कंपनी ब्लॉग के बारे में पावर मॉड्यूल पर आपूर्तिः आईजीबीटी मॉड्यूल, एमओएसएफईटी मॉड्यूल, स्मार्ट पावर मॉड्यूल, सीआईसी मॉड्यूल

पावर मॉड्यूल पर आपूर्तिः आईजीबीटी मॉड्यूल, एमओएसएफईटी मॉड्यूल, स्मार्ट पावर मॉड्यूल, सीआईसी मॉड्यूल

शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेडएक पेशेवर इलेक्ट्रॉनिक घटक आपूर्तिकर्ता है, जिसका उद्देश्य है “ग्राहकों की सेवा करना, ग्राहकों को लाभ पहुंचाना”,आपूर्ति श्रृंखला प्रबंधन और उत्पाद लाइनों के विस्तार के निरंतर अनुकूलन के माध्यम से, इलेक्ट्रॉनिक घटकों के वितरण के क्षेत्र में एक वैश्विक बेंचमार्क उद्यम में विकसित हुआ है।

मुख्य उत्पाद5जी चिप्स, नई ऊर्जा आईसी, आईओटी आईसी, ब्लूटूथ आईसी, टेलीमैटिक्स आईसी, ऑटोमोटिव ग्रेड आईसी, संचार आईसी, एआई आईसी, मेमोरी आईसी, सेंसर आईसी, माइक्रोकंट्रोलर आईसी, ट्रांससीवर आईसी, ईथरनेट आईसी,वाईफाई चिप्स, वायरलेस संचार मॉड्यूल, कनेक्टर और अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक आपूर्ति लाभ

आपूर्ति लाभ

विशाल इन्वेंट्री प्रणालीः कंपनी के पास 2 मिलियन से अधिक प्रकार के इन्वेंट्री फायदेमंद मॉडल हैं, जो सैन्य-ग्रेड, औद्योगिक-ग्रेड,संचार और सभी प्रकार के ठंडे और गर्म उच्च तकनीक घटकों, ग्राहकों की तत्काल जरूरतों का तेजी से जवाब दे सकते हैं, ग्राहक के आर एंड डी और उत्पादन चक्र को काफी कम कर सकते हैं।

सख्त गुणवत्ता आश्वासनः सभी आपूर्ति किए गए घटक मूल निर्माताओं या अधिकृत चैनलों से हैं, जो पूर्ण बैच ट्रेसेबिलिटी और वारंटी सेवाएं प्रदान करते हैं।कंपनी सख्ती से ISO9001 लागू करती है:2014 प्रत्येक उत्पाद की विश्वसनीयता और स्थिरता सुनिश्चित करने के लिए गुणवत्ता प्रबंधन प्रणाली।

कुशल रसद नेटवर्क: दुनिया भर में शाखाओं और रसद भागीदारों के साथ, हम 1-3 दिनों की तेजी से डिलीवरी प्राप्त करने में सक्षम हैं और 1 टुकड़े के रूप में छोटे लचीले सोर्सिंग मॉडल का समर्थन करते हैं।यह कुशल आपूर्ति श्रृंखला क्षमता विशेष रूप से आर एंड डी चरण में छोटी खेप आवश्यकताओं और तत्काल आदेश प्रसंस्करण के लिए उपयुक्त है.

आईजीबीटी मॉड्यूलः उच्च शक्ति घनत्व और विश्वसनीयता का सही संयोजन

आधुनिक बिजली इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों के मुख्य उपकरणों के रूप में, अछूता गेट द्विध्रुवीय ट्रांजिस्टर (आईजीबीटी) मॉड्यूल मध्यम से उच्च शक्ति अनुप्रयोगों के क्षेत्र में हावी हैं।ओएन के आईजीबीटी मॉड्यूल अपने कम नुकसान के लिए जाने जाते हैं, उच्च स्विचिंग आवृत्ति और मजबूत मज़बूती, और व्यापक रूप से प्रमुख उपकरणों जैसे कि इलेक्ट्रिक मोटर ड्राइव, फोटोवोल्टिक इन्वर्टर, अनियंत्रित बिजली आपूर्ति (यूपीएस) में उपयोग किया जाता है,और औद्योगिक आवृत्ति परिवर्तकइन मॉड्यूलों में उन्नत ट्रेंच फील्ड स्टॉप तकनीक का उपयोग किया जाता है, जिससे प्रवाह और स्विचिंग हानि के बीच इष्टतम संतुलन प्राप्त होता है, जिससे समग्र प्रणाली दक्षता में काफी सुधार होता है।

ओएन आईजीबीटी मॉड्यूल के तकनीकी फायदे मुख्य रूप से तीन पहलुओं में परिलक्षित होते हैंः पहला, यह एक परिष्कृत खाई गेट संरचना को अपनाता है,जो महत्वपूर्ण रूप से ऑन-स्टेट वोल्टेज ड्रॉप (VCE(sat)) को कम करता है और ऑन-स्टेट में बिजली के नुकसान को कम करता हैदूसरा, क्षेत्र समापन परत का अनुकूलित डिजाइन मॉड्यूल को तेज स्विचिंग गति और कम स्विचिंग हानि के लिए सक्षम बनाता है, जो उच्च आवृत्ति अनुप्रयोग परिदृश्यों के लिए उपयुक्त है;और अंत में, मॉड्यूल में एक आंतरिक तापमान सेंसर और धारा का पता लगाने का कार्य शामिल है, जो सिस्टम की समग्र दक्षता को लागू करने में सुविधा प्रदान करता है।IGBT मॉड्यूल 600V से 1700V तक वोल्टेज रेटिंग में उपलब्ध हैं और विभिन्न शक्ति स्तरों पर अनुप्रयोगों की जरूरतों को पूरा करने के लिए 30A से सैकड़ों एम्पियर तक की वर्तमान क्षमताओं में उपलब्ध हैं.

एमओएसएफईटी मॉड्यूलः उच्च गति स्विचिंग और उच्च दक्षता रूपांतरण के लिए आदर्श

धातु-ऑक्साइड-अर्धचालक क्षेत्र प्रभाव ट्रांजिस्टर (एमओएसएफईटी) मॉड्यूल उच्च आवृत्ति स्विचिंग अनुप्रयोगों में अद्वितीय फायदे प्रदर्शित करते हैं। ओएन के एमओएसएफईटी मॉड्यूल का व्यापक रूप से बिजली रूपांतरण में उपयोग किया जाता है,ऑटोमोबाइल इलेक्ट्रॉनिक्स, और औद्योगिक नियंत्रण प्रणाली उनके उत्कृष्ट स्विचिंग प्रदर्शन और कम प्रतिरोध विशेषताओं के कारण।मॉड्यूलर पैकेज उच्च शक्ति घनत्व प्रदान करता है, बेहतर थर्मल प्रदर्शन और सरल प्रणाली डिजाइन, जो विशेष रूप से मध्यम से उच्च शक्ति अनुप्रयोग परिदृश्यों के लिए उपयुक्त है।

ऑन मोस्फेट मॉड्यूल की तकनीकी विशेषताएं मुख्यतः चार पहलुओं में परिलक्षित होती हैंःसुपर जंक्शन (सुपर जंक्शन) तकनीक के साथ एमओएसएफईटी मॉड्यूल उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों में बहुत कम ऑन प्रतिरोध (आरडीएस ((ऑन)) प्राप्त करता है, जो संवहन हानि को काफी कम करता है; दूसरा, अनुकूलित गेट डिजाइन तेजी से स्विचिंग की अनुमति देता है और स्विचिंग प्रक्रिया के दौरान ऊर्जा हानि को कम करता है; और तीसरा।मॉड्यूल के अंदर कई MOSFET चिप्स को एकीकृत करता है, जो पूर्ण पुल, आधा पुल और छह समूहों जैसे विभिन्न टोपोग्राफी का समर्थन कर सकता है; अंत में, उन्नत पैकेजिंग तकनीक अच्छे थर्मल चालकता प्रदर्शन को सुनिश्चित करती है,मॉड्यूल को उच्च तापमान वातावरण में स्थिर काम करने की अनुमति देता हैएमओएसएफईटी मॉड्यूल का वोल्टेज स्तर 40V से 900V तक है, जो निम्न वोल्टेज डीसी-डीसी कनवर्टर से उच्च वोल्टेज बिजली आपूर्ति प्रणाली तक की विविध आवश्यकताओं को पूरा करता है।

बुद्धिमान पावर मॉड्यूल (आईपीएम): एकीकरण और उच्च विश्वसनीयता का सही अवतार

इंटेलिजेंट पावर मॉड्यूल (आईपीएम) पावर इलेक्ट्रॉनिक्स एकीकरण के उच्चतम स्तर का प्रतिनिधित्व करते हैं।और सुरक्षा कार्य एक ही पैकेज में, सिस्टम डिजाइन को नाटकीय रूप से सरल बनाने और विश्वसनीयता में सुधार। विशेष रूप से उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, औद्योगिक नियंत्रण और ऑटोमोबाइल अनुप्रयोगों में मोटर ड्राइव परिदृश्यों के लिए उपयुक्त है,ये मॉड्यूल 50W से 10kW तक की शक्ति की एक विस्तृत श्रृंखला प्रदान करते हैं।, और विभिन्न प्रकार की टोपोलॉजी जैसे थ्री-फेज इन्वर्टर, पीएफसी (पावर फैक्टर कॉरक्शन) और इनपुट ब्रिज रेक्टिफायर का समर्थन करते हैं।

ओएन आईपीएम के मुख्य फायदे मुख्य रूप से चार पहलुओं में परिलक्षित होते हैंः पहला, अत्यधिक एकीकृत डिजाइन बाहरी घटकों और पीसीबी क्षेत्र की संख्या को कम करता है, सिस्टम जटिलता और लागत को कम करता है;दूसरा, अंतर्निहित ड्राइवर सर्किट विद्युत चुम्बकीय हस्तक्षेप (ईएमआई) को कम करते हुए शक्ति उपकरणों की स्विचिंग विशेषताओं को अनुकूलित करता है; तीसरा,व्यापक सुरक्षा कार्य (अतिवर्तमान सहित)IPM उत्पाद लाइन कम और मध्यम वोल्टेज अनुप्रयोगों को 600V तक कवर करती है।विभिन्न शक्ति स्तरों की आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए कुछ एम्पियर से लेकर दसियों एम्पियर तक की वर्तमान क्षमताओं के साथ.

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) मॉड्यूलः अगली पीढ़ी के बिजली उपकरणों के लिए एक प्रौद्योगिकी बेंचमार्क

सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) पावर मॉड्यूल पावर सेमीकंडक्टर प्रौद्योगिकी की अग्रणी विकास दिशा का प्रतिनिधित्व करते हैं।ओएन के सीआईसी मॉड्यूल मूल उपकरण के रूप में तीसरी पीढ़ी की अर्धचालक सामग्री सिलिकॉन कार्बाइड (सीआईसी) का उपयोग करते हैं, जो उच्च तापमान सहिष्णुता, उच्च आवृत्ति विशेषताओं, और कम चालकता हानि जैसे महत्वपूर्ण फायदे हैं,और इलेक्ट्रिक वाहनों जैसे प्रौद्योगिकी क्षेत्रों के उन्नयन को आगे बढ़ा रहा है।पारंपरिक सिलिकॉन आधारित बिजली उपकरणों की तुलना में,सीआईसी मॉड्यूल सिस्टम की दक्षता में 3-5% की वृद्धि कर सकते हैं और ऊर्जा खपत में 30% से अधिक की कमी कर सकते हैं, जबकि सिस्टम के आकार और वजन को काफी कम करते हुए, उन्हें ऊर्जा दक्षता और बिजली घनत्व चुनौतियों को पूरा करने के लिए एक आदर्श समाधान बनाते हैं।

ON SiC मॉड्यूल के तकनीकी फायदे मुख्य रूप से पांच पहलुओं में परिलक्षित होते हैंःSiC सामग्री की उच्च महत्वपूर्ण टूटने विद्युत क्षेत्र शक्ति डिवाइस को बहाव क्षेत्र की मोटाई को कम करते हुए उच्च वोल्टेज पर काम करने की अनुमति देती है, जो चालू प्रतिरोध को कम करता है; दूसरा, व्यापक बैंडविड्थ प्रतिबंधित विशेषता SiC (3.26eV) डिवाइस को उच्च तापमान (200°C से अधिक) पर काम करने की अनुमति देता है,जो गर्मी अपव्यय प्रणाली की जटिलता को कम करता हैतीसरा, SiC उपकरणों में लगभग कोई रिवर्स रिकवरी करंट नहीं है, जिससे स्विचिंग हानि में काफी कमी आती है और उच्च आवृत्ति संचालन की अनुमति मिलती है।उत्कृष्ट थर्मल चालकता (सिलिकॉन की तुलना में लगभग तीन गुना) शक्ति घनत्व में सुधार करती है और एक अधिक कॉम्पैक्ट प्रणाली की अनुमति देती है; और अंत में, बेहतर समग्र प्रणाली दक्षता ऊर्जा की खपत और गर्मी अपव्यय आवश्यकताओं को कम करती है, जिसके परिणामस्वरूप एक वर्चुअल चक्र होता है।शुद्ध SiC मॉड्यूल और Si/SiC हाइब्रिड मॉड्यूलउच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों की आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए वोल्टेज स्तर मुख्य रूप से 1200V और 1700V हैं।