कंपनी ब्लॉग के बारे में मिन्गजियाडा इन्फिनिऑन IMZC120R007 सिलिकॉन कार्बाइड MOSFETs की बड़ी आपूर्ति: 1200V/7mΩ, TO-247-4 पैकेज, शेन्ज़ेन में स्टॉक आपूर्ति

शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड (मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स), इलेक्ट्रॉनिक घटकों के एक पेशेवर वितरक के रूप में, लंबे समय से असली इन्फिनिओन कूलएसआईC™ श्रृंखला सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFETs की आपूर्ति कर रहा है। इनमें से, IMZC120R007 (पूर्ण मॉडल संख्या: IMZC120R007M2H) इन्फिनिओन की दूसरी पीढ़ी के कूलएसआईC™ तकनीक प्लेटफॉर्म के प्रमुख उत्पादों में से एक है। मिंगजियाडा शेन्ज़ेन में लगातार स्टॉक बनाए रखता है, छोटे बैच के नमूनों और बड़े पैमाने पर उत्पादन दोनों के लिए तेजी से डिलीवरी का समर्थन करता है, ग्राहकों को कुशल और विश्वसनीय पावर सेमीकंडक्टर समाधान प्रदान करता है।

I. उत्पाद अवलोकन

यह IMZC120R007 इन्फिनिओन टेक्नोलॉजीज द्वारा लॉन्च किया गया 1200V सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) पावर MOSFET है, जो कूलएसआईC™ G2 (दूसरी पीढ़ी) श्रृंखला से संबंधित है। उन्नत ट्रेंच गेट तकनीक का उपयोग करके और SiC क्षेत्र में इन्फिनिओन की व्यापक विशेषज्ञता का लाभ उठाकर, यह उपकरण अत्यंत कम ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(on)) और अल्ट्रा-हाई स्विचिंग स्पीड प्राप्त करता है, साथ ही उत्कृष्ट उच्च-तापमान स्थिरता और विश्वसनीयता भी प्रदान करता है।

यह मॉडल TO-247-4 पिन पैकेज (चार-पिन केल्विन सोर्स) का उपयोग करता है, जो पारंपरिक तीन-पिन पैकेजों की तुलना में ड्राइव सर्किट में सामान्य-स्रोत इंडक्शन को काफी कम करता है, स्विचिंग प्रदर्शन में काफी सुधार करता है, और स्विचिंग हानियों को कम करता है, जिससे यह उच्च-आवृत्ति, उच्च-दक्षता वाले पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों के लिए विशेष रूप से उपयुक्त है। अपने वैश्विक खरीद नेटवर्क और शेन्ज़ेन वितरण केंद्र का लाभ उठाते हुए, मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स विभिन्न औद्योगिक और ऑटोमोटिव-ग्रेड अनुप्रयोगों की जरूरतों को पूरा करने के लिए स्टॉक में असली IMZC120R007 उपकरणों की उपलब्धता सुनिश्चित करता है।

II. मुख्य विशेषताएं और लाभ

अत्यंत कम ऑन-रेसिस्टेंस: 7 mΩ (RDS(on)) का विशिष्ट मान, अधिकतम 9 mΩ (25°C पर) के साथ, चालन हानियों को काफी कम करता है और सिस्टम दक्षता में सुधार करता है

उच्च ब्लॉकिंग वोल्टेज: 1200 V VDS, उच्च-वोल्टेज बसबार आवश्यकताओं को पूरा करता है और 800 V इलेक्ट्रिक वाहनों और फोटोवोल्टिक सिस्टम के लिए उपयुक्त है

कम स्विचिंग हानियाँ: SiC सामग्री की उत्कृष्ट उच्च-आवृत्ति विशेषताओं के कारण, स्विचिंग हानियाँ समान विनिर्देशों वाले सिलिकॉन-आधारित IGBTs की तुलना में बहुत कम होती हैं, जिससे उच्च स्विचिंग आवृत्तियों (कई सौ kHz तक) को सक्षम किया जा सकता है और निष्क्रिय घटकों के आकार को कम किया जा सकता है

व्यापक ऑपरेटिंग तापमान रेंज: जंक्शन तापमान 175°C तक, कठोर वातावरण में दीर्घकालिक विश्वसनीयता आवश्यकताओं को पूरा करता है

TO-247-4 पैकेज: केल्विन सोर्स पिन ड्राइव सर्किट में सामान्य-स्रोत इंडक्शन को समाप्त करता है, जिससे तेज स्विचिंग संक्रमण और कम रिंगिंग सक्षम होती है, जिससे गेट ड्राइव विश्वसनीयता में सुधार होता है

एकीकृत बॉडी डायोड: कम रिवर्स रिकवरी चार्ज (Qrr) की सुविधा देता है, जिससे बाहरी फ्रीव्हीलिंग डायोड की आवश्यकता के बिना लॉसलेस रिवर्स कंडक्शन सक्षम होता है (सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन टोपोलॉजी के लिए उपयुक्त)

उच्च हिमस्खलन प्रतिरोध: मजबूत हिमस्खलन प्रतिरोध प्रदान करता है, सिस्टम की मजबूती को बढ़ाता है

मानक गेट ड्राइव वोल्टेज के साथ संगत: 0 V से 18 V गेट ड्राइव का समर्थन करता है (अनुशंसित टर्न-ऑन वोल्टेज 15 V है), मौजूदा ड्राइवरों के साथ संगतता सुनिश्चित करता है

AEC-Q101 ऑटोमोटिव मानक (ऑटोमोटिव-ग्रेड मॉडल के लिए) का अनुपालन करता है या औद्योगिक-ग्रेड विश्वसनीयता आवश्यकताओं को पूरा करता है

III. विस्तृत विनिर्देश

IMZC120R007 (IMZC120R007M2H) के लिए मुख्य तकनीकी विनिर्देश निम्नलिखित हैं:

उत्पाद प्रकार: सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET

पैकेज / हाउसिंग: PG-TO247-4-U07

चैनलों की संख्या: 1 चैनल

Vds – ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: 1.2 kV

Id – निरंतर ड्रेन करंट: 201 A

Rds On – ड्रेन-सोर्स ऑन-रेसिस्टेंस: 20 mOhms

Vgs – गेट-सोर्स वोल्टेज: -10 V, +25 V

Vgs th – गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज: 5.1 V

Qg – गेट चार्ज: 176 nC

न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान: -55 °C

अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान: +175 °C

Pd – पावर डिसिपेशन: 711 W

ब्रांड नाम: CoolSiC

कॉन्फ़िगरेशन: एन्हांसमेंट

फॉल टाइम: 33.6 ns

फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्टेंस – न्यूनतम: 60 S

राइज़ टाइम: 21.5 ns

श्रृंखला: CoolSiC G2

ट्रांजिस्टर पोलरिटी: N-चैनल

ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 N-चैनल

प्रकार: SiC MOSFET

विशिष्ट टर्न-ऑफ डिले: 76.3 ns

विशिष्ट टर्न-ऑन डिले: 32.4 ns

IV. विशिष्ट अनुप्रयोग

1200 V/7 mΩ के अपने उत्कृष्ट प्रदर्शन के साथ, IMZC120R007 उन पावर रूपांतरण प्रणालियों के लिए उपयुक्त है जिनमें दक्षता, पावर घनत्व और विश्वसनीयता के लिए अत्यंत उच्च आवश्यकताएं हैं, विशेष रूप से जिनमें शामिल हैं:

इलेक्ट्रिक वाहन चार्जिंग स्टेशन: DC फास्ट-चार्जिंग मॉड्यूल में PFC और DC-DC चरण, उच्च-दक्षता, उच्च-पावर-घनत्व डिजाइन को सक्षम करते हैं

PV इन्वर्टर: स्ट्रिंग इन्वर्टर में MPPT और इन्वर्टर चरण, सिस्टम दक्षता में सुधार और आकार को कम करना

ऊर्जा भंडारण प्रणाली (ESS): द्विदिश DC-DC कन्वर्टर्स, कुशल ऊर्जा रूपांतरण को सक्षम करते हैं

औद्योगिक बिजली आपूर्ति: उच्च-शक्ति स्विचिंग बिजली आपूर्ति जैसे सर्वर बिजली आपूर्ति, दूरसंचार बिजली आपूर्ति, और इलेक्ट्रोप्लेटिंग बिजली आपूर्ति

ऑन-बोर्ड चार्जर (OBC) और DC-DC कन्वर्टर्स (ऑटोमोटिव-ग्रेड विश्वसनीयता आवश्यकताओं को पूरा करते हैं)

ट्रैक्शन इन्वर्टर (सहायक या मुख्य ड्राइव, AEC-Q101 के अनुपालन की आवश्यकता है)

अनइंटरप्टिबल पावर सप्लाई (UPS) और एक्टिव पावर फिल्टर (APF)

V. आपूर्ति और सेवाएं

मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स लंबे समय से इन्फिनिओन IMZC120R007 सिलिकॉन कार्बाइड MOSFETs की बड़ी मात्रा की आपूर्ति कर रहा है। हमारे शेन्ज़ेन गोदाम में इन उत्पादों का लगातार स्टॉक बना रहता है। हम 100% असली, मूल उत्पादों की गारंटी देते हैं और निम्नलिखित सेवाएं प्रदान करते हैं:

लचीली खरीद: छोटे बैच के नमूना खरीद और बड़े पैमाने पर उत्पादन आदेश दोनों का समर्थन करता है

तेज डिलीवरी: शेन्ज़ेन में स्टॉक में; ऑर्डर देने के 24 घंटे के भीतर शिपिंग

वैश्विक लॉजिस्टिक्स: हांगकांग और शेन्ज़ेन में हमारे गोदाम नेटवर्क का लाभ उठाते हुए, हम घरेलू और अंतरराष्ट्रीय शिपिंग का समर्थन करते हैं

नवीनतम इन्वेंट्री, मूल्य निर्धारण, या कोटेशन का अनुरोध करने के लिए, कृपया मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स वेबसाइट (www.hkmjd.com) पर जाएं या हमारी बिक्री टीम से संपर्क करें।

संपर्क जानकारी:

मोबाइल: +86 13410018555

ईमेल: sales@hkmjd.com

पता: रूम 1239-1241, गुओली बिल्डिंग, झेनझोंग रोड, फुतियन जिला, शेन्ज़ेन, गुआंग्डोंग प्रांत

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