पुनर्नवीनीकरण Qorvo GaN उत्पाद:GaN आरएफ ट्रांजिस्टर,GaN स्विच,GaN पावर एम्पलीफायर,GaN फ्रंट एंड मॉड्यूल
शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेडचीन का अग्रणी इलेक्ट्रॉनिक घटक पुनर्चक्रण सेवा प्रदाता है, जो विभिन्न प्रकार के इलेक्ट्रॉनिक घटकों के लिए पेशेवर पुनर्चक्रण सेवाओं में विशेषज्ञता रखता है, ग्राहकों को कुशल, सुरक्षित,और अनुरूप इन्वेंट्री प्रबंधन समाधान.
पुनर्नवीनीकरण उत्पाद श्रेणियाँ:एकीकृत सर्किट चिप्स, 5जी चिप्स, नई ऊर्जा आईसी, आईओटी आईसी, ब्लूटूथ आईसी, वाहन-से-सब कुछ (वी2एक्स) आईसी, ऑटोमोटिव-ग्रेड आईसी, संचार आईसी, कृत्रिम बुद्धिमत्ता (एआई) आईसी आदि।अतिरिक्त, हम मेमोरी आईसी, सेंसर आईसी, माइक्रोकंट्रोलर आईसी, ट्रांससीवर आईसी, ईथरनेट आईसी, वाई-फाई चिप्स, वायरलेस संचार मॉड्यूल, कनेक्टर और अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक प्रदान करते हैं।
पुनर्नवीनीकरण का विवरणः
1इलेक्ट्रॉनिक सामग्रियों का पुनर्चक्रण, बेकार सामग्री, कारखाने की सूची, इलेक्ट्रॉनिक सूची, व्यक्तिगत सूची आदि।
2मजबूत वित्तीय शक्ति और पर्याप्त धनराशि, पुनर्चक्रण के व्यापक अनुभव के साथ, साइट पर त्वरित पुनर्चक्रण की अनुमति देता है।
3. ग्राहकों के लिए चुनने के लिए विविध इन्वेंट्री प्रबंधन समाधान प्रदान करना। हम या तो एक बार में थोक इन्वेंट्री खरीद सकते हैं या शिपमेंट बिक्री की पेशकश कर सकते हैं।
4ईमानदार, विश्वसनीय और भरोसेमंद, पेशेवर और सुविधाजनक सेवाओं और उचित रीसाइक्लिंग कीमतों के साथ।
गैलियम नाइट्राइड आरएफ ट्रांजिस्टर
Qorvo के गैलियम नाइट्राइड आरएफ ट्रांजिस्टर उन्नत सिलिकॉन कार्बाइड सब्सट्रेट GaN-on-SiC तकनीक का उपयोग करते हैं,GaN सामग्री की उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता को SiC सब्सट्रेट की उत्कृष्ट थर्मल चालकता के साथ जोड़कर, उच्च आवृत्ति, उच्च शक्ति अनुप्रयोगों में असाधारण प्रदर्शन प्रदान करते हैं। ये उपकरण आम तौर पर एल-बैंड से के-बैंड (1-40 GHz) तक आवृत्ति रेंज में काम करते हैं,सैकड़ों वाट तक पहुँचने वाली आउटपुट शक्ति और 60% से अधिक की पावर एडेड इफेक्टिविटी (PAE) के साथ, पारंपरिक सिलिकॉन आधारित एलडीएमओएस उपकरणों से काफी बेहतर है।
Qorvo के GaN आरएफ ट्रांजिस्टर में शामिल हैंः
उच्च-शक्ति वाले GaN स्विच: चरणबद्ध सरणी रडार प्रणालियों और इलेक्ट्रॉनिक युद्ध उपकरण में उपयोग किए जाते हैं, जिसमें नैनोसेकंड स्तर की स्विचिंग गति और अत्यंत उच्च शक्ति हैंडलिंग क्षमता होती है। उदाहरण के लिए,Qorvo के QPD1000 श्रृंखला GaN स्विच अभिनव solderless पैकेजिंग प्रौद्योगिकी का उपयोग, एक्स-बैंड में 100W से अधिक पीक पावर को संभालने में सक्षम, 0.5dB से कम सम्मिलन हानि और 35dB से अधिक अलगाव के साथ।
आरएफ पावर ट्रांजिस्टरः 5जी बड़े पैमाने पर एमआईएमओ बेस स्टेशनों और उपग्रह संचार ग्राउंड स्टेशनों के लिए डिज़ाइन किए गए, उच्च रैखिकता और असाधारण थर्मल स्थिरता प्रदान करते हैं।एक विशिष्ट उदाहरण Qorvo का QPA2211 GaN पावर ट्रांजिस्टर है, जो 2.6GHz पर 20W की निरंतर तरंग आउटपुट शक्ति प्रदान करता है, 16dB की शक्ति लाभ के साथ, इसे बड़े पैमाने पर सरणी अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है।
गैलियम नाइट्राइड पावर एम्पलीफायर
गैलियम नाइट्राइड पावर एम्पलीफायर कोरवो की आरएफ उत्पाद लाइन में एक मुख्य उत्पाद श्रेणी है, जिसका व्यापक रूप से 5 जी बेस स्टेशनों, माइक्रोवेव बैकहॉल, रडार और इलेक्ट्रॉनिक काउंटरमेजर सिस्टम में उपयोग किया जाता है।पारंपरिक समाधानों की तुलना में, GaN PA व्यापक बैंडविड्थ, उच्च दक्षता और अधिक कॉम्पैक्ट आकार प्रदान करते हैं, जिससे सिस्टम बिजली की खपत और परिचालन लागत में काफी कमी आती है।
Qorvo GaN पावर एम्पलीफायर प्रकारों में शामिल हैंः
ब्रॉडबैंड पावर एम्पलीफायरः इलेक्ट्रॉनिक युद्ध और बहुआयामी रडार प्रणालियों के लिए उपयुक्त कई अष्टकों को कवर करते हैं। उदाहरण के लिए,Qorvo QPA1022 GaN PA 2-18GHz रेंज में 10W संतृप्त आउटपुट पावर प्रदान करता है, 30 प्रतिशत से अधिक बिजली की दक्षता के साथ, और आसान सिस्टम एकीकरण के लिए 7x7 मिमी सतह-माउंट पैकेज का उपयोग करता है।
उच्च रैखिकता वाले पीएः 5जी एनआर मानकों के लिए अनुकूलित, सख्त एसीपीआर और ईवीएम आवश्यकताओं को पूरा करते हुए। कोरवो के क्यूपीए 4501 गाएन पीए को विशेष रूप से 3.5 गीगाहर्ट्ज बैंड के लिए डिज़ाइन किया गया है,100 मेगाहर्ट्ज की तत्काल बैंडविड्थ पर 50W की पीक पावर देने वाला त्रुटि वेक्टर परिमाण (EVM) 1 से कम.5%, जिससे यह बड़े पैमाने पर एमआईएमओ एंटीना सरणी के लिए आदर्श है।
मिलीमीटर-लहर फ्रंट-एंड मॉड्यूलः एकीकृत GaN PA, कम शोर एम्पलीफायर (LNA), और स्विच, Q-बैंड (30-50GHz) तक विस्तारित ऑपरेटिंग आवृत्तियां। उदाहरण के लिए,5G FWA (फिक्स्ड वायरलेस एक्सेस) टर्मिनलों के लिए Qorvo QPF7250 फ्रंट-एंड मॉड्यूल में एक उच्च दक्षता वाला GaN PA और एक ब्रॉडबैंड LNA शामिल है, 24-30GHz आवृत्ति बैंड का समर्थन करता है, जिसमें 27dBm तक की आउटपुट शक्ति और 3dB से कम शोर का आंकड़ा है।
GaN फ्रंट-एंड मॉड्यूल
GaN फ्रंट-एंड मॉड्यूल Qorvo द्वारा सिस्टम स्तर के एकीकरण में एक तकनीकी सफलता का प्रतिनिधित्व करते हैं, GaN पावर एम्पलीफायर, कम शोर एम्पलीफायर, स्विच, फिल्टर,और नियंत्रण सर्किट एक ही पैकेज मेंइस तरह के अत्यधिक एकीकृत समाधान 5जी स्मार्टफोन, छोटी कोशिकाओं और IoT उपकरणों में अपनाने में तेजी ला रहे हैं।
Qorvo GaN फ्रंट-एंड मॉड्यूल में शामिल हैंः
5G मिलीमीटर-तरंग FEM: 5G मिलीमीटर-तरंग बैंड जैसे n257/n258/n260 का समर्थन करता है, आमतौर पर AiP (एंटेना इन पैकेज) तकनीक का उपयोग कॉम्पैक्ट डिजाइन के लिए करता है। उदाहरण के लिए,Qorvo QPM2630 मिलीमीटर तरंग फ्रंट-एंड मॉड्यूल दो ट्रांसमिट चैनल और एक रिसीव चैनल को एकीकृत करता है, 24 से 30 गीगाहर्ट्ज तक की आवृत्तियों पर काम करता है, प्रत्येक टीएक्स चैनल 18 डीबीएम तक की आउटपुट शक्ति प्रदान करता है, जिससे यह स्मार्टफोन और सीपीई उपकरणों के लिए उपयुक्त है।
वाई-फाई 6/6ई फ्रंट-एंड मॉड्यूलः उच्च थ्रूपुट आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए GaN प्रौद्योगिकी और उन्नत फ़िल्टरिंग को जोड़ना। Qorvo QPF4526 FEM 2.4 GHz और 5 GHz पर दोहरे बैंड ऑपरेशन का समर्थन करता है,एक पीए को एकीकृत करना, एलएनए, और स्विच, 22 डीबीएम तक की आउटपुट शक्ति और एमसीएस11 दरों पर -35 डीबी से बेहतर ईवीएम के साथ, इसे उच्च अंत राउटर और एंटरप्राइज-ग्रेड एपी के लिए एक आदर्श विकल्प बनाते हैं।
रक्षा और एयरोस्पेस-ग्रेड FEM: अत्यधिक पर्यावरण विश्वसनीयता आवश्यकताओं को पूरा करता है, आमतौर पर उपग्रह संचार और सैन्य रेडियो में उपयोग किया जाता है।इन उत्पादों में आमतौर पर विशेष पैकेजिंग और स्क्रीनिंग प्रक्रियाएं लागू होती हैं।, जैसे कि Qorvo का एयरोस्पेस-ग्रेड GaN FEM, जो -55°C से +125°C के तापमान रेंज में काम करता है और बेहतर विकिरण प्रतिरोध प्रदान करता है।
गैलियम नाइट्राइड स्विचिंग डिवाइस
गैलियम नाइट्राइड स्विचिंग डिवाइस आरएफ सिग्नल रूटिंग और एंटीना ट्यूनिंग में महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं।कोरवो ने नवाचारकारी एसओआई (सिलिकॉन-ऑन-इंसुलेटर) को गाएन प्रौद्योगिकी के साथ जोड़कर उच्च प्रदर्शन स्विचिंग समाधानों की एक श्रृंखला विकसित की है.
Qorvo के GaN स्विचिंग उत्पादों में मुख्य रूप से शामिल हैंः
एंटीना स्विच मॉड्यूल (एएसएम): कई आरएफ स्विच, फिल्टर और नियंत्रण तर्क के साथ एकीकृत, मोबाइल उपकरणों के लिए एक पूर्ण आरएफ फ्रंट-एंड समाधान प्रदान करता है।Qorvo के GaN ASM उत्पादों में कम सम्मिलन हानि (<1 dB विशिष्ट) है, उच्च अलगाव (> 30 डीबी), और उत्कृष्ट रैखिकता (आईपी 3 > 60 डीबीएम), उन्हें अंतरिक्ष-प्रतिबंधित 5 जी स्मार्टफोन और आईओटी उपकरणों के लिए आदर्श बनाते हैं।
विखंडित GaN स्विच: विभिन्न विन्यासों में उपलब्ध हैं, जिनमें SPDT (एकल ध्रुव डबल-थ्रो), SP4T (एकल ध्रुव चार-थ्रो), और MPMT (मल्टी-पोल मल्टी-थ्रो) शामिल हैं,डिजाइन में अधिक लचीलापन प्रदान करनाकोरवो के GaN डिस्क्रीट स्विच DC से 6 GHz तक काम करते हैं, उन्नत pHEMT तकनीक का उपयोग करके निर्मित होते हैं, जिनमें तेज स्विचिंग गति (<50 ns), कम बिजली की खपत (<1 μA स्टैंडबाय वर्तमान),और उत्कृष्ट ईएसडी सुरक्षा (> 1 kV एचबीएम).
विविधता स्विच: बहुत कम सम्मिलन हानि और उत्कृष्ट अलगाव प्रदर्शन के साथ, ये स्विच वायरलेस सिस्टम की प्राप्त संवेदनशीलता और थ्रूपुट को काफी बढ़ाते हैं।कोरवो के गाएन विविधता स्विच का व्यापक रूप से 5जी छोटी कोशिकाओं में उपयोग किया जाता है, वाई-फाई 6/7 राउटर और ऑटोमोटिव संचार प्रणाली, जो कैरियर एग्रीगेशन और एमआईएमओ तकनीक का समर्थन करती है।
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