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कंपनी ब्लॉग के बारे में SAMSUNG DRAM मेमोरी K3KL3L30DM-BGCU 128Gb कम पावर डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी IC

प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
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कंपनी ब्लॉग
SAMSUNG DRAM मेमोरी K3KL3L30DM-BGCU 128Gb कम पावर डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी IC
के बारे में नवीनतम कंपनी की खबर SAMSUNG DRAM मेमोरी K3KL3L30DM-BGCU 128Gb कम पावर डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी IC

SAMSUNG DRAM मेमोरी K3KL3L30DM-BGCU 128Gb कम पावर डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी IC

 

के बारे में नवीनतम कंपनी की खबर SAMSUNG DRAM मेमोरी K3KL3L30DM-BGCU 128Gb कम पावर डायनामिक रैंडम एक्सेस मेमोरी IC  0

 

विवरण

K3KL3L30DM-BGCU मोबाइल और वाहन में लगाए गए उपकरणों के लिए 128 जीबी कम बिजली की गतिशील यादृच्छिक पहुँच मेमोरी है।

 

पिछली पीढ़ी की तुलना में 1.3 गुना तेज गति और 20% बेहतर ऊर्जा दक्षता के साथ,प्रीमियम कम पावर DRAM LPDDR5X मोबाइल से परे जा रहा है - उच्च प्रदर्शन वाले पीसी को सशक्त बनाने के लिए कम पावर DRAM बाजार में पहले से कहीं अधिक अग्रणी है, सर्वर, और सभी नए तरीकों से वाहन।

 

विनिर्देश
घनत्व:128 जीबी
संगठनःx64
गतिः8533 एमबीपीएस
वोल्टेजः1.8 / 1.05 / 0.9 / 0.5 वोल्ट
तापमानः-25 ~ 85 °C
पैकेज:496-FBGA

पब समय : 2024-06-20 10:53:11 >> समाचार सूची
सम्पर्क करने का विवरण
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

व्यक्ति से संपर्क करें: Mr. Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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