[परिचय] वैश्विक "दोहरी कार्बन" रणनीतियों की गहनता और एआई कंप्यूटिंग शक्ति की विस्फोटक वृद्धि के साथ, तीसरी पीढ़ी के अर्धचालक-सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) और गैलियम नाइट्राइड (GaN) - बिजली इलेक्ट्रॉनिक्स क्षेत्र में प्रमुख विकास चालक बन गए हैं। इन्वेंट्री टर्नओवर में तेजी लाने और आपूर्ति श्रृंखला लागत दबाव को कम करने के लिए, शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कंपनी लिमिटेड (बाद में इसे "मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स" के रूप में जाना जाता है) ने घोषणा की है कि, तुरंत प्रभावी, यह दुनिया भर के अग्रणी ब्रांडों से SiC MOSFETs, GaN HEMTs और विभिन्न ऑटोमोटिव-ग्रेड बिजली उपकरणों की बड़े पैमाने पर, उच्च-प्रीमियम नकद खरीद का संचालन करेगी।
एक कुशल इन्वेंटरी लिक्विडेशन चैनल बनाने के लिए मजबूत वित्तीय ताकत का लाभ उठाना
इलेक्ट्रॉनिक घटक आपूर्ति श्रृंखला में वर्षों की गहरी विशेषज्ञता के साथ एक पेशेवर सेवा प्रदाता के रूप में, मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स, मजबूत वित्तीय ताकत और एक ठोस व्यावसायिक प्रतिष्ठा द्वारा समर्थित, वैश्विक OEM/ODM कारखानों, अनुबंध निर्माताओं और वितरकों के लिए अतिरिक्त इन्वेंट्री मुद्दों को हल करने के लिए प्रतिबद्ध है। कंपनी उद्यमों को नकदी प्रवाह को अनुकूलित करने और हरित रीसाइक्लिंग प्राप्त करने में मदद करने के लिए "वन-स्टॉप" इन्वेंट्री क्लीयरेंस सेवाओं के साथ-साथ लचीली और सुविधाजनक लेनदेन विधियां प्रदान करती है।
मुख्य अधिग्रहण फोकस: चार प्रमुख अंतर्राष्ट्रीय ब्रांडों के विद्युत उपकरण
सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFETs और गैलियम नाइट्राइड (GaN) ट्रांजिस्टर के दो गर्म क्षेत्रों को लक्षित करते हुए, मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स सक्रिय रूप से निम्नलिखित ब्रांडों से उत्पाद खरीदने की मांग कर रहा है:
1. इन्फिनियन - इस उद्योग की दिग्गज कंपनी से पूर्ण-श्रेणी कवरेज
पावर सेमीकंडक्टर्स में एक वैश्विक नेता के रूप में, Infineon की CoolSiC™ और CoolGaN™ श्रृंखला इस अधिग्रहण का प्राथमिक फोकस हैं।
अधिग्रहण मॉडल में शामिल हैं, लेकिन इन्हीं तक सीमित नहीं हैं: CoolSiC™ 1200V/650V असतत डिवाइस और मॉड्यूल (जैसे कि IMBG120R श्रृंखला), और CoolGaN™ 600V/100V ई-मोड HEMTs।
प्रमुख MOSFETs: OptiMOS™, CoolMOS™, और स्ट्रांगIRFET™ श्रृंखला, विशेष रूप से 5वीं, 6वीं और 7वीं पीढ़ी के OptiMOS™ का उपयोग AI सर्वर के लिए 48V बिजली आपूर्ति के साथ-साथ ऑटोमोटिव-ग्रेड MOSFETs (जैसे IAUCN04S7N020) में किया जाता है।
2. नेविटास - GaN और SiC का दोहरे ट्रैक विकास
गैलियम नाइट्राइड (GaN) पावर चिप्स में अग्रणी के रूप में, नेविटास के एकीकृत समाधान फास्ट-चार्जिंग और नई ऊर्जा क्षेत्रों में महत्वपूर्ण बाजार हिस्सेदारी रखते हैं।
प्राप्त उत्पादों में शामिल हैं: GaNFast™ पावर ICs, GeneSiC™ सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFETs, और शोट्की डायोड। हम विशेष रूप से उनकी उच्च-विश्वसनीयता, उच्च तापमान-प्रतिरोधी SiC MOSFET उत्पाद लाइन में रुचि रखते हैं।
3. आरओएचएम (आरओएचएम सेमीकंडक्टर) - सीआईसी क्षेत्र में गहराई से निहित एक अग्रणी
ROHM SiC क्षेत्र में अपनी अनुसंधान एवं विकास और विनिर्माण क्षमताओं के लिए प्रसिद्ध है।
खरीदे गए मॉडल में शामिल हैं: ROHM के SiC MOSFETs, IGBTs, स्मार्ट पावर मॉड्यूल और ऑटोमोटिव-ग्रेड MOSFETs। चाहे वह ओबीसी (ऑन-बोर्ड चार्जर) के लिए कम-पर-प्रतिरोध वाले उत्पाद हों या मुख्य ड्राइव इनवर्टर के लिए उच्च-वोल्टेज मॉड्यूल हों, सभी हमारे खरीद कार्यक्रम में शामिल हैं।
4. सेमीकंडक्टर और अन्य ब्रांडों पर
ऑन सेमीकंडक्टर के पास स्मार्ट पावर क्षेत्र में भी व्यापक विशेषज्ञता है।
खरीदे गए मॉडल में शामिल हैं: VE-Trac™ श्रृंखला SiC और IGBT पावर मॉड्यूल, और NCV श्रृंखला ऑटोमोटिव-ग्रेड MOSFETs। इसके अतिरिक्त, मिंगजियाडा एसटी (एसटीमाइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स), टीआई (टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स), एनएक्सपी और रेनेसा से प्रासंगिक ऑटोमोटिव-ग्रेड चिप्स और पावर उपकरणों के लिए उच्च-मूल्य वाली बायबैक सेवाएं प्रदान करता है।
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वैश्विक पहुंच, स्विफ्ट प्रोसेसिंग: हमारी पेशेवर मूल्यांकन टीम 24/7 प्रतिक्रिया देती है, दुनिया भर में ऑन-साइट निरीक्षण का समर्थन करती है, और लचीली लेनदेन शर्तें प्रदान करती है।
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