कंपनी ब्लॉग के बारे में मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स आपूर्ति अर्ध सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFET, निम्न/मध्यम वोल्टेज MOSFET

मिंजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स ऑनसेमी सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFETs, निम्न/मध्यम वोल्टेज MOSFETs की आपूर्ति करता है

शेन्ज़ेन मिंजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड।— [ऑनसेमी] MOSFET उत्पादों का एक दीर्घकालिक आपूर्तिकर्ता, जिसमें सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFETs, मध्यम और निम्न-वोल्टेज पावर MOSFETs, और एन-चैनल पावर MOSFETs शामिल हैं। मिंजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स मुख्यधारा के मॉडलों का स्टॉक रखता है और छोटे बैच के नमूने और बड़े पैमाने पर ऑर्डर दोनों का समर्थन करता है। एक कुशल लॉजिस्टिक्स प्रणाली द्वारा समर्थित, हम तेजी से उत्पाद वितरण सुनिश्चित करते हैं।

MOSFET
[ऑनसेमी] सिलिकॉन MOSFET गेट वोल्टेज के माध्यम से स्रोत और ड्रेन के बीच करंट को नियंत्रित करते हैं। दक्षता, गति और पावर हैंडलिंग क्षमता में उनके लाभों के कारण, वे पावर एम्पलीफायरों, वोल्टेज नियामकों और स्विचिंग सर्किट में व्यापक रूप से उपयोग किए जाते हैं।

I. सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) MOSFETs
[ऑनसेमी] सिलिकॉन कार्बाइड MOSFETs उच्च-गति और मजबूत होते हैं, जो उच्च दक्षता, कॉम्पैक्ट आकार और कम लागत जैसे सिस्टम लाभ प्रदान करते हैं। एक MOSFET एक इंसुलेटेड गेट के साथ एक मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MOSFET) को संदर्भित करता है। हालांकि डिजाइन तत्व समान हैं, सिलिकॉन कार्बाइड MOSFETs में सिलिकॉन MOSFETs की तुलना में उच्च ब्रेकडाउन वोल्टेज और थर्मल चालकता होती है। सिलिकॉन कार्बाइड पावर डिवाइस में कम ऑन-रेसिस्टेंस और मानक सिलिकॉन की तुलना में 10 गुना ब्रेकडाउन शक्ति भी होती है। कुल मिलाकर, सिलिकॉन MOSFETs की तुलना में, सिलिकॉन कार्बाइड MOSFETs बेहतर प्रदर्शन और उच्च दक्षता प्रदान करते हैं।
मिंजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स निम्नलिखित मॉडल की आपूर्ति करता है:
NTH4L012N065M3S
NTH4L016N065M3S
NVH4L012N065M3S
NVH4L016N065M3S
NTT2012N065M3S
NVT2012N065M3S
NTT2016N065M3S
NVT2016N065M3S
NVT2016N090M2
NVT2012N065M2

II. मध्यम और निम्न-वोल्टेज MOSFETs
मध्यम और निम्न-वोल्टेज पावर MOSFETs की एक व्यापक श्रृंखला, जो विभिन्न प्रकार के स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए बेहतर प्रदर्शन और विश्वसनीयता प्रदान करती है। ON सेमीकंडक्टर की नवीनतम PowerTrench® T10 तकनीक उद्योग-अग्रणी RDS, उच्च पावर घनत्व, कम स्विचिंग नुकसान और बेहतर थर्मल प्रदर्शन प्रदान करती है।
मिंजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स द्वारा आपूर्ति किए गए मॉडल:
NTMFS1D7N04XMT1G
NTMYS006N08LHTWG
NTMFD5C478NLT1G
NVMFS5C404NLWFAFT1G
NTTFSSH0D7N02X
NTTFSSH1D3N04XL
NVMFS5C404NLET1G
NVMFS5C404NWFHT1G
NVMFWS1D3N04XMT1G
NVMFWS2D9N04XMT1G
NVMFS4C301NET1G
NVMFS4C301NWFET1G

गुणवत्ता आश्वासन: मिंजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स मजबूत और विश्वसनीय आपूर्ति चैनल बनाए रखता है, आपूर्ति किए गए उत्पादों की स्थिरता और विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए आपूर्ति श्रृंखला को सख्ती से नियंत्रित करता है।
पर्याप्त स्टॉक उपलब्धता: मिंजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स ग्राहकों की छोटे बैच के नमूने और बड़े पैमाने पर खरीद दोनों की आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए [ऑनसेमी] MOSFET चिप्स का पर्याप्त स्टॉक रखता है।
तेज डिलीवरी: मिंजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स उत्पादों को ग्राहकों तक तुरंत पहुंचाने के लिए एक कुशल लॉजिस्टिक्स प्रणाली पर निर्भर करता है।

ऑनसेमी MOSFET चिप्स के बारे में अधिक जानकारी के लिए या नमूने का अनुरोध करने के लिए, कृपया मिंजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स वेबसाइट (https://www.integrated-ic.com/) पर अधिक आपूर्ति विवरण के लिए जाएं।