माइक्रोचिप आईजीबीटी मॉड्यूल श्रृंखला की आपूर्ति: आईजीबीटी ट्रेंच 3, आईजीबीटी ट्रेंच 4, आईजीबीटी ट्रेंच 5, आईजीबीटी ट्रेंच 7
शेन्ज़ेन मिंग्जीडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड,चीन में इलेक्ट्रॉनिक घटकों के एक प्रमुख वितरक के रूप में, 'ग्राहकों की सेवा करना और ग्राहकों को लाभ पहुंचाना' के सिद्धांत का पालन करता है, जो अपने ग्राहकों को उच्च गुणवत्ता वाले और विविध इलेक्ट्रॉनिक घटक प्रदान करता है।
मुख्य उत्पादों में शामिल हैं:5जी चिप्स, नई ऊर्जा आईसी, आईओटी आईसी, ब्लूटूथ आईसी, वाहन नेटवर्किंग आईसी, ऑटोमोटिव-ग्रेड आईसी, संचार आईसी, आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस आईसी, आदि। इसके अतिरिक्त, कंपनी मेमोरी आईसी, सेंसर आईसी, माइक्रो कंट्रोलर आईसी, ट्रांससीवर आईसी, ईथरनेट आईसी, वाईफाई चिप्स, वायरलेस संचार मॉड्यूल, कनेक्टर और अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक भी प्रदान करती है।
आपूर्ति के लाभ
1. प्रामाणिकता की गारंटी
सभी उत्पाद आधिकारिक चैनलों से प्राप्त किए जाते हैं, साथ ही गुणवत्ता ट्रेसबिलिटी रिपोर्ट और मूल निर्माता प्रमाणन भी शामिल हैं, जो यह सुनिश्चित करते हैं कि ग्राहकों को 100% प्रामाणिक उत्पाद प्राप्त हों।
2. पर्याप्त इन्वेंटरी
कंपनी 2 मिलियन से अधिक इन्वेंटरी मॉडल बनाए रखती है, जो ग्राहकों की आर एंड डी पायलट उत्पादन से लेकर बड़े पैमाने पर उत्पादन तक की जरूरतों को पूरा करने के लिए पर्याप्त स्टॉक सुनिश्चित करती है।
3. प्रतिस्पर्धी मूल्य निर्धारण
बड़े पैमाने पर खरीद के लाभों का लाभ उठाते हुए, हम बाजार दरों से कम कीमत प्रदान करते हैं और खरीद मात्रा के आधार पर स्तरीय मूल्य निर्धारण रणनीतियों को लागू करते हैं। दीर्घकालिक भागीदार खरीद लागत को प्रभावी ढंग से नियंत्रित करने के लिए मूल्य-लॉकिंग सेवाओं का भी आनंद ले सकते हैं।
4. त्वरित डिलीवरी सेवाएं
24 घंटे शिपिंग: मानक ऑर्डर की त्वरित प्रोसेसिंग
4 घंटे आपातकालीन प्रतिक्रिया: विशेष त्वरित सेवा
अगले दिन डिलीवरी कवरेज: प्रमुख क्षेत्रों में त्वरित डिलीवरी
5. लचीले खरीद मॉडल
छोटे बैच की खरीद: आर एंड डी आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए न्यूनतम 1 पीस का ऑर्डर
बल्क ऑर्डर: वीएमआई (विक्रेता-प्रबंधित इन्वेंटरी) और अन्य सहयोगी मॉडल के लिए समर्थन
दीर्घकालिक समझौते: स्थिर आपूर्ति गारंटी प्रदान करना
आईजीबीटी ट्रेंच 3 मॉड्यूल
आईजीबीटी ट्रेंच 3 मॉड्यूल प्रारंभिक ट्रेंच गेट तकनीक के परिपक्व परिणामों का प्रतिनिधित्व करता है।
एक तकनीकी वास्तुकला के दृष्टिकोण से, आईजीबीटी ट्रेंच 3 मॉड्यूल एक बुनियादी ट्रेंच गेट डिज़ाइन को अपनाता है, जो एक ऊर्ध्वाधर गेट संरचना के माध्यम से प्लानर गेट आईजीबीटी की तुलना में बेहतर चालन विशेषताओं को प्राप्त करता है। इसके विशिष्ट मापदंडों में शामिल हैं: चालन वोल्टेज (Vce(sat)) 1.8 से 2.2 V तक, 20 kHz तक स्विचिंग आवृत्ति, और 150 डिग्री सेल्सियस का अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान। जबकि ये प्रदर्शन मेट्रिक्स आज के मानकों से अलग नहीं हो सकते हैं, वे अधिकांश औद्योगिक चर-आवृत्ति अनुप्रयोगों के लिए पूरी तरह से पर्याप्त हैं।
आईजीबीटी ट्रेंच 4 और ट्रेंच 5 मॉड्यूल
आईजीबीटी ट्रेंच 4 और ट्रेंच 5 मॉड्यूल ट्रेंच गेट तकनीक का एक महत्वपूर्ण विकास दर्शाते हैं, जो ट्रेंच 3 मॉड्यूल की तुलना में प्रदर्शन मापदंडों और अनुप्रयोग दायरे में उल्लेखनीय सुधार प्रदान करते हैं।
आईजीबीटी ट्रेंच 4 मॉड्यूल फील्ड स्टॉप तकनीक पेश करता है, एक अभिनव संरचना जो चिप की मोटाई को काफी कम करती है, जिससे कई प्रदर्शन सुधार होते हैं: ऑन-स्टेट वोल्टेज (Vce(sat)) 1.5–1.8 V रेंज तक कम हो जाता है, जो ट्रेंच 3 उत्पादों की तुलना में लगभग 15% कम है; स्विचिंग आवृत्ति को 30-40kHz तक बढ़ा दिया गया है, जिससे उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों की संभावनाओं का विस्तार होता है; सिस्टम विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए उत्कृष्ट शॉर्ट-सर्किट प्रतिरोध क्षमता को बनाए रखते हुए।
तकनीकी विकास में एक और मील का पत्थर के रूप में, आईजीबीटी ट्रेंच 5 मॉड्यूल ट्रेंच 4 के आधार पर वाहक नियंत्रण तकनीक को और अनुकूलित करता है, जो चालन हानि और स्विचिंग हानि के बीच इष्टतम संतुलन प्राप्त करता है। इसकी मुख्य तकनीकी विशेषताओं में शामिल हैं: सेल घनत्व बढ़ाने के लिए एक महीन ट्रेंच संरचना को अपनाना; स्विचिंग विशेषताओं में सुधार के लिए बफर लेयर डिज़ाइन का अनुकूलन; और अल्पसंख्यक वाहक सांद्रता को सटीक रूप से विनियमित करने के लिए उन्नत जीवनकाल नियंत्रण प्रक्रियाओं का उपयोग करना। इन तकनीकी प्रगति ने ट्रेंच 5 मॉड्यूल के कुल नुकसान को ट्रेंच 4 मॉड्यूल की तुलना में अतिरिक्त 10-15% तक कम कर दिया है, जो 98% से अधिक दक्षता प्राप्त करता है, जिससे यह उच्च-दक्षता वाले अनुप्रयोगों के लिए एक आदर्श विकल्प बन जाता है।
आईजीबीटी ट्रेंच 7 मॉड्यूल
आईजीबीटी ट्रेंच 7 मॉड्यूल ट्रेंच गेट तकनीक में वर्तमान अत्याधुनिक स्थिति का प्रतिनिधित्व करता है, जो कई अत्याधुनिक डिजाइन अवधारणाओं और विनिर्माण प्रक्रियाओं को एकीकृत करता है।
एक तकनीकी दृष्टिकोण से, आईजीबीटी ट्रेंच 7 मॉड्यूल के नवाचार मुख्य रूप से तीन पहलुओं में परिलक्षित होते हैं: सबसे पहले, माइक्रो-ट्रेंच डिज़ाइन को अपनाने से सेल का आकार और कम हो जाता है, जिससे ट्रेंच घनत्व काफी बढ़ जाता है और चालन प्रतिरोध कम हो जाता है; दूसरा, उन्नत वाहक भंडारण परत तकनीक की शुरुआत ऑन-स्टेट में वाहक वितरण को अनुकूलित करती है, जिससे कम चालन नुकसान होता है; तीसरा, बेहतर गेट संरचना और पैसिवेशन प्रक्रियाएं पिछली पीढ़ियों की तुलना में स्विचिंग नुकसान को 15% तक कम करती हैं, जबकि उच्च तापमान स्थिरता को बढ़ाती हैं। इन तकनीकी प्रगति ने ट्रेंच 7 मॉड्यूल के समग्र प्रदर्शन को नई ऊंचाइयों तक पहुंचाया है: ऑन-स्टेट वोल्टेज 1.2–1.5 V जितना कम हो सकता है, स्विचिंग आवृत्ति आसानी से 50 kHz से अधिक हो जाती है, और अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान 175 डिग्री सेल्सियस तक बढ़ गया है।
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