बड़े AI मॉडल और उच्च-प्रदर्शन सर्वर द्वारा संचालित बिजली की खपत में विस्फोटक वृद्धि के साथ, सर्वर पावर सप्लाई यूनिट (PSU) अल्ट्रा-उच्च दक्षता, उच्च स्विचिंग आवृत्तियों और उच्च शक्ति घनत्व की ओर विकसित हो रहे हैं। अपने उत्कृष्ट स्विचिंग प्रदर्शन और उच्च-तापमान स्थिरता के कारण, Infineon की दूसरी पीढ़ी की 750V CoolSiC™ MOSFET G2 श्रृंखला (IMBG75R) अगली पीढ़ी के AI सर्वर पावर सप्लाई सिस्टम के लिए मुख्य पावर डिवाइस बन गई है।
शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड।पूरी उत्पाद श्रृंखला में वास्तविक Infineon IMBG75R सिलिकॉन कार्बाइड MOSFETs का दीर्घकालिक स्टॉक बनाए रखता है। कंपनी AI सर्वर, डेटा सेंटर, औद्योगिक पावर सप्लाई और नए ऊर्जा क्षेत्रों में ग्राहकों को उच्च-गुणवत्ता वाले घटक आपूर्ति और इन्वेंट्री ऑप्टिमाइज़ेशन सेवाएं प्रदान करते हुए, सभी उद्योगों में इस श्रृंखला के अधिशेष और अप्रचलित स्टॉक की खरीद के लिए प्रीमियम मूल्य भी प्रदान करती है।
I. IMBG75R श्रृंखला मॉडल की पूरी सूची (आपूर्ति और पुनर्खरीद)
IMBG75R श्रृंखला PG-TO263-7 (D2PAK-7) सरफेस-माउंट पैकेज का उपयोग करती है जिसमें एक एकीकृत स्वतंत्र स्रोत पिन (केल्विन सोर्स) होता है, जो विभिन्न पावर रेटिंग के पावर सप्लाई डिज़ाइन के लिए 7 mΩ से 60 mΩ तक ऑन-रेसिस्टेंस (RDS(on)) रेंज को कवर करता है। मॉडल की पूरी सूची में शामिल हैं:
IMBG75R033M2H
II. मुख्य तकनीकी विशेषताएँ
यह श्रृंखला Infineon की दूसरी पीढ़ी की CoolSiC™ ट्रेंच सिलिकॉन कार्बाइड तकनीक पर आधारित है, जो पिछली पीढ़ी की तुलना में प्रमुख फिगर ऑफ मेरिट (FOM) मेट्रिक्स में 20% से 35% का सुधार प्रदान करती है, जो निम्नलिखित महत्वपूर्ण लाभ प्रदान करती है:
अल्ट्रा-लो स्विचिंग लॉस: उद्योग-अग्रणी RDS(on)×Qfr, RDS(on)×Qoss और RDS(on)×QG पैरामीटर हार्ड-स्विचिंग और सॉफ्ट-स्विचिंग दोनों टोपोलॉजी में पावर लॉस को काफी कम करते हैं, जिससे पावर सप्लाई सिस्टम को 97 प्रतिशत से अधिक दक्षता प्राप्त करने में मदद मिलती है।
उच्च मजबूती और विश्वसनीयता: 100% हिमस्खलन परीक्षण अनुपालन, 500 V से अधिक उच्च-वोल्टेज बसबार स्थितियों का सामना करने में सक्षम, और परजीवी चालन प्रभावों का प्रभावी ढंग से प्रतिरोध करता है।
उत्कृष्ट थर्मल प्रदर्शन: Infineon की पेटेंटेड .XT डिफ्यूजन बॉन्डिंग प्रक्रिया का उपयोग करते हुए, यह उत्कृष्ट गर्मी अपव्यय प्रदान करता है, जिसमें अधिकतम ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान 175 °C (कुछ मॉडलों के लिए 200 °C तक) और अत्यंत कम थर्मल प्रतिरोध होता है।
सरलीकृत ड्राइवर डिज़ाइन: एक कम Crss/Ciss अनुपात उच्च गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज VGS(th) के साथ मिलकर यूनिपोलर गेट ड्राइविंग (0 V टर्न-ऑफ) का समर्थन करता है, जिससे ड्राइवर सर्किट की जटिलता कम हो जाती है; स्वतंत्र ड्राइव स्रोत पिन उच्च-शक्ति मल्टी-डिवाइस समानांतर कॉन्फ़िगरेशन में वर्तमान साझाकरण में सुधार करते हैं।
III. विशिष्ट अनुप्रयोग: AI सर्वर और डेटा सेंटर
IMBG75R श्रृंखला विशेष रूप से उच्च-आवृत्ति, उच्च-वोल्टेज, उच्च-शक्ति पावर सप्लाई अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन की गई है, जिसमें AI सर्वर इसका मुख्य अनुप्रयोग क्षेत्र है:
AI सर्वर पावर सप्लाई (PSU): टोटेम-पोल पीएफसी बूस्ट सर्किट और एलएलसी/सीएलएलसी रेजोनेंट डीसी-डीसी कन्वर्टर, जो उच्च-शक्ति जीपीयू (जैसे NVIDIA H100 और B200) की तात्कालिक उच्च-वर्तमान बिजली आपूर्ति आवश्यकताओं को पूरा करते हैं।
डेटा सेंटर पावर सप्लाई आर्किटेक्चर: थ्री-फेज हाई-वोल्टेज सर्वर पावर सप्लाई और हाई/लो-वोल्टेज डीसी-डीसी कन्वर्जन, डेटा सेंटर में पीयूई ऊर्जा खपत मीट्रिक को कम करने में मदद करता है।
ऊर्जा भंडारण और बैकअप पावर: डेटा सेंटर ऊर्जा भंडारण कन्वर्टर (PCS) और बैटरी ऊर्जा भंडारण प्रणाली (BESS)।
अन्य औद्योगिक अनुप्रयोग: फोटोवोल्टिक इनवर्टर, वाणिज्यिक और औद्योगिक ऊर्जा भंडारण, डीसी चार्जिंग स्टेशन पावर मॉड्यूल, उच्च-शक्ति यूपीएस सिस्टम, सॉलिड-स्टेट सर्किट ब्रेकर (SSCBs), आदि।
IV. मिंगजियाडा की सेवा प्रतिबद्धता
तत्काल उपलब्धता: पूरी IMBG75R श्रृंखला को कवर करता है; वास्तविक, मूल उत्पाद; नमूना और थोक आपूर्ति दोनों का समर्थन करता है।
दीर्घकालिक पुनर्खरीद: हम निर्माताओं, समाधान प्रदाताओं और अनुबंध निर्माताओं से इस श्रृंखला और समान Infineon CoolSiC™ MOSFETs के अधिशेष स्टॉक की उच्च-मूल्य पुनर्खरीद प्रदान करते हैं, जो पेशेवर मूल्यांकन और लचीली निपटान शर्तें प्रदान करते हैं।
नवीनतम स्टॉक सूची, कोटेशन या पुनर्खरीद व्यवस्था के संबंध में पूछताछ के लिए कृपया शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड से संपर्क करें।
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