आपूर्ति एकीकृत सर्किट चिप IMBG65R022M1H 650V एन-चैनल सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET
IMBG65R022M1H का उत्पाद विवरण
IMBG65R022M1H N-चैनल 650 V 64A (Tc) 300W (Tc) सरफेस माउंट PG-TO263-7-12.CoolSiC उच्च तापमान और कठोर वातावरण अनुप्रयोगों में उपयोग के लिए एकदम उपयुक्त है।
IMBG65R022M1H की विशिष्टता
| भाग संख्या: | IMBG65R022M1H | Vds - ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: | 650 वी |
|---|---|---|---|
| ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता: | n- चैनल | आईडी - सतत नाली वर्तमान: | 33 ए |
| आरडीएस ऑन - ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस: | 94 एमओएचएमएस | वीजीएस - गेट-स्रोत वोल्टेज: | - 5 वी, + 23 वी |
IMBG65R022M1H की विशेषताएं
IMBG65R022M1H के अनुप्रयोग
सामान्य प्रश्न
प्रश्न: क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
एक: हाँ, सभी उत्पाद मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।
प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाणपत्र हैं?
A: हम ISO 9001:2015 प्रमाणित कंपनी और ERAI के सदस्य हैं।
प्रश्न: क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना मुक्त है?
एक: हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है।
प्रश्न: मेरे आदेश को कैसे शिप करें?क्या ये सुरक्षित है?
ए: हम एक्सप्रेस टू शिप का उपयोग करते हैं, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस। हम आपके सुझाए गए फारवर्डर का भी उपयोग कर सकते हैं। उत्पाद अच्छी पैकिंग में होंगे और सुरक्षा सुनिश्चित करेंगे और हम आपके ऑर्डर को उत्पाद की क्षति के लिए जिम्मेदार हैं।
क्यू: नेतृत्व समय के बारे में क्या?
ए: हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों को भेज सकते हैं। यदि स्टॉक के बिना, हम आपके ऑर्डर मात्रा के आधार पर आपके लिए लीड टाइम की पुष्टि करेंगे।
व्यक्ति से संपर्क करें: Mr. Sales Manager
दूरभाष: 86-13410018555
फैक्स: 86-0755-83957753
