कंपनी ब्लॉग के बारे में पुनर्नवीनीकरण MACOM GaN उत्पादःGaN MMICs,GaN पावर एम्पलीफायर

MACOM GaN उत्पाद रीसायकल करें: GaN MMICs, GaN पावर एम्पलीफायर

शेन्ज़ेन मिंगजीडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड,चीन के एक प्रमुख इलेक्ट्रॉनिक घटक रीसाइक्लिंग सेवा प्रदाता के रूप में, अपने व्यापक उद्योग अनुभव और वैश्विक रीसाइक्लिंग नेटवर्क का लाभ उठाता है ताकि पेशेवर रीसाइक्लिंग सेवाएं प्रदान की जा सकें, जिससे ग्राहकों को इन्वेंट्री संपत्तियों को अनुकूलित करने और नकदी प्रवाह में सुधार करने में मदद मिलती है।

पुनर्नवीनीकरण उत्पादों में शामिल हैं:5G चिप्स, नई ऊर्जा ICs, IoT ICs, ब्लूटूथ ICs, वाहन नेटवर्किंग ICs, ऑटोमोटिव-ग्रेड ICs, संचार ICs, आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस ICs, आदि। इसके अतिरिक्त, कंपनी मेमोरी ICs, सेंसर ICs, माइक्रो कंट्रोलर ICs, ट्रांससीवर ICs, ईथरनेट ICs, वाईफाई चिप्स, वायरलेस संचार मॉड्यूल, कनेक्टर और अन्य इलेक्ट्रॉनिक घटक प्रदान करती है।

रीसाइक्लिंग प्रक्रिया:

1. परामर्श: यदि आपके पास इन्वेंट्री इलेक्ट्रॉनिक घटक हैं जिन्हें निपटाने की आवश्यकता है, तो आप उन ICs/मॉड्यूल की सूची ईमेल द्वारा भेज सकते हैं जिन्हें आप बेचना चाहते हैं।

2. ऑन-साइट रीसाइक्लिंग: हमारी कंपनी आपके इन्वेंट्री इलेक्ट्रॉनिक घटकों को ऑन-साइट एकत्र करने और घटकों का प्रारंभिक परीक्षण और वर्गीकरण करने के लिए पेशेवर कर्मचारियों को भेजेगी।

3. उद्धरण: कंपनी पुनर्नवीनीकरण घटकों के प्रकार, मात्रा और गुणवत्ता जैसे कारकों के आधार पर एक संबंधित रीसाइक्लिंग मूल्य प्रदान करेगी।

4. निपटान: यदि दोनों पक्ष एक समझौते पर पहुँचते हैं, तो डिलीवरी के लिए विशिष्ट लेनदेन विधियों पर बातचीत की जा सकती है।

MACOM गैलियम नाइट्राइड MMIC उत्पाद

MACOM का GaN MMIC उत्पाद पोर्टफोलियो उद्योग के प्रदर्शन के अत्याधुनिक का प्रतिनिधित्व करता है। GaN-on-SiC (सिलिकॉन कार्बाइड-आधारित GaN) और GaN-on-Si (सिलिकॉन-आधारित GaN) प्रक्रिया तकनीकों को अपनाकर, MACOM फेज़्ड एरे राडार से लेकर सैटेलाइट संचार और सटीक परीक्षण और माप उपकरणों तक के अनुप्रयोगों के लिए अगली पीढ़ी के सिस्टम आर्किटेक्चर का समर्थन करता है।

MACOM के GaN MMIC उत्पादों में मुख्य रूप से निम्नलिखित श्रेणियां शामिल हैं:

GaN वितरित एम्पलीफायर

अति-वाइडबैंड प्रदर्शन: DC से 40GHz या उच्चतर आवृत्ति बैंड को कवर करना, उत्कृष्ट लाभ सपाटता (आमतौर पर ±1dB के भीतर) के साथ, इलेक्ट्रॉनिक युद्ध, ब्रॉडबैंड संचार और परीक्षण और माप जैसे अनुप्रयोगों की वाइडबैंड आवश्यकताओं को पूरा करना।

उच्च शक्ति घनत्व: GaN सामग्री की उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज विशेषताओं का लाभ उठाते हुए, यह समान चिप क्षेत्र पर पारंपरिक GaAs उपकरणों की तुलना में 3-5 गुना अधिक आउटपुट पावर प्रदान करता है, जिसमें विशिष्ट शक्ति घनत्व 4-6 W/mm तक पहुँच जाता है

उत्कृष्ट रैखिकता: OIP3 आमतौर पर 35 dBm से अधिक होता है, जो जटिल मॉड्यूलेटेड संकेतों के उच्च-निष्ठा प्रवर्धन के लिए उपयुक्त है

तापमान स्थिरता: अंतर्निहित तापमान संवेदन और क्षतिपूर्ति सर्किट -40°C से +85°C तक की विस्तृत तापमान सीमा में स्थिर प्रदर्शन सुनिश्चित करते हैं

कॉम्पैक्ट पैकेजिंग: मुख्य रूप से QFN या सिरेमिक सतह-माउंट पैकेजिंग का उपयोग करता है, जो आसान सिस्टम एकीकरण के लिए एक कॉम्पैक्ट आकार के साथ होता है

गैलियम नाइट्राइड फ्रंट-एंड मॉड्यूल

उच्च एकीकृत डिजाइन: एकल मॉड्यूल ट्रांसमिट/रिसीव फ़ंक्शन (LNA, PA, स्विच, आदि) को एकीकृत करता है, बोर्ड स्थान और इंटरकनेक्ट नुकसान को कम करता है

उत्कृष्ट बिजली दक्षता: कुल दक्षता 30-45% तक, सिस्टम बिजली की खपत और थर्मल आवश्यकताओं को कम करती है

वाइडबैंड कवरेज: UHF से Ka बैंड तक कई आवृत्ति बैंड कॉन्फ़िगरेशन का समर्थन करता है

उच्च रैखिक प्रदर्शन: अनुकूलित सर्किट डिजाइन जटिल मॉड्यूलेटेड संकेतों के तहत मॉड्यूल रैखिकता सुनिश्चित करता है, उत्कृष्ट ACLR और EVM मेट्रिक्स के साथ

सरलीकृत सिस्टम डिजाइन: अंतर्निहित मिलान नेटवर्क और पूर्वाग्रह सर्किट बाहरी घटकों की संख्या को कम करते हैं

ये उच्च-अंत GaN MMIC उत्पाद आमतौर पर 5G संचार बेस स्टेशनों (विशेष रूप से मिलीमीटर वेव बैंड में बड़े पैमाने पर MIMO सक्रिय एंटीना सिस्टम), सैन्य रडार सिस्टम (X-बैंड और Ku-बैंड फेज़्ड एरे राडार के लिए TR मॉड्यूल), सैटेलाइट संचार टर्मिनलों (पोर्टेबल और वाहन-माउंटेड डिवाइस) और महत्वपूर्ण अनुप्रयोगों में इलेक्ट्रॉनिक काउंटरमेज़र उपकरण में पाए जाते हैं।

MACOM GaN पावर एम्पलीफायर

GaN पावर एम्पलीफायर MACOM की MMIC उत्पाद लाइन में सबसे तकनीकी रूप से उन्नत और अनुप्रयोग-मूल्यवान उत्पाद श्रेणी हैं। ये उत्पाद माइक्रोवेव आवृत्ति बैंड में उच्च शक्ति आउटपुट और दक्षता प्राप्त करने के लिए GaN सामग्री की उच्च ब्रेकडाउन क्षेत्र शक्ति और उच्च इलेक्ट्रॉन संतृप्ति वेग विशेषताओं का पूरी तरह से लाभ उठाते हैं, जिसे पारंपरिक अर्धचालक सामग्री से मेल खाना मुश्किल है।

MACOM GaN पावर एम्पलीफायर के मुख्य प्रकार:

तकनीकी प्रदर्शन विशेषताएं

उच्च आउटपुट पावर: C-बैंड में सैकड़ों वाट का स्पंदित शक्ति आउटपुट और X-बैंड में दसियों वाट का निरंतर तरंग शक्ति प्राप्त करता है, जिसमें GaAs और Si LDMOS उपकरणों की तुलना में शक्ति घनत्व काफी अधिक होता है

उच्च दक्षता संचालन: हार्मोनिक ट्यूनिंग और एनवेलप ट्रैकिंग जैसी उन्नत तकनीकों का उपयोग करता है, 50-60% की शक्ति जोड़ी गई दक्षता (PAE) प्राप्त करता है, सिस्टम ऊर्जा की खपत को काफी कम करता है

वाइड बैंडविड्थ क्षमता: तात्कालिक बैंडविड्थ केंद्र आवृत्ति का 10-15% तक पहुंच सकता है, वाइडबैंड सिग्नल प्रवर्धन का समर्थन करता है और आवृत्ति बैंड स्विचिंग की आवश्यकता को कम करता है

उच्च विश्वसनीयता: विफलता के लिए औसत समय (MTTF) 1 मिलियन घंटे से अधिक है, एयरोस्पेस और रक्षा अनुप्रयोगों की सख्त आवश्यकताओं को पूरा करता है

तापमान स्थिरता: जंक्शन तापमान ऑपरेटिंग रेंज 225°C तक, उच्च तापमान पर न्यूनतम प्रदर्शन गिरावट के साथ, उच्च शक्ति घनत्व अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है

विशिष्ट अनुप्रयोग क्षेत्र

रडार सिस्टम: सैन्य आग नियंत्रण रडार, मौसम रडार और हवाई यातायात नियंत्रण रडार के लिए अंतिम-चरण शक्ति प्रवर्धन, पता लगाने की सीमा और रिज़ॉल्यूशन को बढ़ाता है

5G मैक्रो बेस स्टेशन: 3.5 GHz और 4.9 GHz बैंड में उच्च-शक्ति रिमोट रेडियो यूनिट (RRU), GaN PA बेस स्टेशन ऊर्जा की खपत और परिचालन लागत को कम करने के लिए उच्च दक्षता प्रदान करते हैं

सैटेलाइट संचार: ग्राउंड स्टेशनों के लिए उच्च-शक्ति एम्पलीफायर (HPA), Q/V बैंड में उच्च-थ्रूपुट सैटेलाइट संचार का समर्थन करते हैं

इलेक्ट्रॉनिक युद्ध प्रणाली: उच्च-शक्ति जैमिंग ट्रांसमीटर के लिए मुख्य घटक, दुश्मन संचार और रडार सिस्टम के प्रभावी दमन को सक्षम करते हैं

औद्योगिक ताप: माइक्रोवेव ऊर्जा अनुप्रयोगों के लिए बिजली स्रोत, सामग्री प्रसंस्करण और खाद्य प्रसंस्करण उद्योगों में उपयोग किया जाता है, अन्य के बीच