कंपनी ब्लॉग के बारे में मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स सप्लाई ऑनसेमी यूजे4सी075023 750V सिलिकॉन कार्बाइड एलिटसिक कैस्केड जेएफईटी

Mingjiada इलेक्ट्रॉनिक्स सप्लाई Onsemi UJ4C075023B 750V सिलिकॉन कार्बाइड EliteSiC कैस्केड JFETs

शेन्ज़ेन Mingjiada इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड — Onsemi के दीर्घकालिक आपूर्तिकर्ता UJ4C075023B 750V सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) EliteSiC कैस्केड JFETs, उच्च-वोल्टेज, उच्च-दक्षता पावर रूपांतरण अनुप्रयोगों जैसे फोटोवोल्टिक इनवर्टर, ऊर्जा भंडारण प्रणाली, इलेक्ट्रिक वाहन चार्जिंग, सर्वर पावर सप्लाई, यूपीएस सिस्टम और औद्योगिक पावर सप्लाई के लिए डिज़ाइन किए गए हैं। हम वास्तविक उत्पाद, कोटेशन पूछताछ और आपूर्ति सहायता प्रदान करते हैं। विशिष्ट स्टॉक स्तर, कीमतें, बैच नंबर और लीड टाइम Mingjiada’s की पुष्टि की गई कोटेशन के अधीन हैं।

I. उत्पाद पोजिशनिंग
ON Semiconductor UJ4C075023B EliteSiC कैस्केड JFET श्रृंखला से संबंधित है। यह एक सामान्य-स्रोत, सामान्य-गेट (कैस्केड) संरचना का उपयोग करता है जिसमें एक सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) JFET और एक निम्न-वोल्टेज सिलिकॉन MOSFET शामिल है, जो SiC उपकरणों के उच्च वोल्टेज रेटिंग और कम हानि लाभों को सिलिकॉन MOSFETs के समान गेट ड्राइव विशेषताओं के साथ जोड़ता है। इस उपकरण में 750 V का विशिष्ट ब्रेकडाउन वोल्टेज और 23 mΩ रेंज में ऑन-रेसिस्टेंस है, जो इसे उच्च-वोल्टेज पावर सप्लाई डिज़ाइन के लिए उपयुक्त बनाता है जिसमें दक्षता, पावर घनत्व और विश्वसनीयता के लिए कड़े आवश्यकताएं होती हैं।
पारंपरिक SiC MOSFETs की तुलना में, कैस्केड JFET की मुख्य विशेषता इसका सामान्य-ऑफ ऑपरेटिंग मोड है, जबकि इसकी गेट ड्राइव विशेषताएँ सिलिकॉन MOSFETs के करीब हैं, जो ड्राइव सर्किट डिज़ाइन के लिए बाधाओं को कम करने में मदद करती हैं।

II. UJ4C075023B
की मुख्य विशेषताएं
750 V वोल्टेज रेटिंग, उच्च-वोल्टेज पावर रूपांतरण टोपोलॉजी के लिए उपयुक्त
23 mΩ रेंज में कम ऑन-रेसिस्टेंस, चालन हानि को कम करने में मदद करता है
EliteSiC कैस्केड JFET संरचना, सामान्य-ऑफ ऑपरेटिंग मोड
सिलिकॉन MOSFETs के समान गेट ड्राइव विशेषताएँ, सिस्टम डिज़ाइन एकीकरण को सुविधाजनक बनाती हैं
उच्च-आवृत्ति हार्ड-स्विचिंग और सॉफ्ट-स्विचिंग टोपोलॉजी के लिए उपयुक्त
पावर सप्लाई दक्षता और पावर घनत्व में सुधार करने में मदद करता है

उच्च-तापमान, उच्च-विश्वसनीयता औद्योगिक और ऑटोमोटिव-ग्रेड पेरिफेरल पावर सप्लाई अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गयाUJ4C075023B
UJ4C075023
के विशिष्ट अनुप्रयोग
इलेक्ट्रिक वाहन चार्जिंग
फोटोवोल्टिक इनवर्टर
स्विच-मोड पावर सप्लाई
पावर फैक्टर करेक्शन मॉड्यूल

मोटर ड्राइवर
इंडक्शन हीटिंगUJ4C075023B उच्च-वोल्टेज पावर सप्लाई डिज़ाइन में, SiC उपकरण कम स्विचिंग हानि और उच्च स्विचिंग आवृत्तियों की क्षमता प्रदान करते हैं।

UJ4C075023UJ4C075023Bफोटोवोल्टिक इनवर्टर, ऑन-बोर्ड चार्जिंग, सर्वर पावर सप्लाई, औद्योगिक पीएफसी और उच्च-आवृत्ति डीसी-डीसी कन्वर्टर्स जैसे पावर रूपांतरण प्रणालियों में, सिलिकॉन कार्बाइड पावर डिवाइस उच्च-वोल्टेज, उच्च-आवृत्ति पावर सप्लाई के उन्नयन के लिए केंद्रीय हैं। इसके व्यापक लाभों के कारण — जिसमें मानक ड्राइव संगतता, कम ऑन-स्टेट हानि, उत्कृष्ट रिवर्स रिकवरी और पैकेज विकल्पों की एक श्रृंखला शामिल है — ON Semiconductor

UJ4C075023 750V पावर प्लेटफॉर्म के लिए एक लागत प्रभावी विकल्प के रूप में खड़ा है।यदि आप फोटोवोल्टिक्स, ऊर्जा भंडारण, ऑन-बोर्ड चार्जिंग या औद्योगिक उच्च-शक्ति पावर सप्लाई के क्षेत्रों में परियोजनाओं का विकास कर रहे हैं, और UJ4C075023 के लिए कोटेशन, लीड टाइम या डेटाशीट की आवश्यकता है, या अन्य SiC पावर उपकरणों की उपलब्धता के बारे में पूछताछ करना चाहते हैं, तो कृपया अधिक आपूर्ति विवरण के लिए Mingjiada इलेक्ट्रॉनिक्स वेबसाइट (
https://www.integrated-ic.com/) पर जाएं।, UJ4C075023B7S, UJ4C075023B7, UJ4C075023B