कंपनी आपूर्ति करती है और पुनर्चक्रण करती है : एक उच्च-दक्षता वाला P-चैनल पावर MOSFET जो पोर्टेबल उपकरणों में पावर प्रबंधन को सशक्त बनाने के लिए डिज़ाइन किया गया है।
का प्रतिस्पर्धी लाभ इसके प्रमुख विद्युत मापदंडों में निहित है:I.
PTQ45P02PTQ45P02 एक उन्नत P-चैनल पावर MOSFET है जिसे विशेष रूप से मांग वाले पावर स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए इंजीनियर किया गया है। P-चैनल MOSFET अक्सर पावर सर्किट में हाई-साइड स्विच के रूप में उपयोग किए जाते हैं (पावर स्रोत को लोड से जोड़ना), एक ऐसा कॉन्फ़िगरेशन जो ड्राइवर सर्किटरी को सरल बनाता है और कम-वोल्टेज लॉजिक द्वारा नियंत्रित सिस्टम में विशिष्ट लाभ प्रदान करता है।
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का प्रतिस्पर्धी लाभ इसके प्रमुख विद्युत मापदंडों में निहित है:असाधारण स्विचिंग दक्षता: इसका गेट थ्रेसहोल्ड वोल्टेज (Vgs(th)) 400mV जितना कम है, जो बेहद कम नियंत्रण वोल्टेज (1.8V लॉजिक लेवल तक) के साथ विश्वसनीय स्विचिंग को सक्षम बनाता है। यह सुविधा अतिरिक्त लेवल-शिफ्टिंग सर्किट के बिना आधुनिक माइक्रोप्रोसेसर, डीएसपी या कम-वोल्टेज एएसआईसी के साथ सीधे इंटरफेसिंग की अनुमति देती है, जिससे जगह बचती है और सिस्टम की जटिलता कम होती है।
अनुकूलित गतिशील प्रदर्शन: डिवाइस में 3.5nF की इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) और 445pF की रिवर्स ट्रांसफर कैपेसिटेंस (Crss) है। ये कम कैपेसिटेंस मान उच्च गति स्विचिंग के दौरान गेट ड्राइविंग के लिए कम चार्ज की आवश्यकता होती है, जिससे स्विचिंग नुकसान काफी कम हो जाता है और समग्र सिस्टम दक्षता बढ़ जाती है। यह इसे विशेष रूप से उच्च-आवृत्ति PWM अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है।
II.
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विनिर्देश:नियंत्रण चैनल प्रकार P-चैनल
Pd - अधिकतम बिजली अपव्यय 35 W
Vds - अधिकतम ड्रेन-सोर्स वोल्टेज 20 V
Vgs - अधिकतम गेट-सोर्स वोल्टेज 12 V
Id - अधिकतम ड्रेन करंट 45 A
Tj - अधिकतम जंक्शन तापमान 150 °C
Vgs(th) - अधिकतम थ्रेसहोल्ड गेट वोल्टेज 1 V
Qg - कुल गेट चार्ज 55 nC
tr - वृद्धि समय 42 nS
Coss - आउटपुट कैपेसिटेंस 577 pF
III.
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तकनीकी हाइलाइट्स:यह PTQ45P02 का सबसे महत्वपूर्ण लाभ दर्शाता है। पारंपरिक MOSFETs को आमतौर पर पूर्ण चालन के लिए उच्च गेट वोल्टेज (उदाहरण के लिए, 4.5V या 10V) की आवश्यकता होती है, जबकि PTQ45P02 केवल 1.8V पर कुशल स्विचिंग प्राप्त करता है। यह अतिरिक्त लेवल-शिफ्टिंग सर्किट के बिना मुख्यधारा के कम-पावर माइक्रोप्रोसेसर, SoCs और डिजिटल लॉजिक चिप्स के साथ निर्बाध एकीकरण को सक्षम बनाता है। नतीजतन, यह डिजाइन को सरल बनाता है, लागत कम करता है, और घटक गणना और संभावित विफलता बिंदुओं को कम करता है।
अनुकूलित पैकेजिंग और कुशल पावर प्रबंधन
इसका PDFN3333 सतह-माउंट पैकेज उत्कृष्ट थर्मल प्रदर्शन प्रदान करता है, जो चिप से PCB तक तेजी से गर्मी अपव्यय की सुविधा प्रदान करता है और सिस्टम विश्वसनीयता को बढ़ाता है। इसकी कम ऑन-प्रतिरोध विशेषताओं के साथ संयुक्त, इसके परिणामस्वरूप स्विचिंग ऑपरेशन के दौरान असाधारण रूप से कम बिजली अपव्यय होता है, जो इसे दक्षता-महत्वपूर्ण पोर्टेबल उपकरणों के लिए आदर्श बनाता है।
IV.
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अनुप्रयोग परिदृश्यहाई-एंड लोड स्विचिंग और पावर प्रबंधन: यह इसका सबसे क्लासिक अनुप्रयोग दर्शाता है। मोबाइल फोन, टैबलेट और ड्रोन जैसे पोर्टेबल उपकरणों के मुख्य पावर पथ के भीतर,
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एक कुशल ‘पावर गेट’ के रूप में कार्य करता है। इसकी P-चैनल विशेषताएं बिजली आपूर्ति पॉजिटिव टर्मिनल और लोड के बीच प्लेसमेंट की अनुमति देती हैं। व्यक्तिगत मॉड्यूल को बिजली आपूर्ति का सीधा नियंत्रण कम-वोल्टेज GPIO संकेतों के माध्यम से प्राप्त किया जाता है, जिससे सटीक बिजली प्रबंधन सक्षम होता है।आरसी मॉडल के लिए मोटर ड्राइव और ईएससी: आरसी विमान और छोटे रोबोट में उपयोग किए जाने वाले ब्रशलेस मोटर्स के लिए, इलेक्ट्रॉनिक स्पीड कंट्रोलर (ईएससी) को तेजी से प्रतिक्रिया और कुशल स्विचिंग में सक्षम पावर स्विच की आवश्यकता होती है।
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की उच्च करंट क्षमता और तेज़ स्विचिंग विशेषताएं अधिक सटीक और कुशल मोटर नियंत्रण की सुविधा प्रदान करती हैं।PTQ45P02
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