कंपनी ब्लॉग के बारे में इन्फीनियन GaN उत्पाद की आपूर्ति: GaN द्विदिश स्विच, GaN नियंत्रक, GaN स्मार्ट, GaN ट्रांजिस्टर

आपूर्ति Infineon GaN उत्पाद:GaN द्विदिश स्विच,GaN नियंत्रक,GaN स्मार्ट,GaN ट्रांजिस्टर

शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड,चीन में अग्रणी इलेक्ट्रॉनिक घटक आपूर्तिकर्ता के रूप में,ग्राहकों को स्थिर और विश्वसनीय मूल उत्पादों के साथ प्रदान करने के लिए अपने मजबूत आपूर्ति श्रृंखला नेटवर्क और पेशेवर उद्योग सेवा क्षमताओं का लाभ उठाता है.

मुख्य उत्पादों में निम्नलिखित शामिल हैंः5जी चिप्स, नई ऊर्जा आईसी, आईओटी आईसी, ब्लूटूथ आईसी, वाहन नेटवर्क आईसी, ऑटोमोटिव ग्रेड आईसी, संचार आईसी, कृत्रिम बुद्धिमत्ता आईसी, मेमोरी आईसी, सेंसर आईसी, माइक्रोकंट्रोलर आईसी,ट्रांससीवर आईसी, ईथरनेट आईसी, वाईफाई चिप्स, वायरलेस संचार मॉड्यूल, कनेक्टर और अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक।

कंपनी के पास आपूर्ति में निम्नलिखित मुख्य फायदे हैंः

मूल निर्माताओं से प्रत्यक्ष आपूर्ति और गुणवत्ता आश्वासनः सभी उत्पादों को 100% मूल उत्पादों की गारंटी के लिए अधिकृत चैनलों के माध्यम से खरीदा जाता है,पूर्ण मूल निर्माता बैच संख्याओं के साथ प्रदान की.

स्केलेबल खरीद और लागत अनुकूलन: कई प्रसिद्ध ब्रांडों के साथ गहन सहयोग और बड़े पैमाने पर खरीद के लाभ के माध्यम से,कंपनी इलेक्ट्रॉनिक घटकों की कुल लागत को काफी कम कर सकती है।, ग्राहकों को अत्यधिक प्रतिस्पर्धी कीमतें प्रदान करता है।

लचीली और तेज़ डिलीवरी क्षमताएंः शेन्ज़ेन केंद्रीय गोदाम और हांगकांग सीमा शुल्क गोदाम एक साथ काम करते हैं, 48 घंटे की एक्सप्रेस डिलीवरी का समर्थन करते हैं,24 घंटों के भीतर घरेलू शिपमेंट के लिए सक्षम तत्काल आदेश के साथ.

गैलियम नाइट्राइड (GaN)

कूलगाएनTM उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स, औद्योगिक और ऑटोमोबाइल अनुप्रयोगों के लिए उच्चतम दक्षता और शक्ति घनत्व प्रदान करने वाले असतत उपकरण और एकीकृत समाधान।

इनफिनियन गैएन द्विदिश स्विच उत्पाद और अनुप्रयोग

इनफिनियन की कूलगाएनTM श्रृंखला में द्विदिश स्विच (बीडीएस) बिजली रूपांतरण अनुप्रयोगों में गाएन प्रौद्योगिकी के लिए एक महत्वपूर्ण नवाचार दिशा का प्रतिनिधित्व करते हैं।इनफिनियन के 40V द्विदिश स्विच उपकरण उन्नत GaN-on-Si प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का उपयोग करके निर्मित होते हैं, दो उच्च प्रदर्शन GaN HEMT (उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता ट्रांजिस्टर) को एकीकृत करने के लिए एक ही पैकेज के भीतर द्विदिशात्मक धारा नियंत्रण सक्षम करने के लिए,सर्किट डिजाइन को काफी सरल बनाना और सिस्टम की विश्वसनीयता को बढ़ानाइन उपकरणों में अत्यंत कम प्रतिरोध (सामान्य रूप से 1.1mΩ से 2.3mΩ के बीच) और अति तेज स्विचिंग गति होती है।पारंपरिक सिलिकॉन आधारित MOSFETs के प्रदर्शन से 5 से 10 गुना अधिक 2MHz तक के ऑपरेटिंग आवृत्तियों का समर्थन करते हुए उन्हें विशेष रूप से उच्च आवृत्ति की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाते हैं, उच्च दक्षता संचालन।

GaN द्विदिश स्विच का मुख्य तकनीकी लाभ शरीर डायोड रिवर्स रिकवरी विशेषताओं की अनुपस्थिति में निहित है। सिलिकॉन आधारित उपकरणों के विपरीत,GaN उपकरण रिवर्स कंडक्शन के दौरान रिवर्स रिकवरी करंट उत्पन्न नहीं करते हैं, मूल रूप से पारंपरिक MOSFETs में बॉडी डायोड रिवर्स रिकवरी के कारण स्विचिंग नुकसान और EMI मुद्दों को समाप्त करता है। Infineon's CoolGaN™ bidirectional switches also employ innovative gate drive technology to ensure device stability and reliability under high-frequency switching conditions while simplifying drive circuit designये विशेषताएं GaN द्विदिश स्विच को द्विदिश ऊर्जा प्रवाह की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों में असाधारण रूप से अच्छा प्रदर्शन करने की अनुमति देती हैं, जैसे सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन, मोटर ड्राइव एच-ब्रिज,और वायरलेस चार्जिंग.

इनफिनियन जीएएन नियंत्रक और स्मार्ट डिवाइस समाधान

इनफिनियन के GaN नियंत्रक उत्पाद लाइन में स्टैंडअलोन गेट ड्राइवर और अत्यधिक एकीकृत बुद्धिमान पावर मॉड्यूल (IPM) शामिल हैं,जो GaN बिजली उपकरणों की अनूठी विशेषताओं के लिए अनुकूलित हैं ताकि उच्च आवृत्ति का पूरी तरह से लाभ उठाया जा सकेविशेष रूप से, NV6133A जैसे बुद्धिमान पावर आईसी, जो GaN स्विच और ड्राइवरों को एकीकृत करते हैं,हानि रहित वर्तमान संवेदन और व्यापक सुरक्षा कार्यों को सक्षम करने के लिए GaNSenseTM प्रौद्योगिकी का उपयोग करें, सिस्टम डिजाइन को काफी सरल बनाने और विश्वसनीयता बढ़ाने के लिए।

GaNFastTM पावर आईसी Infineon के GaN नियंत्रक उत्पाद लाइन में प्रमुख श्रृंखला है। NV6133A चिप उच्च प्रदर्शन GaN स्विच और ड्राइवरों को एकीकृत करती है, 10 से 30V की एक विस्तृत VCC रेंज का समर्थन करती है,प्रोग्राम करने योग्य चालू dV/dt देता है, और 200V/ns dV/dt प्रतिरक्षा प्रदान करता है। डिवाइस में 800V ट्रांजिट वोल्टेज रेटिंग और 700V निरंतर वोल्टेज रेटिंग है,केवल 330mΩ के ऑन प्रतिरोध के साथ और 2MHz तक के ऑपरेटिंग आवृत्तियों के लिए समर्थनइसकी एकीकृत GaNSenseTM तकनीक शॉर्ट सर्किट सुरक्षा, अति-तापमान सुरक्षा और एक स्वायत्त निम्न-वर्तमान स्टैंडबाय मोड जैसी बुद्धिमान सुविधाएं प्रदान करती है।पारंपरिक डिजाइनों में नमूनाकरण प्रतिरोधों से बिजली के नुकसान को समाप्त करना और प्रणाली की दक्षता और विश्वसनीयता को और बढ़ाना.

इन्फिनियन GaN ट्रांजिस्टर श्रृंखला

इनफिनियन की GaN ट्रांजिस्टर उत्पाद लाइन मध्यम से उच्च वोल्टेज तक अनुप्रयोग आवश्यकताओं की एक विस्तृत श्रृंखला को कवर करती है, जिसमें GaN ट्रांजिस्टर की पूरी श्रृंखला शामिल है जैसे कि CoolGaNTM G3 (मध्यम वोल्टेज),CoolGaNTM G5 (उच्च वोल्टेज), और औद्योगिक आईजीटी श्रृंखला. इन उपकरणों को उन्नत 8-इंच वेफर प्रक्रियाओं का उपयोग करके निर्मित किया जाता है, जिससे बिजली घनत्व, स्विचिंग आवृत्ति और थर्मल प्रबंधन प्रदर्शन में काफी सुधार होता है,उन्हें उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स से लेकर औद्योगिक बिजली आपूर्ति तक के अत्याधुनिक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाना.

CoolGaNTM G3 श्रृंखला मध्यम वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित है, 40V से 120V तक के वोल्टेज रेंज के साथ। यह मानकीकृत RQFN 5x6 और 3.3x3.3 पैकेज का उपयोग करता है,जो पारंपरिक सिलिकॉन आधारित MOSFET पिन के साथ संगत हैं, ग्राहकों के लिए डिजाइन माइग्रेशन की सुविधा प्रदान करता है। इन उपकरणों में बेहद कम ऑन प्रतिरोध (1.1mΩ से 2.3mΩ) और उत्कृष्ट थर्मल साइकिल स्थिरता है,उन्हें उच्च आवृत्ति स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए विशेष रूप से उपयुक्त बनानायूएसबी-सी फास्ट चार्जिंग डिजाइनों में, जी 3 श्रृंखला के गा एन ट्रांजिस्टर 95% से अधिक दक्षता प्राप्त करते हैं जबकि बिजली की आपूर्ति के आकार को 50% से अधिक कम करते हैं; मोटर ड्राइव और दूरसंचार बिजली की आपूर्ति में,उनकी उच्च आवृत्ति विशेषताएं फिल्टर घटक आकार को कम करने और नियंत्रण बैंडविड्थ को बढ़ाने में मदद करती हैं.

CoolGaNTM G5 श्रृंखला उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए Infineon का प्रमुख उत्पाद है, जो 650V तक के वोल्टेज पर काम करता है। इसमें अभिनव GIT (गेट इंजेक्शन ट्रांजिस्टर) तकनीक का उपयोग किया जाता है,पिछली पीढ़ियों की तुलना में 3% से 5% दक्षता में सुधार प्राप्त करनाG5 श्रृंखला के GaN ट्रांजिस्टर में बहुत कम स्विचिंग हानि होती है, जो सैकड़ों kHz से MHz तक के ऑपरेटिंग आवृत्तियों का समर्थन करते हैं।जबकि उत्कृष्ट डीवी/डीटी प्रतिरोध और शॉर्ट सर्किट का सामना करने की क्षमता प्रदान करता हैफोटोवोल्टिक इन्वर्टर अनुप्रयोगों में, जी5 उपकरण 99% से अधिक रूपांतरण दक्षता प्राप्त करते हैं, जिससे बिजली उत्पादन प्रणालियों के ऊर्जा उत्पादन में काफी वृद्धि होती है।सर्वर पावर सप्लाई और इलेक्ट्रिक वाहनों के ऑनबोर्ड चार्जर (ओबीसी) में, उनकी उच्च शक्ति घनत्व अधिक कॉम्पैक्ट सिस्टम डिजाइन की अनुमति देता है।