कंपनी ब्लॉग के बारे में आपूर्ति गिगाडिवाइस मेमोरी आईसी चिप्स - मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स आपूर्ति एनएंड फ्लैश मेमोरी चिप्स

आपूर्ति गिगाडिवाइस मेमोरी आईसी चिप्स - मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स आपूर्ति एनएंड फ्लैश मेमोरी चिप्स

शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेडहम दीर्घकालिक, स्थिर आपूर्ति प्रदान करते हैं GigaDevice GD5F SPI NAND, GD9F समानांतर NAND और ऑटोमोटिव ग्रेड NAND फ्लैश मेमोरी की पूरी श्रृंखला।हम तेजी से उत्पाद चयन और बड़े पैमाने पर उत्पादन के साथ ग्राहकों की सहायता.

GigaDevice NAND फ्लैश के मुख्य लाभः परिपक्व 38nm/24nm प्रक्रियाओं का उपयोग करना, ONFI प्रोटोकॉल के साथ संगत, 1.8V/3V के दोहरे वोल्टेज का समर्थन करना, व्यापक ऑपरेटिंग तापमान रेंज,अंतर्निहित ईसीसी त्रुटि सुधार, 1Gb से 16Gb तक की मुख्यधारा की क्षमताओं को कवर करते हुए, उच्च विश्वसनीयता अनुप्रयोगों के लिए AEC-Q100 के लिए प्रमाणित ऑटोमोटिव-ग्रेड वेरिएंट के साथ लागत-प्रभावशीलता और विश्वसनीयता को संतुलित करते हैं।

I. GD5F श्रृंखला (SPI NAND फ्लैश): सीरियल इंटरफ़ेस, मानक SPI/QSPI के साथ संगत; कॉम्पैक्ट आकार और कम बिजली की खपत, सीमित पीसीबी स्थान के साथ एम्बेडेड उपकरणों के लिए उपयुक्त
SPI NAND वर्तमान में एम्बेडेड स्टोरेज के लिए मुख्यधारा की पसंद है, जो NOR फ्लैश की उच्च गति पढ़ने की क्षमताओं को NAND के उच्च क्षमता वाले लाभों के साथ जोड़ती है।सरल वायरिंग और मजबूत संगतता के साथ, यह व्यापक रूप से सुरक्षा कैमरों, स्मार्ट घर उपकरणों, औद्योगिक गेटवे, पहनने योग्य उपकरणों, और अधिक में प्रयोग किया जाता है।उच्च गति और व्यापक तापमान वाले वेरिएंटनिम्नलिखित प्रमुख मॉडल विनिर्देशों का विश्लेषण हैः
1मानक GD5F SPI NAND (औद्योगिक ग्रेड/उपभोक्ता ग्रेड)
GD5F1GQ4UE 1Gb (128MB), 3V, 104MHz (SPI/QSPI), अंतर्निहित ECC, -40°C से 85°C, प्रवेश स्तर IoT, छोटे घरेलू उपकरणों और सरल नियंत्रकों के लिए उपयुक्त
GD5F2GQ4UE 2Gb (256MB), 3V, 104MHz, अंतर्निहित ECC, -40°C से 85°C, सामान्य सुरक्षा प्रणालियों, स्मार्ट स्पीकर और राउटर के लिए उपयुक्त
जीडी5एफ4जीक्यू4यूई ∙ 4जीबी (512एमबी), 3वी, 104 मेगाहर्ट्ज, अंतर्निहित ईसीसी, -40°सी से 85°सी, एचडी कैमरों, औद्योगिक टैबलेट और गेटवे के लिए उपयुक्त
जीडी5एफ8जीएम8यूई 8 जीबी (1 जीबी), 3 वी, 133 मेगाहर्ट्ज (उच्च गति वाले क्यूएसपीआई), अंतर्निहित ईसीसी, -40 डिग्री सेल्सियस से 85 डिग्री सेल्सियस, उच्च अंत सुरक्षा, औद्योगिक नियंत्रण और कार में मनोरंजन के लिए उपयुक्त

2उच्च गति GD5F SPI NAND (GD5F1GM9 श्रृंखला)
24 एनएम प्रक्रिया का उपयोग करके निर्मित, यह श्रृंखला काफी बेहतर पढ़ने की गति प्रदान करती है। 3 वी संस्करण 166 मेगाहर्ट्ज की अधिकतम घड़ी गति का समर्थन करता है और 83 एमबी / सेकंड तक की अनुक्रमिक पढ़ने की गति प्राप्त करता है।यह कैश रीड और ऑटो लोड जैसे उच्च गति मोड का समर्थन करता है, और त्रुटि सुधार विलंबता को कम करने के लिए अंतर्निहित 8-बिट ईसीसी समानांतर प्रसंस्करण की सुविधा है, जो इसे तेजी से बूट-अप और उच्च-थ्रूपुट अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाता है।
- प्रमुख मॉडल: GD5F1GM9 (1Gb), 1.8V/3V के साथ संगत, WSON8/TFBGA24 में पैक किया गया
- हाइलाइट्स: कम विलंबता, उच्च गति पढ़ने का प्रदर्शन; BOM लागत को कम करने के लिए पारंपरिक SPI NOR+NAND संयोजनों की जगह लेता है
- मिंगजियाडा उपलब्धताः स्टॉक में नमूने, बल्क ऑर्डर के लिए प्रतिस्पर्धी मूल्य

3कम वोल्टेज GD5F SPI NAND (1.8V संस्करण)
कम शक्ति वाले उपकरणों के लिए डिज़ाइन किया गया, कम बिजली की खपत और लंबी बैटरी जीवन के लिए 1.8V द्वारा संचालित। बैटरी संचालित पोर्टेबल उपकरणों, वायरलेस सेंसर, आदि के लिए उपयुक्त प्रतिनिधि मॉडलःGD5F1GQ5RE, GD5F2GQ5RE, GD5F4GQ5RE. क्षमता 1Gb से 4Gb तक होती है, -40°C से 85°C तक के व्यापक ऑपरेटिंग तापमान रेंज के साथ।

II. GD9F सीरीज (समानांतर NAND फ्लैश): समानांतर इंटरफ़ेस (ONFI प्रोटोकॉल), उच्च गति पढ़ने/लिखने, वैकल्पिक x8/x16 बस, उच्च क्षमता, उच्च गति भंडारण अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त
समानांतर एनएएनडी एक्स 8 / एक्स 16 बस इंटरफेस के साथ ओएनएफआई 1.0 प्रोटोकॉल का उपयोग करता है, जो तेजी से पढ़ने / लिखने की गति प्रदान करता है। यह उच्च क्षमता डेटा भंडारण जैसे परिदृश्यों के लिए उपयुक्त है,औद्योगिक उपकरण और दूरसंचार उपकरणक्षमता 1Gb से 8Gb तक होती है, जिसमें दोहरे वोल्टेज (3V/1.8V) और -40°C से 105°C तक के तापमान की विस्तृत सीमा का समर्थन होता है। विकल्पों में अंतर्निहित ECC या बाहरी ECC शामिल हैं।
1मानक समानांतर NAND (GD9FU/GD9FS श्रृंखला)
- GD9FU श्रृंखला (3V बिजली आपूर्ति): GD9FU1G8F2D (1Gb), GD9FU2G8F3A (2Gb), GD9FU4G8F4D (4Gb), GD9FU8G8E4D (8Gb), x8 बस, 8-बिट ECC, TSOP48/BGA63 पैकेजिंग
- GD9FS श्रृंखला (1.8V आपूर्ति): GD9FS1G8F2D (1Gb), GD9FS2G8F3A (2Gb), GD9FS4G8F4D (4Gb), कम शक्ति समानांतर स्मृति, कम वोल्टेज नियंत्रकों के साथ संगत

2एम्बेडेड ईसीसी समानांतर एनएएनडी (जीडी9एयू/जीडी9एएस श्रृंखला)
इसमें अंतर्निहित हार्डवेयर ईसीसी त्रुटि सुधार है, जो बाहरी ईसीसी चिप्स की आवश्यकता को समाप्त करता है, सर्किट डिजाइन को सरल बनाता है और विकास जटिलता को कम करता है।उच्च विश्वसनीयता और सुव्यवस्थित सर्किट की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त:
- GD9AU2G8F3A (2Gb/3V), GD9AU4G8F3A (4Gb/3V)
- GD9AS2G8F3A (2Gb/1.8V), GD9AS4G8F3A (4Gb/1.8V)

GigaDevice NAND फ्लैश उत्पादों के बारे में अधिक जानकारी के लिए या नमूनों का अनुरोध करने के लिए, कृपया मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स वेबसाइट पर जाएं (https://www.integrated-ic.com/आपूर्ति के बारे में अधिक जानकारी के लिए।