कंपनी ब्लॉग के बारे में मिंजीयाडा इन्फिनिऑन GaN HEMT (गैलियम नाइट्राइड) ट्रांजिस्टर की पूरी श्रृंखला प्रदान करता है - कूलGaN मॉडल - स्टॉक में

शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड।इन्फिनॉन GaN HEMT ट्रांजिस्टर का एक पेशेवर स्टॉक आपूर्तिकर्ता है, जो स्टॉक में ब्रांड-न्यू, वास्तविक इन्फिनॉन CoolGaN™ श्रृंखला GaN HEMT ट्रांजिस्टर पेश करता है। हमारी उत्पाद श्रृंखला 40V से 850V तक पूर्ण वोल्टेज रेंज को कवर करती है, जिसमें G3 मध्यम-वोल्टेज श्रृंखला, G5 उच्च-वोल्टेज श्रृंखला, द्विदिश स्विच (BDS), और ऑटोमोटिव-ग्रेड डिवाइस शामिल हैं, जो फास्ट चार्जिंग, डेटा सेंटर, फोटोवोल्टिक इनवर्टर, नई ऊर्जा वाहन और औद्योगिक बिजली आपूर्ति में ग्राहकों के लिए वन-स्टॉप GaN पावर डिवाइस खरीद सहायता प्रदान करते हैं।

I. मिंगजियाडा द्वारा आपूर्ति की जाने वाली मुख्य इन्फिनॉन GaN HEMT उत्पाद श्रृंखला

इन्फिनॉन’s CoolGaN™ उद्योग में कुछ GaN HEMT उत्पाद पोर्टफोलियो में से एक है जो मध्यम/निम्न-वोल्टेज और उच्च-वोल्टेज दोनों अनुप्रयोगों को कवर करता है, साथ ही ऑटोमोटिव-ग्रेड विकल्प भी प्रदान करता है। मिंगजियाडा निम्नलिखित श्रृंखलाओं का स्टॉक रखता है और छोटे बैच के नमूना अनुरोधों और बड़े पैमाने पर उत्पादन वितरण दोनों का समर्थन करता है।

1. CoolGaN™ G5 उच्च-वोल्टेज श्रृंखला (650V/700V)

गेट इंजेक्शन ट्रांजिस्टर (GIT) तकनीक पर आधारित, G5 श्रृंखला औद्योगिक और नई ऊर्जा क्षेत्रों में उच्च-वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन की गई है। यह पारंपरिक सिलिकॉन-आधारित समाधानों पर 3%–5% दक्षता सुधार प्रदान करता है और MHz स्तर पर उच्च-आवृत्ति स्विचिंग का समर्थन करता है। इन्फिनॉन के आधिकारिक आंकड़ों के अनुसार, 650V G5 उत्पादों में 25 mΩ से 140 mΩ तक ऑन-रेसिस्टेंस और 70 A तक अधिकतम निरंतर ड्रेन करंट की सुविधा है। पैकेज विकल्पों में TOLL, TOLT, DSO TSC, DFN 8×8, और ThinPAK 5×6 शामिल हैं।

मिंगजियाडा स्टॉक में निम्नलिखित प्रतिनिधि G5 मॉडल रखता है:

मॉडल पैकेज मुख्य पैरामीटर

IGT65R025D2 TOLL 650V / 70A / 25mΩ

IGT65R035D2 TOLL 650V / 49A / 35mΩ

IGT65R045D2 TOLL 650V / 38A / 45mΩ

IGT65R140D2 TOLL 650V / 13A / 140mΩ

IGLD65R055D2 DFN 8×8 650V / 28A / 55mΩ

2. CoolGaN™ 600V औद्योगिक-ग्रेड श्रृंखला (ई-मोड HEMT)

600V ई-मोड GaN HEMT डेटा सेंटर बिजली आपूर्ति, सर्वर SMPS, दूरसंचार रेक्टिफायर और वायरलेस चार्जिंग अनुप्रयोगों के लिए मिंगजियाडा की उच्च-मात्रा उत्पाद लाइन है। इस श्रृंखला में एक उन्नत (सामान्य रूप से बंद) संरचना है जिसमें कोई रिवर्स रिकवरी चार्ज नहीं है, 9 ns जितना कम राइज़ टाइम, 13 ns का फॉल टाइम, और -55°C से +150°C तक ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज है।

600V श्रृंखला में मिंगजियाडा के प्रतिनिधि मॉडल में शामिल हैं:

IGO60R070D1: 600V / 31A / 70mΩ, DSO-20 पैकेज, टोटेम-पोल PFC और उच्च-आवृत्ति LLC जैसे हार्ड-स्विचिंग और सॉफ्ट-स्विचिंग हाफ-ब्रिज टोपोलॉजी के लिए उपयुक्त।

IGOT60R070D1: टॉप-कूल्ड DSO-20 पैकेज, उच्च-शक्ति-घनत्व थर्मल प्रबंधन डिजाइनों के लिए उपयुक्त।

IGLD60R070D1: LSON-8 पैकेज, कॉम्पैक्ट एडेप्टर और फास्ट चार्जिंग के लिए डिज़ाइन किया गया।

IGT60R190D1: HSOF-8 पैकेज, 190 mΩ रेटिंग, मध्यम-शक्ति औद्योगिक बिजली आपूर्ति के लिए उपयुक्त।

IGLR60R340D1: 340 mΩ रेटिंग, लागत-संवेदनशील सहायक बिजली आपूर्ति और निम्न-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त।

IGLR60R260D1: 600V ई-मोड GaN HEMT, उच्च-आवृत्ति, उच्च-दक्षता रूपांतरण के लिए डिज़ाइन किया गया।

IGI60F1414A1L: 600V CoolGaN™ स्मार्ट पावर स्टेज एकीकृत गेट ड्राइवर के साथ, 140 mΩ, QFN-28 8×8 मिमी पैकेज, सिस्टम डिजाइन और सुरक्षा सर्किट को सरल बनाता है।

3. CoolGaN™ G3 मध्य-वोल्टेज श्रृंखला (40V–120V)

G3 श्रृंखला को 48V ऑटोमोटिव सिस्टम, USB-C फास्ट चार्जिंग, मोटर ड्राइव और दूरसंचार बिजली आपूर्ति जैसे मध्य- से निम्न-वोल्टेज अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसमें RQFN 5×6 / 3.3×3.3 पैकेज है जो सिलिकॉन-आधारित MOSFET लेआउट के साथ संगत है, जिसमें 1.1 mΩ से 2.3 mΩ तक का ऑन-रेसिस्टेंस है। 40V द्विदिश स्विच (BDS) मॉडल पारंपरिक बैक-टू-बैक MOSFETs को बदल सकते हैं, जिससे PCB क्षेत्र में 50%–75% की बचत होती है।

प्रतिनिधि मॉडल: IGO60R070D1 (निम्न-से-मध्यम-वोल्टेज द्विदिश स्विच अनुप्रयोगों के लिए भी सूचीबद्ध); विशिष्ट 40V/100V G3 मॉडल की पूर्ण चयन तालिका के लिए, कृपया मिंगजियाडा बिक्री टीम से संपर्क करें।

4. CoolGaN™ द्विदिश स्विच (BDS) — सिंगल-चिप द्विदिश चालन/अवरोधन

इन्फिनॉन’s CoolGaN™ BDS उद्योग का पहला सिंगल-चिप, एकीकृत एन्हांसमेंट-मोड द्विदिश GaN डिवाइस है। यह पारंपरिक "फोर-डिवाइस पैरेलल" द्विदिश स्विच आर्किटेक्चर को एक ही डिवाइस से बदल देता है, जिससे बिल ऑफ मैटेरियल्स और पीसीबी फुटप्रिंट काफी कम हो जाता है।

मिंगजियाडा द्वारा आपूर्ति किए जाने वाले प्रतिनिधि मॉडल:

IGLT65R055B2: 650V उच्च-वोल्टेज औद्योगिक-ग्रेड BDS एक TOLT (टॉप-आउट-थ्रू) पैकेज में, जिसमें 850V सर्ज प्रतिरक्षा है; द्विदिश चार्जिंग स्टेशन, ऊर्जा भंडारण PCS, सॉलिड-स्टेट सर्किट ब्रेकर और द्विदिश डीसी-डीसी कन्वर्टर्स के लिए उपयुक्त।

IGK080B041S: 40V निम्न-वोल्टेज सामान्य-उद्देश्य BDS एक चिप-स्केल पैकेज में, ऑटोमोटिव और उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स में लघु द्विदिश स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया।

5. CoolGaN™ ऑटोमोटिव-ग्रेड श्रृंखला (100V/600V, AEC-Q101)

इन्फिनॉन ने ऑटोमोटिव 48V सिस्टम और ऑन-बोर्ड चार्जिंग के लिए AEC-Q101-प्रमाणित GaN HEMTs पेश किए हैं। मिंगजियाडा 100V ऑटोमोटिव-ग्रेड श्रृंखला प्रदान करता है, जो ज़ोन कंट्रोलर, मुख्य डीसी-डीसी कन्वर्टर्स, उच्च-प्रदर्शन सहायक सिस्टम और क्लास डी ऑडियो एम्पलीफायरों के लिए उपयुक्त है; यह 600V ई-मोड GaN HEMTs की भी आपूर्ति करता है जो ऑटोमोटिव मानकों (जैसे IGOT60R070D1AU, IGO60R070D1AU, आदि) को पूरा करते हैं।

II. इन्फिनॉन GaN HEMTs की खरीद के लिए मिंगजियाडा को क्यों चुनें

निर्माता से सीधे, ब्रांड-न्यू और वास्तविक। मिंगजियाडा में सभी इन्फिनॉन CoolGaN™ उत्पाद सीधे निर्माता या अधिकृत चैनलों से आते हैं, जो कोई नवीनीकृत या ढीले नए पुर्जे नहीं होने की गारंटी देते हैं। प्रत्येक चिप बिजली उपकरणों की दीर्घकालिक विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए गुणवत्ता निरीक्षण से गुजरती है।

स्टॉक में पूर्ण उत्पाद लाइन, तेज डिलीवरी के साथ। शेन्ज़ेन और हांगकांग में दो गोदामों में समन्वित संचालन लोकप्रिय CoolGaN™ मॉडल के लिए रणनीतिक सुरक्षा स्टॉक बनाए रखते हैं। घरेलू शिपमेंट 48 घंटों के भीतर भेज दिए जाते हैं, जो आर एंड डी नमूनों और बड़े पैमाने पर उत्पादन आदेशों के बीच लचीले स्विचिंग का समर्थन करते हैं, जो ग्राहकों के समय-बाजार को काफी कम कर देता है।

मात्रा खरीद से प्रेरित मूल्य प्रतिस्पर्धा। इन्फिनॉन के साथ हमारी गहरी साझेदारी और थोक खरीद के लाभों का लाभ उठाते हुए, मिंगजियाडा GaN समाधान कार्यान्वयन चरण के दौरान ग्राहकों को BOM लागत को नियंत्रित करने में मदद करने के लिए tiered मूल्य निर्धारण और दीर्घकालिक मूल्य लॉक-इन सेवाएं प्रदान करता है।

III. विशिष्ट अनुप्रयोग परिदृश्य

इन्फिनॉन’s CoolGaN™ GaN HEMTs को पहले से ही मिंगजियाडा के ग्राहक आधार द्वारा निम्नलिखित मुख्य परिदृश्यों में अपनाया गया है:

फास्ट चार्जिंग और एडेप्टर: 600V ई-मोड और G3 मध्यम-वोल्टेज डिवाइस उच्च-आवृत्ति QR फ्लाईबैक, टोटेम-पोल PFC और USB-C PD बिजली आपूर्ति में उपयोग किए जाते हैं, जो कॉम्पैक्ट, उच्च-शक्ति-घनत्व डिजाइनों को सक्षम करते हैं।

डेटा सेंटर और सर्वर बिजली आपूर्ति: 650V G5 श्रृंखला टाइटेनियम-रेटेड सर्वर SMPS और उच्च-वोल्टेज डीसी पावर वितरण में उपयोग की जाती है, जिसमें सिलिकॉन-आधारित सुपर-जंक्शन MOSFETs की तुलना में स्विचिंग लॉस काफी कम होता है।

पीवी इनवर्टर और ऊर्जा भंडारण: G5 650V डिवाइस स्ट्रिंग इनवर्टर और ऊर्जा भंडारण PCS के डीसी-एसी चरण में उपयोग किए जाते हैं, जिससे दक्षता 98% से अधिक हो जाती है।

नई ऊर्जा वाहन: 100V/600V ऑटोमोटिव-ग्रेड GaN OBCs, डीसी-डीसी कन्वर्टर्स और 48V ज़ोन कंट्रोलर में उपयोग किया जाता है, जो AEC-Q101 विश्वसनीयता आवश्यकताओं को पूरा करता है।

औद्योगिक मोटर ड्राइव और सॉलिड-स्टेट सर्किट ब्रेकर: BDS द्विदिश स्विच मोटर फॉरवर्ड/रिवर्स कंट्रोल, सॉलिड-स्टेट रिले और द्विदिश पावर कन्वर्जन के लिए उपयोग किए जाते हैं, जो सिंगल-चिप आर्किटेक्चर के साथ टोपोलॉजी को सरल बनाते हैं।

IV. GaN HEMT चयन और उद्धरण के लिए मिंगजियाडा से संपर्क करें

उपरोक्त मॉडलों के लिए वर्तमान स्टॉक उपलब्धता की जांच करने, एक पूर्ण चयन तालिका प्राप्त करने, या मुफ्त नमूने का अनुरोध करने के लिए, कृपया मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स से संपर्क करें:

संपर्क: श्री चेन

फोन / वीचैट: +86 0755-83294757 / 13410018555

ईमेल: sales@hkmjd.com

पता: कमरे 1239–1241, न्यू एशिया गुओली बिल्डिंग, झेनझोंग रोड, फुतियन जिला, शेन्ज़ेन, गुआंग्डोंग प्रांत

मिंगजियाडा इन्फिनॉन’s GaN-विशिष्ट गेट ड्राइवर्स (जैसे GaN EiceDRIVER™ श्रृंखला) और SiC MOSFETs की भी आपूर्ति करता है, जो GaN+SiC हाइब्रिड समाधानों के लिए वन-स्टॉप ऑर्डरिंग का समर्थन करता है।