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कंपनी ब्लॉग के बारे में मिंगजीडा इलेक्ट्रॉनिक्स टीआई गैलियम नाइट्राइड चिप्स की आपूर्ति करता है: उच्च दक्षता और उच्च पावर घनत्व के एक नए युग की शुरुआत

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कंपनी ब्लॉग
मिंगजीडा इलेक्ट्रॉनिक्स टीआई गैलियम नाइट्राइड चिप्स की आपूर्ति करता है: उच्च दक्षता और उच्च पावर घनत्व के एक नए युग की शुरुआत
के बारे में नवीनतम कंपनी की खबर मिंगजीडा इलेक्ट्रॉनिक्स टीआई गैलियम नाइट्राइड चिप्स की आपूर्ति करता है: उच्च दक्षता और उच्च पावर घनत्व के एक नए युग की शुरुआत

शेन्ज़ेन मिंगजीआडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड।इलेक्ट्रॉनिक घटकों के एक पेशेवर आपूर्तिकर्ता के रूप में, अब टेक्सास इंस्ट्रूमेंट्स के गैलियम नाइट्राइड (GaN) चिप्स और संबंधित उत्पादों की एक व्यापक श्रृंखला प्रदान करता है। टीआई की GaN तकनीक, जो अपने असाधारण प्रदर्शन और विश्वसनीयता के लिए प्रसिद्ध है, बिजली प्रबंधन के क्षेत्र में नवाचार और परिवर्तन को बढ़ावा दे रही है।

 

1. उपलब्ध टीआई GaN चिप उत्पादों के प्रकार

मिंगजीआडा उच्च-प्रदर्शन GaN पावर चिप्स की एक श्रृंखला प्रदान करता है, जिसमें औद्योगिक, ऑटोमोटिव, डेटा सेंटर और नवीकरणीय ऊर्जा जैसे उद्योग शामिल हैं। नीचे मुख्य उत्पाद श्रृंखलाएं दी गई हैं:

LMG34xx सीरीज (600V/650V GaN FET)

LMG3410R050: 600V/50mΩ GaN FET जिसमें एकीकृत ड्राइव और सुरक्षा कार्य हैं, जो उच्च-आवृत्ति स्विचिंग बिजली आपूर्ति, सर्वर बिजली आपूर्ति आदि के लिए उपयुक्त हैं।

LMG3410R070: 1MHz स्विचिंग आवृत्ति का समर्थन करने वाला 600V/70mΩ GaN FET, जो औद्योगिक मोटर ड्राइव, फोटोवोल्टिक इनवर्टर के लिए उपयुक्त है।

LMG3411R070: 600V/70mΩ GaN FET, उच्च बिजली घनत्व डिजाइनों के लिए अनुकूलित, 10kW-क्लास अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त।

LMG3425R030: 600V/30mΩ GaN FET (औद्योगिक ग्रेड), जिसमें एकीकृत 2.2MHz ड्राइवर है, जो बिजली घनत्व को बढ़ाता है।

LMG3525R030-Q1: 650V/30mΩ GaN FET (ऑटोमोटिव ग्रेड), जो इलेक्ट्रिक वाहन OBC (ऑन-बोर्ड चार्जर) के लिए उपयुक्त है।

LMG2100 सीरीज (100V GaN FET)

LMG2100R026: 100V/2.6mΩ GaN FET, विशेष रूप से रोबोट जॉइंट ड्राइव के लिए डिज़ाइन किया गया है, जिसमें सिलिकॉन-आधारित MOSFETs की तुलना में 50% छोटा पदचिह्न है।

LMG2100R044: 100V/4.4mΩ GaN FET, जो 48V माइल्ड हाइब्रिड सिस्टम और क्लास डी ऑडियो एम्पलीफायर के लिए उपयुक्त है।

एकीकृत GaN पावर मॉड्यूल

LMG5200: 80V/10A GaN हाफ-ब्रिज मॉड्यूल, जो उच्च-आवृत्ति DC-DC रूपांतरण के लिए उपयुक्त है।

LMG1210: अल्ट्रा-स्मॉल पैकेज GaN FET, जो पोर्टेबल उपकरणों और उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए उपयुक्त है।

 

2. मिंगजीआडा इलेक्ट्रॉनिक्स आपूर्ति के लाभ

वास्तविक फ़ैक्टरी उत्पाद: 100% वास्तविक उत्पाद, गुणवत्ता की गारंटी।

स्टॉक इन्वेंटरी: लोकप्रिय मॉडल हमेशा शेन्ज़ेन/हांगकांग गोदामों में स्टॉक में होते हैं, जो छोटे-बैच खरीद का समर्थन करते हैं।

वैश्विक रसद: डीएचएल/फेडएक्स एयर फ्रेट का समर्थन करता है, जो वैश्विक बाजारों में तेजी से डिलीवरी सुनिश्चित करता है।

 

3. विशिष्ट अनुप्रयोग

औद्योगिक बिजली आपूर्ति: फोटोवोल्टिक इनवर्टर, सर्वर पावर मॉड्यूल, औद्योगिक मोटर ड्राइव।

ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स: इलेक्ट्रिक वाहन चार्जिंग (OBC), 48V माइल्ड हाइब्रिड सिस्टम, इन-व्हीकल DC-DC रूपांतरण।

डेटा सेंटर: टाइटेनियम-ग्रेड उच्च-दक्षता बिजली आपूर्ति (96%+ दक्षता), परिचालन लागत को कम करना।

उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स: GaN फास्ट चार्जिंग (65W-140W), क्लास डी ऑडियो एम्पलीफायर।

 

विशिष्ट मॉडल उद्धरण या खरीद पूछताछ के लिए, कृपया श्री चेन से +86 13410018555 पर संपर्क करें या sales@hkmjd.com पर ईमेल करें। मिंगजीआडा इलेक्ट्रॉनिक्स ग्राहकों को कुशल, विश्वसनीय और लागत प्रभावी टीआई GaN चिप समाधान प्रदान करने के लिए प्रतिबद्ध है!

पब समय : 2025-07-12 09:49:22 >> समाचार सूची
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