कंपनी ब्लॉग के बारे में गेट ड्राइवरों पर आपूर्ति: GaN, IGBT, FET, MOSFET, H-ब्रिज MOSFET, SiC MOSFET

गेट ड्राइवर्स पर आपूर्तिः GaN,IGBT,FET,MOSFET,H-ब्रिज MOSFET,SiC MOSFET

शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड,इलेक्ट्रॉनिक घटकों के अग्रणी वैश्विक वितरक के रूप में, अपने मजबूत आपूर्ति श्रृंखला नेटवर्क, पेशेवर सेवाओं,अत्यधिक प्रतिस्पर्धी मूल्य निर्धारण और ईमानदारी पर केंद्रित व्यावसायिक दर्शन.

इसके आपूर्ति लाभ मुख्य रूप से निम्नलिखित क्षेत्रों में परिलक्षित होते हैंः

वैश्विक आपूर्ति श्रृंखला नेटवर्कः अंतरराष्ट्रीय ब्रांडों के साथ प्रत्यक्ष सहयोग से वास्तविक उत्पादों की आपूर्ति सुनिश्चित होती है और नकली या निम्न गुणवत्ता वाले सामानों को समाप्त किया जाता है।

स्टॉक उपलब्धता और तेजी से वितरणः शेन्ज़ेन, हांगकांग और अन्य क्षेत्रों में बड़े पैमाने पर गोदाम केंद्र 24 घंटे के भीतर डिस्पैचिंग की अनुमति देते हैं,उन्हें विशेष रूप से आर एंड डी नमूना आवश्यकताओं और तत्काल आदेशों को पूरा करने के लिए उपयुक्त बनाना.

अत्यधिक प्रतिस्पर्धी मूल्य निर्धारणः थोक खरीद से ग्राहक की लागत कम होती है, जबकि बड़े ऑर्डर अतिरिक्त छूट के लिए पात्र होते हैं, जिससे लागत प्रभावी समाधान प्रदान होते हैं।

लचीले खरीद मॉडल: हम छोटे बैच के नमूनों से लेकर बड़े पैमाने पर उत्पादन के आदेशों तक, खरीद आवश्यकताओं की एक विस्तृत श्रृंखला का समर्थन करते हैं।आर एंड डी और पायलट उत्पादन से लेकर बड़े पैमाने पर उत्पादन तक हर चरण में ग्राहकों की आवश्यकताओं को पूरा करना.

I. SiC MOSFETs के लिए समर्पित गेट ड्राइवर (EliteSiC Companion Solutions)

सिलिकॉन कार्बाइड (सीआईसी) एमओएसएफईटी में उच्च गति स्विचिंग, उच्च वोल्टेज प्रतिरोध क्षमता और उच्च तापमान प्रतिरोध है; हालांकि,वे ड्राइव वोल्टेज आयाम के संबंध में सख्त आवश्यकताओं को लागू, नकारात्मक पूर्वाग्रह, सामान्य मोड हस्तक्षेप (सीएमटीआई) प्रतिरोध और मिलर शोर दमन।दोनों सकारात्मक और नकारात्मक ड्राइव वोल्टेज का समर्थन, और झूठे प्रवाह के जोखिम को कम करने के लिए अति उच्च सीएमटीआई की सुविधा है।

प्रमुख विशेषताएं

उच्च पीक सिंक/स्रोत ड्राइव करंट्स बड़े SiC गेट चार्ज के तेजी से चार्ज और डिस्चार्ज को समायोजित करने के लिए;

उच्च गति स्विचिंग के दौरान मिलर-प्रेरित वोल्टेज को दबाने के लिए समायोज्य नकारात्मक बंद पूर्वाग्रह का समर्थन;

उच्च वोल्टेज बसों पर उच्च गति के क्षणिक शोर का सामना करने के लिए सामान्य मोड क्षणिक प्रतिरोध (CMTI) > 200 V/ns;

एकीकृत स्वतंत्र यूवीएलओ, नरम बंद, दोष ताला और सक्रिय मिलर क्लैंपिंग;

ऑटोमोटिव ग्रेड AEC-Q100 और औद्योगिक ग्रेड वेरिएंट में उपलब्ध है।

प्रतिनिधि मॉडल: NCP51705, NCP51563, NCP51752

विशिष्ट अनुप्रयोगः ऑनबोर्ड चार्जर (ओबीसी), मुख्य ड्राइव इन्वर्टर, ऊर्जा भंडारण कनवर्टर, फोटोवोल्टिक इन्वर्टर और उच्च वोल्टेज डीसी चार्जिंग स्टेशन।

II. GaN (गैलियम नाइट्राइड HEMT) समर्पित गेट ड्राइवर

उन्नत-मोड GaN HEMTs में बेहद कम गेट ब्रेकडाउन वोल्टेज होता है और ओवरवोल्टेज क्षति के लिए अत्यधिक संवेदनशील होते हैं; इसलिए पारंपरिक Si ड्राइवर समाधानों का उपयोग नहीं किया जा सकता है।ON सेमीकंडक्टर के GaN-समर्पित ड्राइवर ड्राइव वोल्टेज को ठीक से क्लैंप करने के लिए एक विनियमित गेट आउटपुट आर्किटेक्चर का उपयोग करते हैं, उच्च आवृत्ति ZVS टोपोलॉजी की आवश्यकताओं को पूरा करता है।

प्रमुख विशेषताएं

स्थिर, विनियमित ड्राइव आउटपुट ओवरवोल्टेज के कारण GaN गेट ब्रेकडाउन को रोकने के लिए;

अति कम प्रसार विलंब, एमएचजेड स्तर पर उच्च आवृत्ति स्विचिंग का समर्थन;

dV/dt शोर के प्रति उच्च प्रतिरोध के साथ स्वतंत्र उच्च पक्ष और निम्न पक्ष UVLO;

ईएमआई और शक्ति हानि के बीच संतुलन को अनुकूलित करने के लिए चालू/बंद दरों के बाहरी विन्यास को सुविधाजनक बनाने के लिए स्रोत और सिंक वर्तमान आउटपुट पिन को अलग करें।

प्रतिनिधि मॉडल: NCP51810

विशिष्ट अनुप्रयोगः 48 वी मध्यवर्ती बस बिजली आपूर्ति, डेटा सेंटर बिजली आपूर्ति, सक्रिय-क्लैम्प्ड फ्लाईबैक कन्वर्टर्स, एलएलसी अनुनाद कनवर्टर्स, और अल्ट्रा-स्लिम फास्ट-चार्जिंग बिजली आपूर्ति।

III. आईजीबीटी गेट ड्राइवर

आईजीबीटी का व्यापक रूप से मध्यम और उच्च वोल्टेज उच्च शक्ति रूपांतरण अनुप्रयोगों में उपयोग किया जाता है। मध्यम स्विचिंग गति के साथ, उन्हें स्थिर 15 वी ड्राइव और विश्वसनीय दोष सुरक्षा की आवश्यकता होती है,उन्हें आवृत्ति परिवर्तक और उच्च शक्ति इन्वर्टर अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनानाओएन सेमीकंडक्टर के आईजीबीटी ड्राइवरों में अर्ध-पुल, तीन-चरण और अलग-थलग एकल-चैनल समाधान शामिल हैं।

प्रमुख विशेषताएं

व्यापक वोल्टेज UVLO सुरक्षा के साथ मानक 15V ड्राइव वोल्टेज रेंज;

आईजीबीटी परजीवी संवहन को दबाने के लिए नकारात्मक पूर्वाग्रह वेरिएंट के लिए समर्थन;

एकीकृत ओवरकंट्रेंट शटडाउन, सॉफ्ट शटडाउन और चैनल इंटरलॉक के माध्यम से संचरण को रोकने के लिए;

उच्च वोल्टेज फ्लोटिंग बूटस्ट्रैप आर्किटेक्चर, 600V तक की बस प्रणालियों का समर्थन करता है; अलग-थलग मॉडल 5kVrms की इन्सुलेशन रेटिंग प्रदान करते हैं।

प्रतिनिधि मॉडल: NCD57000, FAN73896, FOD3120 अलग ड्राइवर

विशिष्ट अनुप्रयोगः औद्योगिक परिवर्तनीय आवृत्ति ड्राइव, यूपीएस (अखंड बिजली आपूर्ति), उच्च शक्ति वेल्डिंग मशीन, पवन ऊर्जा कनवर्टर।

IV. सामान्य प्रयोजन FET/MOSFET गेट ड्राइवर (लो साइड, हाफ-ब्रिज सामान्य प्रयोजन सिलिकॉन MOS)

सिलिकॉन पावर MOSFETs और निम्न वोल्टेज FETs के लिए डिज़ाइन की गई एक सामान्य प्रयोजन ड्राइवर उत्पाद लाइन, जिसमें निम्न वोल्टेज लोड स्विच और छोटी से मध्यम शक्ति स्विचिंग पावर सप्लाई शामिल हैं।यह दो मुख्य श्रेणियों में विभाजित है: स्टैंडअलोन लो-साइड ड्राइवर और हाई-साइड/लो-साइड हाफ-ब्रिज ड्राइवर।

प्रमुख विशेषताएं

व्यापक आपूर्ति वोल्टेज रेंज, 3.3V/5V नियंत्रण तर्क स्तरों के साथ संगत;

विभिन्न प्रकार के पीक ड्राइव करंट विनिर्देश, छोटे सिग्नल के MOSFET से लेकर उच्च-शक्ति स्विचिंग उपकरणों तक को कवर करते हैं;

कम वोल्टेज लॉक और आउटपुट सक्षम कार्यों, परिधीय सुरक्षा को सरल;

कॉम्पैक्ट एमएसओपी और एसओआईसी पैकेज, अंतरिक्ष-प्रतिबंधित अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त।

प्रतिनिधि मॉडल: NCV81071, NCP5104

विशिष्ट अनुप्रयोगः BLDC सहायक बिजली आपूर्ति, उपभोक्ता बिजली आपूर्ति, बिजली उपकरण, लोड स्विच, बैटरी प्रबंधन प्रणाली।

वी. एच-ब्रिज एमओएसएफईटी ड्राइवर समाधान (पूर्ण-ब्रिज टोपोलॉजी के लिए समर्पित)

एच-ब्रिज टोपोलॉजी का व्यापक रूप से डीसी मोटर्स, क्लास डी पावर एम्पलीफायर और द्विदिश डीसी/डीसी कन्वर्टर्स के आगे और पीछे नियंत्रण में उपयोग किया जाता है।अर्धचालक के अर्ध-पुल ड्राइवर आईसी को एक पूर्ण एच-पुल बनाने के लिए लचीले ढंग से कैस्केड किया जा सकता है, जबकि अंतर्निहित एंटी-शॉर्ट-सर्किट लॉजिक के साथ फुल-ब्रिज सिस्टम के लिए एक देशी ड्राइवर समाधान प्रदान करता है।

प्रमुख विशेषताएं

दो-चैनल आधा-ब्रिज वास्तुकला; केवल दो चिप्स का उपयोग करके एक पूर्ण एच-ब्रिज बनाया जा सकता है;

उपरी और निचले स्विच के बीच शॉर्ट सर्किट को प्रभावी ढंग से रोकने के लिए कॉन्फ़िगर करने योग्य मृत समय;

मोटर्स से प्रेरक बैक-ईएमएफ का सामना करने के लिए विस्तारित नकारात्मक वोल्टेज सहिष्णुता;

ऑटोमोटिव-ग्रेड वेरिएंट ऑटोमोटिव एक्ट्यूएटर की आवश्यकताओं को पूरा करते हुए एक विस्तृत तापमान सीमा (-40°C से 140°C) का समर्थन करते हैं।

प्रतिनिधि मॉडल: NCP5181, FAN श्रृंखला के अर्ध-ब्रिज ड्राइवर

विशिष्ट अनुप्रयोगः ऑटोमोटिव वाटर पंप/फैन, रोबोटिक सर्वो मोटर्स, पावर टूल्स, द्विदिश ऊर्जा भंडारण कन्वर्टर्स।