कंपनी ब्लॉग के बारे में शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स∙ एआई सर्वर-ग्रेड पावर MOSFETs स्टॉक में

मिंगजियाडा की एआई सर्वर के लिए पावर एमओएसएफईटी की पूरी उत्पाद श्रृंखला

एआई कंप्यूटिंग शक्ति के विस्फोटक विकास के साथ, पावर एमओएसएफईटी बिजली आपूर्ति श्रृंखलाओं में "बॉटलेक घटक" बन गए हैं।

जैसे-जैसे बड़े मॉडल के प्रशिक्षण और निष्कर्ष के लिए बड़े पैमाने पर समूहों की तैनाती आदर्श बन जाती है,एआई सर्वरों में प्रति कैबिनेट बिजली की खपत पारंपरिक 10 किलोवाट सीमा से GB200 प्लेटफॉर्म पर 100 किलोवाट सीमा तक बढ़ गई है, अगली पीढ़ी के प्लेटफार्मों का लक्ष्य 600 किलोवाट से 1 मेगावाट तक है। पावर सप्लाई आर्किटेक्चर पारंपरिक 12 वी बस सिस्टम से 48 वी / 800 वी उच्च वोल्टेज डीसी आर्किटेक्चर में तेजी से संक्रमण कर रहे हैं।जैसे-जैसे शक्ति रूपांतरण चरणों की संख्या बढ़ती है और क्षणिक धाराएं दोगुनी हो जाती हैं, MOSFETs के लिए बिजली की मांग और उन पर लगाए गए प्रदर्शन आवश्यकताओं में काफी वृद्धि हो रही है।उद्योग के अनुमानों से पता चलता है कि एक एकल एआई सर्वर पारंपरिक सर्वर की तुलना में तीन से पांच गुना अधिक बिजली अर्धचालकों का उपयोग करता है, और एक एकल एआई सर्वर कैबिनेट में पावर सेमीकंडक्टरों का मूल्य 2030 तक लगभग US$15,000 से बढ़कर US$115,000 हो जाएगा।

इस पृष्ठभूमि में, इलेक्ट्रॉनिक घटकों की आपूर्ति श्रृंखला में लगभग तीन दशकों के अनुभव के साथ एक अधिकृत स्वतंत्र वितरक, शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड, leverages its dual warehousing centres in Shenzhen and Hong Kong and a supply capacity of 2 million stock-keeping units (SKUs) to provide a full range of power MOSFETs from leading international brands—including Infineon, ON सेमीकंडक्टर, STMicroelectronics, Vishay, ROHM और Renesas® AI सर्वर पावर सप्लाई डिजाइन के लिए।

मिंगजियाडा द्वारा आपूर्ति किए गए एआई सर्वर के लिए कोर पावर एमओएसएफईटी उत्पाद श्रृंखला

I. Infineon: PFC से लेकर IBC तक पूर्ण श्रृंखला कवरेज

इन्फिनियन एआई सर्वर बिजली आपूर्ति श्रृंखला के भीतर सबसे व्यापक उत्पाद पोर्टफोलियो का दावा करता है। मिंगजियाडा स्टॉक से निम्नलिखित कोर श्रृंखला की आपूर्ति करता हैः

OptiMOSTM 5/6/7 सीरीज़ (मध्यम से निम्न वोल्टेज, 25V~250V): बहु-चरण बक कन्वर्टर्स और मध्यवर्ती बस कन्वर्टर्स (IBCs) की मुख्य आवश्यकताओं को कवर करता है। इनमें से OptiMOSTM 6 80V MOSFET,एक 5×6mm2 दोतरफा गर्मी-विसारक पैकेज के साथ, अग्रणी प्रोसेसर निर्माताओं द्वारा एआई सर्वर प्लेटफार्मों के आईबीसी स्तर में एकीकृत किया गया है। नवीनतम पीढ़ी के ऑप्टिमोस 7 उत्पादों को आईबीसी अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित किया गया है,आरडीएस ((ऑन) के साथ 40V वेरिएंट के लिए 25 प्रतिशत और 80V/100V वेरिएंट के लिए 40 प्रतिशत कम पिछले पीढ़ी की तुलना मेंमिंगजियाडा में लोकप्रिय एआई सर्वर आईबीसी मॉडल जैसे कि बीएससी050एन10एनएस5 (100वी/5एमओएम) का स्टॉक है।

CoolMOSTM C7/C8 सीरीज़ (उच्च वोल्टेज, 600V950V): AI सर्वर CRPS बिजली आपूर्ति के PFC और LLC चरणों के लिए उपयुक्त है। CoolMOSTM 8 का उपयोग करता है।एक्सटी इंटरकनेक्ट तकनीक और उद्योग में अग्रणी थर्मल प्रदर्शन प्रदान करता है, यह विशेष रूप से पारंपरिक और एआई सर्वर दोनों में उच्च शक्ति घनत्व बिजली आपूर्ति डिजाइन के लिए उपयुक्त है। विशिष्ट मॉडल SPW20N60C3 (650V/20.7A) व्यापक रूप से औद्योगिक बिजली आपूर्ति और सर्वर पीएफसी सर्किट में प्रयोग किया जाता है.

CoolSiCTM 400V सीरीज (AC/DC चरणों के लिए समर्पित): दूसरी पीढ़ी की CoolSiCTM तकनीक पर आधारित Infineon® के 400V SiC MOSFET विशेष रूप से AI सर्वर के AC/DC चरणों के लिए विकसित किए गए हैं,100W/in3 से अधिक शक्ति घनत्व और 99 की पीएफसी चरण दक्षता को सक्षम करना.5 प्रतिशत

StrongIRFETTM श्रृंखला: मध्यम और निम्न वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए एक लागत प्रभावी समाधान के रूप में तैनात, 100V तक के VBRDSS के साथ, एक RDS ((on) 1.2mΩ के रूप में कम और 282A की अधिकतम आईडी के साथ,यह एआई सर्वर में सहायक बिजली आपूर्ति और लोड स्विच जैसे अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है.

II.ON सेमीकंडक्टर: पावरट्रेंच® टी10 + EliteSiCTM संयुक्त समाधान

ऑन सेमीकंडक्टर के एआई सर्वर पावर सप्लाई सॉल्यूशंस की विशेषता एक सिलिकॉन-आधारित + सिलिकॉन कार्बाइड दोहरी लाइन कॉन्फ़िगरेशन है।नवीनतम पीढ़ी के T10 पावरट्रेंच® श्रृंखला एक ढाला-गेट खाई डिजाइन का उपयोग करता, विशेष रूप से DC-DC पावर रूपांतरण चरणों में उच्च धारा अनुप्रयोगों के लिए अनुकूलित, एक कॉम्पैक्ट पैकेज के भीतर उच्च शक्ति घनत्व और असाधारण थर्मल प्रदर्शन प्रदान करता है।जब T10 श्रृंखला के साथ संयोजन में प्रयोग किया जाता है, EliteSiCTM 650V M3S MOSFET पिछली पीढ़ी की तुलना में गेट चार्ज को 50% और आउटपुट कैपेसिटिव एनर्जी को 44% कम करता है,इस प्रकार डेटा सेंटर बिजली हानि को लगभग 1% तक कम किया जा सकता हैइसके अलावा, ओएन सेमीकंडक्टर ने एम3एस एमओएसएफईटी और सीआईसी जेएफईटी समाधान का उपयोग करते हुए एक 12 किलोवाट एआई क्लाउड कंप्यूटिंग पावर मॉड्यूल लॉन्च किया है, जो पूरी इकाई के लिए 98 प्रतिशत तक की अधिकतम दक्षता प्राप्त करता है।.

मिंगजियाडा ने सेमीकंडक्टर की EliteSiC सीरीज के SiC MOSFET पर स्टॉक किया है (जो 650V से 1700V तक पूर्ण वोल्टेज रेंज को कवर करता है),साथ ही PowerTrench श्रृंखला एकल एन-चैनल पावर MOSFET जैसे NVMFS5C404NL और NVMFS5C456NL, और छोटे बैचों के नमूने और बड़ी मात्रा में ऑर्डर दोनों का समर्थन करता है।

III. विशाय: TrenchFET® Gen V कम प्रतिरोध समाधान

Vishay SiRS5700DP एक 150V TrenchFET® Gen V एन-चैनल पावर MOSFET है जिसे PowerPAK® SO-8S (QFN 6×5) पैकेज में रखा गया है, जिसमें RDS ((on) 5 तक कम है।6 mΩ और केवल 336 mΩ·nC का एक गुणवत्ता कारक (RDS(on) × Qg), RthJC 0.45°C/W तक कम, और 144 A तक की निरंतर निकासी धारा।यह उपकरण विशेष रूप से 6 kW AI सर्वर बिजली आपूर्ति प्रणालियों की दक्षता आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए डिज़ाइन किया गया है और सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन के लिए उपयुक्त हैसामान्य अनुप्रयोगों में एआई सर्वर, एज कंप्यूटिंग और सुपरकंप्यूटर शामिल हैं।मिंगजियाडा SiRS5700DP और विशाय ट्रेंचफेट पावर MOSFET की पूरी रेंज की तत्काल उपलब्धता प्रदान करता है.

IV. ROHM: विशेष रूप से एआई सर्वर में 48V हॉट-स्वैप अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किए गए MOSFET

रोहम ने एआई सर्वर में 48 वी बिजली आपूर्ति हॉट-स्वैप सर्किट के लिए 100 वी पावर MOSFETs RY7P250BM और RS7P200BM लॉन्च किए हैं।RY7P250BM VDS = 48 V पर 16 A तक की SOA सहिष्णुता और 10 ms की पल्स चौड़ाई प्राप्त करता है, और 1 एमएस पर 50 ए तक, 1.86 एमओएम के रूप में कम प्रतिरोध के साथ। यह एक व्यापक एसओए रेंज और कम प्रतिरोध के बीच एक उद्योग-अग्रणी संतुलन प्राप्त करता है,और विश्व स्तर पर प्रसिद्ध क्लाउड प्लेटफार्मों द्वारा प्रमाणित और अनुशंसित किया गया हैRS7P200BM एक कॉम्पैक्ट 5.0 मिमी × 6.0 मिमी पैकेज में उद्योग-अग्रणी व्यापक SOA रेंज प्राप्त करता है, जो उच्च घनत्व बिजली आपूर्ति डिजाइनों की मांगों को पूरा करता है।मिंगजियाडा ने लंबे समय से ROHM एन-चैनल पावर MOSFET और SiC MOSFET उत्पादों की आपूर्ति की है, जिसमें RCX450N20 (200 V/45 A) जैसे मॉडल शामिल हैं।

V. एसटीएमिक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स (एसटी): एमडीमेशTM और स्ट्रिपफेटTM सीरीज़

एसटी के पावर एमओएसएफईटी 100 वी से 1700 वी तक एक व्यापक ब्रेकडाउन वोल्टेज रेंज को कवर करते हैं,MDmeshTM उच्च वोल्टेज श्रृंखला और STripFETTM निम्न वोल्टेज श्रृंखला के माध्यम से कम गेट चार्ज और कम प्रतिरोध प्राप्त करनाएक विशिष्ट मॉडल, STW48N60M6 (600 V/48 A, 0.060 Ω), AI सर्वर और उच्च वोल्टेज DC/DC रूपांतरण के PFC चरण के लिए उपयुक्त है।650V2200V की विस्तारित वोल्टेज रेंज के साथ एसटी के उत्पादों में अल्ट्रा-उच्च तापमान क्षमता (टीजे 200°C तक) और बेहद कम स्विचिंग नुकसान हैंएआई सर्वरों में उच्च दक्षता वाले एसी/डीसी चरणों के लिए सिलिकॉन कार्बाइड विकल्प प्रदान करता है।

मिंगजियाडा का आपूर्ति आश्वासन

मूल उत्पाद और व्यापक स्टॉकः मिंगजियाडा दुनिया भर में 500 से अधिक अर्धचालक निर्माताओं के उत्पादों का वितरण करता है; सभी पावर एमओएसएफईटी मूल, कारखाने सील उत्पाद हैं,उपलब्ध कराई गई बैच ट्रेसेबिलिटी सेवाएंशेन्ज़ेन और हांगकांग में हमारे दोहरे गोदाम केंद्रों में 2 मिलियन विभिन्न भाग संख्याओं का स्टॉक है, जो आज तेजी से आदेश देने, कल भेजने की प्रतिक्रिया का समर्थन करता है।

लचीली खरीद और वैश्विक वितरण: हम छोटे बैच के नमूना खरीद (एक इकाई से शुरू) और लाखों में उत्पादन लाइन के आदेश दोनों का समर्थन करते हैं,एआई सर्वर पावर सप्लाई प्रोटोटाइपिंग से लेकर बड़े पैमाने पर उत्पादन के रैंप-अप तक पूर्ण चक्र आवश्यकताओं को पूरा करनाहांगकांग, जापान, रूस और अन्य जगहों पर अपनी शाखाओं के माध्यम से, हम तेजी से वैश्विक वितरण सुनिश्चित करने के लिए डीएचएल / यूपीएस अंतरराष्ट्रीय शिपिंग का समर्थन करते हैं।

मिंगजियाडा से संपर्क करेंः आधिकारिक वेबसाइटwww.integrated-ic.com∙ ∙ सेवा हॉटलाइन +86 13410018555 (श्री चेन) ∙ ईमेल sales@hkmjd.com