पुनर्नवीनीकरण Navitas SiCPAKTM SiC पावर मॉड्यूलःSiCPAKTM F श्रृंखला,SiCPAKTM G श्रृंखला
शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड,इलेक्ट्रॉनिक घटक पुनर्चक्रण उद्योग में अग्रणी खिलाड़ी, पेशेवर सेवाओं, प्रतिस्पर्धी मूल्य निर्धारण और एक सिद्धांतबद्ध दृष्टिकोण के माध्यम से व्यापक पुनर्चक्रण समाधान प्रदान करता है।
रीसाइक्लिंग के फायदे:
I. मूल्य लाभः प्रीमियम पुनर्खरीद दरें, अधिकतम मूल्य
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2विशेषज्ञता लाभः अनुभवी टीम, सटीक मूल्यांकन
तकनीकी टीम: उद्योग में 20 वर्ष से अधिक का अनुभव रखने वाली अनुभवी टीम, सभी आईसी मॉडल, पैकेजिंग, बैचों और गुणवत्ता ग्रेडिंग की पहचान करने में कुशल है।
व्यापक कवरेजः व्यापक रीसाइक्लिंग दायरा जिसमें लगभग सभी मुख्यधारा के आईसी श्रेणियां शामिल हैं, जिनमें एमसीयू, मेमोरी, एफपीजीए, एनालॉग आईसी, आरएफ आईसी और ऑटोमोटिव/औद्योगिक/एआई चिप्स शामिल हैं।
iii. दक्षता लाभः त्वरित प्रतिक्रिया, त्वरित निपटान
शीघ्र प्रतिक्रियाः प्रारंभिक मूल्यांकन और उद्धरण 1-4 घंटे के भीतर पूरा हो गया; 24 घंटे के भीतर स्थल पर निरीक्षण और लेनदेन समाप्त हो गया।
त्वरित भुगतानः निरीक्षण की पुष्टि के 48 घंटे के भीतर नकद या वायर ट्रांसफर का निपटारा किया जाता है, जिससे पूंजी की त्वरित वसूली संभव होती है।
सुव्यवस्थित प्रक्रियाः सूची प्रस्तुत करने, मूल्यांकन, निरीक्षण से लेकर भुगतान तक के कार्यप्रवाह को प्रभावी ढंग से समाप्त करना, ग्राहक के समय और श्रम लागत को कम करना।
IV. लचीलापन लाभः विविध मॉडल, अनुकूलित समाधान
लेन-देन मोडः नकदी खरीद, ऑन-साइट संग्रह, प्रेषण, एजेंसी बिक्री, परिसमापन, और अधिक का समर्थन करता है, थोक / बिखरे हुए / दीर्घकालिक सहयोग आवश्यकताओं को समायोजित करता है।
लचीली न्यूनतम मात्राएंः छोटे बैचों को स्वीकार करता है, जो आर एंड डी अधिशेष, उत्पादन अवशेष और धीमी गति से स्टॉक जैसे परिदृश्यों को कवर करता है।
विविध निपटान: बहु-मुद्रा लेनदेन का समर्थन करता है, वैश्विक ग्राहकों को समायोजित करता है।
वी. नेटवर्क लाभः वैश्विक पहुंच, सुविधाजनक सेवा
सीमा पार सेवाएंः विश्वव्यापी दरवाजे से दरवाजे तक रसद, स्थल पर निरीक्षण और परिवहन संग्रह के साथ डीएचएल/यूपीएस वैश्विक रसद प्रदान करता है, जिससे स्थानीय त्वरित प्रतिक्रिया संभव होती है।
सुरक्षा और अनुपालनः वैध लेनदेन, संरक्षित अधिकार
चैनल अनुपालनः केवल अधिकृत एजेंटों, अंतिम निर्माताओं और लाइसेंस प्राप्त वितरकों से खरीदता है, उल्लंघन/अज्ञात घटकों को अस्वीकार करता है।
सूचना की गोपनीयताः सुरक्षा सुनिश्चित करते हुए ग्राहक सूची और व्यावसायिक डेटा की सख्ती से सुरक्षा करता है।
मानकीकृत प्रक्रियाएं: औपचारिक अनुबंध पारदर्शी, वैध लेनदेन सुनिश्चित करते हैं जो दोनों पक्षों के हितों की रक्षा करते हैं।
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I. SiCPAKTM सिलिकॉन कार्बाइड पावर मॉड्यूल की मुख्य तकनीक
Navitas SiCPAKTM सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) पावर मॉड्यूल श्रृंखला पेटेंट GeneSiCTM ट्रेंच-सहायित प्लैनर (TAP) तकनीक और अभिनव इपॉक्सी इनकैप्सुलेशन प्रक्रियाओं का लाभ उठाती है।यह पारंपरिक सिलिकॉन-इनकैप्सुलेटेड सीआईसी मॉड्यूल में निहित विश्वसनीयता की सीमाओं को दूर करता है, असाधारण ऊर्जा दक्षता, उच्च तापमान स्थिरता और कठोर वातावरण में अनुकूलन क्षमता प्रदान करते हैं। ये मॉड्यूल उच्च-शक्ति बिजली इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के उन्नयन के लिए मुख्य घटक हैं.पारंपरिक सीआईसी मॉड्यूल और पारंपरिक आईजीबीटी मॉड्यूल की तुलना में, यह श्रृंखला संवाहक हानि, स्विचिंग हानि और परिचालन जीवनकाल में तीन गुना सफलता प्राप्त करती है।यह उच्च वोल्टेज पर व्यापक रूप से लागू होता है, नई ऊर्जा, औद्योगिक और परिवहन क्षेत्रों में उच्च शक्ति के परिदृश्य।भिन्न विनिर्देशों के माध्यम से मध्यम-कम से उच्च शक्ति तक आवेदन मांगों को कवर करें.
1कोर पैकेजिंग टेक्नोलॉजीः इपॉक्सी राल इन्कैप्सुलेशन के विघटनकारी फायदे
SiCPAKTM श्रृंखला उद्योग के मुख्यधारा के सिलिकॉन पॉटिंग समाधान को छोड़ देती है,पारंपरिक मॉड्यूलों में विश्वसनीयता की कठिनाइयों को मौलिक रूप से हल करने के लिए मालिकाना इपोक्सी राल पॉटिंग तकनीक को अपनानाइसके मुख्य फायदे स्पष्ट हैंः
- थर्मल साइकिल की विश्वसनीयता में काफी सुधारः थर्मल शॉक की विश्वसनीयता में 10 गुना से अधिक का सुधार, बिजली चक्र का जीवनकाल 60% से अधिक बढ़ा,डीबीसी सब्सट्रेट के थर्मल विस्तार और संकुचन के कारण क्रैकिंग समस्याओं को प्रभावी ढंग से दबाना, लंबे समय तक स्थिर मॉड्यूल संचालन सुनिश्चित करना;
- अनुकूलित थर्मल प्रबंधन: इपॉक्सी राल की थर्मल चालकता उच्च थर्मल प्रतिरोध स्थिरता के साथ सिलिकॉन से 10 गुना अधिक है,निरंतर उच्च तापमान संचालन के लिए कुशल मॉड्यूल गर्मी अपव्यय को सक्षम करना;
- अधिकतम पर्यावरण संरक्षण: उत्कृष्ट नमी प्रतिरोध और संक्षारण संरक्षण के साथ नमी और प्रदूषक प्रवेश को पूरी तरह से रोकता है,मांगी हुई औद्योगिक और बाहरी परिस्थितियों को पूरा करना;
- उत्कृष्ट विद्युत इन्सुलेशन: मॉड्यूल स्तर और चिप स्तर दोनों घटक THB (HV-H3TRB) विश्वसनीयता प्रमाणन पास करते हैं,उच्च वोल्टेज के लिए बेहतर इन्सुलेशन प्रतिरोध वोल्टेज प्रदर्शन प्रदान, उच्च शक्ति वाले टोपोलॉजीज।
2कोर चिप प्रौद्योगिकीः टीएपी आर्किटेक्चर के साथ ऊर्जा दक्षता में सफलता
GeneSiCTM चौथी पीढ़ी के TAP सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET चिप्स के साथ, यह डिजाइन वोल्टेज तनाव और अवरुद्ध प्रदर्शन को अनुकूलित करने के लिए बहु-चरण विद्युत क्षेत्र प्रबंधन को नियोजित करता है।पारंपरिक खाई-प्रकार और समतल सीआईसी चिप्स की तुलना में, यह प्रदर्शन और विश्वसनीयता के बीच संतुलन प्राप्त करता हैः
- उच्च तापमान पर संवाहक हानि में कमीः उच्च तापमान की स्थिति में संवाहक प्रतिरोध में 20% की कमी आती है,प्रभावी ढंग से प्रदर्शन में गिरावट को कम करने और 175 डिग्री सेल्सियस के जंक्शन तापमान पर निरंतर संचालन की अनुमति देता है;
- महत्वपूर्ण रूप से अनुकूलित स्विचिंग हानिः स्विचिंग हानि में 15% की कमी, तेज स्विचिंग गति, स्वच्छ तरंगों और उच्च ऑपरेटिंग आवृत्तियों के लिए समर्थन,समग्र शक्ति घनत्व में वृद्धि;
- व्यापक मजबूती में सुधारः असाधारण शॉर्ट सर्किट प्रतिरोध क्षमता, बेहतर हिमस्खलन (यूआईएस) प्रदर्शन, स्थिर गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज और उत्कृष्ट वर्तमान साझाकरण,उच्च वोल्टेज और उच्च dv/dt परिस्थितियों के लिए उपयुक्त.
II. SiCPAKTM F सीरीज सिलिकॉन कार्बाइड पावर मॉड्यूलः कॉम्पैक्ट और कुशल समाधान
SiCPAKTM F सीरीज का लक्ष्य कॉम्पैक्ट मध्यम से निम्न शक्ति वाले अनुप्रयोग हैं। इसका लघु पैकेज डिजाइन बिजली घनत्व को स्थापना लचीलापन के साथ संतुलित करता है,परिमाण और दक्षता की सख्त आवश्यकताओं की मांग करने वाले परिदृश्यों के लिए सेवायह मुख्य रूप से 1200 वी पर काम करता है, यह मुख्यधारा के हाफ-ब्रिज और फुल-ब्रिज टोपोलॉजी को कवर करता है, जिससे यह मध्यम से कम शक्ति वाले बिजली इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए एक आदर्श विकल्प बन जाता है।
1मुख्य विनिर्देश
पैकेज आयामः 33.8mm × 65mm, कॉम्पैक्ट छोटे-फॉर्म-फैक्टर डिजाइन
नामित वोल्टेजः 1200V
ऑन-रेसिस्टेंस (RDS ((ON)): 9.3mΩ, 17.0mΩ और 18.5mΩ सहित कई विनिर्देश उपलब्ध हैं
टोपोलॉजीः आधा-ब्रिज, फुल-ब्रिज
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमानः -40°C से 175°C, व्यापक तापमान सीमा में स्थिर संचालन
वैकल्पिक विन्यासः पूर्व-लागू थर्मल इंटरफ़ेस सामग्री (टीआईएम) का समर्थन करता है, जिसे प्रत्यय -T से दर्शाया गया है
2उत्पाद की विशेषताएं और मुख्य लाभ
- उच्च शक्ति घनत्व के साथ कॉम्पैक्ट आकारः कॉम्पैक्ट पैकेजिंग से पीसीबी स्थान में काफी बचत होती है, जिससे समग्र लघुकरण और वजन में कमी की सुविधा के लिए अंतरिक्ष-संकुचित डिवाइस डिजाइन को समायोजित किया जा सकता है;
- व्यापक तापमान सीमा में स्थिर आउटपुटः चरम परिस्थितियों में न्यूनतम प्रदर्शन गिरावट के साथ -40°C से 175°C तक जंक्शन तापमान कवरेज,चालू प्रतिरोध और स्विचिंग मापदंडों में उत्कृष्ट स्थिरता प्रदान करना;
- कम हानि, उच्च दक्षता: टीएपी चिप तकनीक का लाभ उठाते हुए तेजी से स्विचिंग और न्यूनतम हानि प्रदान की जाती है, जिससे थर्मल प्रबंधन की मांगों को कम करते हुए सिस्टम दक्षता में 2%-3% की वृद्धि होती है।
- आसान एकीकरण और तैनाती: उद्योग-संगत पिनआउट पारंपरिक मॉड्यूलों के पिन-टू-पिन प्रतिस्थापन को सक्षम करता है, आरएंडडी और अनुवर्ती लागत को कम करता है जबकि बाजार में समय को तेज करता है।
3लक्षित अनुप्रयोग परिदृश्य
एफ सीरीज, अपने कॉम्पैक्ट डिजाइन और उच्च दक्षता के साथ, मध्यम से निम्न शक्ति वाले उच्च वोल्टेज अनुप्रयोगों को लक्षित करती है।छोटे से मध्यम सौर इन्वर्टर, बिजली रूपांतरण प्रणाली (पीसीएस), मध्यम से निम्न शक्ति वाले औद्योगिक मोटर ड्राइव, निर्बाध बिजली आपूर्ति (यूपीएस), प्रेरण हीटिंग और वेल्डिंग उपकरण,और स्मार्ट ग्रिड वितरित उत्पादन उपकरण.
III. SiCPAKTM जी सीरीज सिलिकॉन कार्बाइड पावर मॉड्यूलः उच्च-शक्ति, उच्च विश्वसनीयता अनुप्रयोगों के लिए बेंचमार्क
उच्च शक्ति, उच्च विश्वसनीयता अनुप्रयोगों के लिए तैनात, SiCPAK TM जी श्रृंखला वर्तमान-वाहक क्षमता और थर्मल प्रदर्शन को बढ़ाने के लिए एक बड़े आकार के पैकेज डिजाइन का उपयोग करती है।उच्च शक्ति आउटपुट का समर्थन करना, यह मेगावाट वर्ग के उच्च शक्ति वाले उपकरणों के लिए उपयुक्त है। यह 1200V रेटिंग वोल्टेज पर भी केंद्रित है, जिसमें आधा-ब्रिज, पूर्ण-ब्रिज,और तीन-स्तरीय टी-प्रकार के एनपीसी विन्यास, उच्च शक्ति बिजली इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियों में एक मुख्य घटक के रूप में कार्य करता है।
1मुख्य विनिर्देश
पैकेज आयामः 56.7mm × 65mm, बड़े पैमाने पर उच्च शक्ति डिजाइन
नामित वोल्टेजः 1200V
ऑन-रेजिस्टेंस (RDS(ON)): 4.6mΩ और 9.3mΩ सहित कम प्रतिरोध वेरिएंट
टोपोलॉजीः आधा-ब्रिज, फुल-ब्रिज, तीन-स्तरीय टी-एनपीसी (3एल-टी-एनपीसी)
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमानः -40°C से 175°C, उच्च शक्ति, उच्च तापमान अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त
संरचनात्मक सुदृढीकरण: उच्च-प्रवाह क्रिम किए गए टर्मिनलों की विशेषताएं, एकल-टर्मिनल वर्तमान-वाहक क्षमता को दोगुना करना, उच्च-प्रवाह DC बसबार और बहु-समानांतर टोपोलॉजी के साथ संगत
2उत्पाद की विशेषताएं और मुख्य लाभ
- उच्च शक्ति हैंडलिंगः बड़े आकार का पैकेज + कम प्रतिरोध चिप उच्च निरंतर और पीक धाराओं का समर्थन करता है, जो 10kW से MW वर्ग की उच्च शक्ति प्रणालियों के लिए उपयुक्त है;
- बेहतर थर्मल प्रबंधन और विश्वसनीयताः बेहतर गर्मी अपव्यय के लिए AlN DBC (डायरेक्ट बॉन्ड कॉपर ऑन एल्यूमीनियम नाइट्राइड) सब्सट्रेट को शामिल करता है।प्रबलित पिन डिजाइन के साथ संयुक्त इपॉक्सी इन्कैप्सुलेशन उत्कृष्ट कंपन और झटके प्रतिरोध प्रदान करता है, औद्योगिक भारी कार्य और आउटडोर दीर्घकालिक परिचालन आवश्यकताओं को पूरा करता है।
- व्यापक टोपोलॉजी अनुकूलन क्षमताः तीन-स्तरीय टी-प्रकार के एनपीसी सहित जटिल टोपोलॉजी का समर्थन करता है, जो उच्च-शक्ति वाले पीवी इन्वर्टर, ऊर्जा भंडारण बिजली संयंत्र जैसे उच्च-अंत अनुप्रयोगों को पूरा करता है,और उच्च वोल्टेज मोटर ड्राइव;
- सिस्टम-स्तरीय लागत अनुकूलन: कम हानि की विशेषताएं चुंबकीय घटक आकार में 50% की कमी की अनुमति देती हैं,उपकरण के जीवनकाल को बढ़ाकर और परिचालन रखरखाव खर्चों को कम करते हुए समग्र सामग्री लागत को कम करना.
3लक्ष्य अनुप्रयोग परिदृश्य
अपनी उच्च शक्ति और उच्च विश्वसनीयता विशेषताओं का लाभ उठाते हुए, जी श्रृंखला मुख्य रूप से उच्च वोल्टेज, उच्च शक्ति अनुप्रयोगों को लक्षित करती है। कोर कवरेज में शामिल हैंः
- इलेक्ट्रिक वाहनों के लिए उच्च शक्ति वाले डीसी फास्ट-चार्जिंग स्टेशन
- बड़े पैमाने पर फोटोवोल्टिक इन्वर्टर
- ऊर्जा भंडारण स्टेशन परिवर्तक
- उच्च शक्ति वाले औद्योगिक मोटर ड्राइव
- रेल पारगमन कर्षण प्रणाली
- औद्योगिक उच्च शक्ति वेल्डिंग/इंडक्शन हीटिंग उपकरण
- स्मार्ट ग्रिड उच्च वोल्टेज सबस्टेशन उपकरण
व्यक्ति से संपर्क करें: Mr. Sales Manager
दूरभाष: 86-13410018555
फैक्स: 86-0755-83957753