आपूर्ति [Infineon] IGT60R190D1SATMA1 एन-चैनल MOSFET ट्रांजिस्टर, आपूर्ति डायोड, थाइरिस्टर, ट्रांजिस्टर, पावर ड्राइवर मॉड्यूल
आपूर्ति MOSFET ट्रांजिस्टर
IGT60R190D1SATMA1 - 600V CoolGaNTM वृद्धि मोड पावर ट्रांजिस्टर
एफईटी प्रकार
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एन-चैनल
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प्रौद्योगिकी
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GaNFET (गैलियम नाइट्राइड)
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स्रोत के लिए नाली वोल्टेज (वीडीएस)
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600 वी
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धारा - निरंतर निकासी (Id) @ 25°C
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12.5A (Tc)
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Vgs(th) (अधिकतम) @ Id
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1.6V @ 960μA
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वीजीएस (अधिकतम)
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-10V
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इनपुट क्षमता (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
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157 पीएफ @ 400 वी
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शक्ति विसर्जन (अधिकतम)
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55.5W (Tc)
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परिचालन तापमान
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-55°C से 150°C (TJ)
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माउंटिंग प्रकार
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सतह माउंट
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आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज
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पीजी-एचएसओएफ-8-3
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पैकेज / मामला
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8-पावरएसएफएन
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मूल उत्पाद संख्या
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IGT60R190
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विशेषताएं
प्रवर्धन मोड ट्रांजिस्टर
अति तेज स्विचिंग
रिवर्स रिकवरी शुल्क नहीं
रिवर्स कंडक्शन के लिए सक्षम
कम गेट चार्ज, कम आउटपुट चार्ज
बेहतर कम्यूटेशन कठोरता
लाभ
प्रणाली की दक्षता में सुधार करता है
शक्ति घनत्व में सुधार
उच्च परिचालन आवृत्ति को सक्षम करता है
सिस्टम लागत में कमी की बचत
ईएमआई को कम करता है
अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न
प्रश्न. क्या आपके उत्पाद मूल हैं?
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प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?
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प्रश्न: लीड टाइम के बारे में क्या?
एकः हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों जहाज कर सकते हैं. अगर स्टॉक के बिना, हम अपने आदेश मात्रा के आधार पर आप के लिए नेतृत्व समय की पुष्टि करेंगे.
व्यक्ति से संपर्क करें: Mr. Sales Manager
दूरभाष: 86-13410018555
फैक्स: 86-0755-83957753