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कंपनी ब्लॉग के बारे में मिन्गजियाडा सप्लाई इन्फिनिऑन एफ-रैम फेरोइलेक्ट्रिक रैम, सप्लाई सीरियल एफ-रैम मेमोरी, पैरेलल एफ-रैम मेमोरी

प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
ग्राहक समीक्षा
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कंपनी ब्लॉग
मिन्गजियाडा सप्लाई इन्फिनिऑन एफ-रैम फेरोइलेक्ट्रिक रैम, सप्लाई सीरियल एफ-रैम मेमोरी, पैरेलल एफ-रैम मेमोरी

मिंजियाडा सप्लाई इन्फिनियन एफ-रैम फेरोइलेक्ट्रिक रैम, सप्लाई सीरियल एफ-रैम मेमोरी, पैरेलल एफ-रैम मेमोरी

 

शेन्ज़ेन मिंजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड। इन्फिनियन मेमोरी उत्पादों की पूरी श्रृंखला के एक लंबे समय से आपूर्तिकर्ता, जिसमें सीरियल फेरोइलेक्ट्रिक रैम (एफ-रैम) और पैरेलल फेरोइलेक्ट्रिक रैम (एफ-रैम) शामिल हैं। ये डिवाइस रैम की उच्च-गति रीड/राइट क्षमताओं को रोम की गैर-वाष्पशीलता के साथ जोड़ते हैं; उनके मुख्य फायदे उच्च-गति लेखन, अल्ट्रा-लो पावर खपत और लगभग असीमित रीड/राइट सहनशक्ति में निहित हैं। मिंजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स मुख्यधारा के मॉडलों का स्टॉक रखता है और छोटे-बैच नमूनों और बड़े-वॉल्यूम ऑर्डर दोनों का समर्थन करता है; एक कुशल लॉजिस्टिक्स प्रणाली द्वारा समर्थित, हम तेजी से उत्पाद वितरण सुनिश्चित करते हैं।

 

एफ-रैम (फेरोइलेक्ट्रिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी या FeRAM)एक स्टैंडअलोन नॉन-वोलेटाइल मेमोरी है जो बिजली की विफलता की स्थिति में महत्वपूर्ण डेटा को तुरंत कैप्चर और बनाए रखती है। यह मिशन-क्रिटिकल डेटा लॉगिंग अनुप्रयोगों के लिए आदर्श रूप से अनुकूल है, जैसे कि उच्च-प्रदर्शन प्रोग्रामेबल लॉजिक कंट्रोलर (पीएलसी) जिन्हें उच्च विश्वसनीयता, नियंत्रण और थ्रूपुट की आवश्यकता होती है, या रोगी निगरानी उपकरण जो जीवन की गुणवत्ता में सुधार के लिए डिज़ाइन किए गए हैं।

 

मिंजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स निम्नलिखित इन्फिनियन सीरियल एफ-रैम फेरोइलेक्ट्रिक मेमोरी डिवाइस की आपूर्ति करता है:
एफएम25वी02ए-जी: 256-किलोबाइट (32K × 8) सीरियल फेरोइलेक्ट्रिक रैम (एफ-रैम) 40 मेगाहर्ट्ज तक चलने वाले एसपीआई इंटरफ़ेस के साथ।

 

एफएम25वी05-जी: 512-किलोबाइट (64K × 8) सीरियल एफ-रैम अत्यधिक टिकाऊ नॉन-वोलेटाइल स्टोरेज के साथ, 2.0 वी से 3.6 वी पर संचालित, -40 डिग्री सेल्सियस से +85 डिग्री सेल्सियस के तापमान रेंज के साथ, 40 मेगाहर्ट्ज तक की एसपीआई बस दर, और मोड 0 और 3 के लिए समर्थन।

 

एफएम25वी10-जी: 1-मेगाबिट (128K × 8) सीरियल एफ-रैम मेमोरी एसपीआई इंटरफ़ेस के साथ, 2.0 वी से 3.6 वी पर संचालित, 40 मेगाहर्ट्ज तक की एसपीआई क्लॉक दर का समर्थन करता है, जिसमें तत्काल डेटा स्टोरेज के लिए नोडिले™ राइट है।

 

एफएम25वी20ए-डीजी: 2-मेगाबिट (256K × 8) सीरियल एफ-रैम मेमोरी, उन्नत फेरोइलेक्ट्रिक तकनीक का उपयोग करते हुए, 2.0 वी से 3.6 वी के ऑपरेटिंग वोल्टेज और -40 डिग्री सेल्सियस से +85 डिग्री सेल्सियस के तापमान रेंज के साथ। 40 मेगाहर्ट्ज की अधिकतम गति और नोडिले™ बस-स्पीड राइटिंग के साथ एक एसपीआई इंटरफ़ेस का समर्थन करता है।

 

एफएम25वी20ए-डीजीक्यू: 2-मेगाबिट (256K × 8) सीरियल एफ-रैम मेमोरी विस्तारित तापमान क्षमता के साथ, 2.0 वी से 3.6 वी पर संचालित, नोडिले™ हाई-स्पीड राइट क्षमता और 33 मेगाहर्ट्ज तक की एसपीआई दर (मोड 0/3) की विशेषता है, जो औद्योगिक और चिकित्सा क्षेत्रों में लगातार, उच्च-गति नॉन-वोलेटाइल स्टोरेज अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।

 

एफएम25वी20ए-जी: 2-मेगाबिट (256 K × 8) सीरियल एफ-रैम मेमोरी, 2.0 वी से 3.6 वी पर संचालित, -40 डिग्री सेल्सियस से +85 डिग्री सेल्सियस के तापमान रेंज के साथ; तेज, विलंब-मुक्त लेखन के लिए अधिकतम 40 मेगाहर्ट्ज एसपीआई इंटरफ़ेस की सुविधा है, जो औद्योगिक नियंत्रण और डेटा अधिग्रहण जैसे लगातार या तेजी से लेखन की आवश्यकता वाले अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।

 

एफएम1808बी-एसजी: 256 किलोबिट (32 K × 8) पैरेलल फेरोइलेक्ट्रिक रैम (एफ-रैम) 28-पिन एसओआईसी पैकेज में, एसआरएएम और ईईपीआरओएम के साथ संगत। ऑपरेटिंग वोल्टेज: 4.5 वी से 5.5 वी; तापमान रेंज: -40 डिग्री सेल्सियस से +85 डिग्री सेल्सियस।

 

एफएम18डब्ल्यू08-एसजी: 256 किलोबिट (32 K × 8) बाइट-वाइड फेरोइलेक्ट्रिक रैंडम-एक्सेस मेमोरी (एफ-रैम), 2.7 वी से 5.5 वी पर और -40 डिग्री सेल्सियस से +85 डिग्री सेल्सियस के तापमान रेंज के भीतर संचालित, उच्च-आवृत्ति लेखन और उच्च-विश्वसनीयता अनुप्रयोगों जैसे औद्योगिक, इंस्ट्रूमेंटेशन और डेटा लॉगिंग के लिए उपयुक्त है।

 

इन्फिनियन के एफ-रैम मेमोरी समाधानों में कई तरह की विशेषताएं हैं, जिनमें शामिल हैं:
नोडिले™ राइट किसी भी सेटअप समय के बिना बस गति पर मेमोरी सेल में डेटा लिखता है
फेरोइलेक्ट्रिक मेमोरी उत्पाद अत्यंत टिकाऊ होते हैं, जिनमें 100 ट्रिलियन से अधिक राइट साइकिल होते हैं, जो उन्हें फ्लोटिंग-गेट मेमोरी से अधिक टिकाऊ बनाते हैं।
अल्ट्रा-लो पावर खपत, ईईपीआरओएम की तुलना में 200 गुना कम और नॉर फ्लैश की तुलना में 3,000 गुना कम ऊर्जा का उपयोग करता है।
विकिरण-प्रतिरोधी, विकिरण-प्रेरित सॉफ्ट त्रुटियों से अप्रभावित जो बिट फ्लिप का कारण बनती हैं।

 

[इन्फिनियन] एफ-रैम फेरोइलेक्ट्रिक मेमोरी उत्पादों पर अधिक जानकारी के लिए या नमूना कीमतों के बारे में पूछताछ करने के लिए, कृपया अधिक आपूर्ति विवरण के लिए मिंजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स वेबसाइट (https://www.integrated-ic.com/) पर जाएं।

पब समय : 2026-09-11 10:20:19 >> समाचार सूची
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ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

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दूरभाष: 86-13410018555

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