चालूNXH020P120MNF1PGसिलिकॉन कार्बाइड MOSFET हाफ ब्रिज मॉड्यूल
उत्पाद का विवरणNXH020P120MNF1PG
NXH020P120MNF1PGएक SiC MOSFET मॉड्यूल है जिसमें एक 20 mohm 1200V SiC MOSFET हाफ ब्रिज और एक F1 मॉड्यूल में एक NTC थर्मिस्टोर है।
विनिर्देशNXH020P120MNF1PG
प्रौद्योगिकीः SiC
माउंटिंग शैलीः फिट दबाएँ
पैकेज/केस: मॉड्यूल
ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता: एन-चैनल
वीडीएस - ड्रेन स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेजः 1.2 केवी
आईडी - निरंतर निकासी करंटः 51 ए
आरडीएस ऑन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोधः 30 एमओएमएस
वीजीएस - गेट-स्रोत वोल्टेजः - 15 वी, + 25 वी
Vgs th - गेट-स्रोत सीमा वोल्टेजः 1.8 वी
न्यूनतम संचालन तापमानः - 40 C
अधिकतम संचालन तापमानः + 150 C
पीडी - शक्ति विसर्जन: 211 W
गिरावट का समय: 8.4 ns
उठने का समय: 8.8 ns
सामान्य विलंब समय: 8.4 ns
सामान्य बंद होने का समयः 105 ns
सामान्य चालू होने का विलंब समयः 44 एनएस
की विशेषताNXH020P120MNF1PG
20 m/1200 V SiC MOSFET आधा पुल
थर्मिस्टोर
पूर्व-लागू थर्मल इंटरफेस सामग्री (टीआईएम) और बिना पूर्व-लागू टीआईएम के विकल्प
प्रेस-फिट पिन
का अंतिम उत्पादNXH020P120MNF1PG
इलेक्ट्रिक वाहन चार्जर
ऊर्जा भंडारण प्रणाली
सौर इन्वर्टर 3-चरण
निर्बाध विद्युत आपूर्ति
आवेदनNXH020P120MNF1PG
सौर इन्वर्टर
निर्बाध विद्युत आपूर्ति
इलेक्ट्रिक वाहनों के चार्जिंग स्टेशन
औद्योगिक शक्ति
की योजनाबद्ध आरेखNXH020P120MNF1PG
व्यक्ति से संपर्क करें: Mr. Sales Manager
दूरभाष: 86-13410018555
फैक्स: 86-0755-83957753
