कंपनी ब्लॉग के बारे में IPG20N04S4L-11 Infineon डुअल एन-चैनल ऑटोमोटिव ग्रेड MOSFETs, 11.6mΩ अल्ट्रा लो ऑन प्रतिरोध

IPG20N04S4L-11दोहरी एन-चैनल ऑटोमोटिव ग्रेड MOSFET - शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड.स्टॉक में

ऑटोमोबाइल इलेक्ट्रॉनिक्स और उच्च दक्षता बिजली आपूर्ति डिजाइन में,IPG20N04S4L-11अपने उत्कृष्ट प्रदर्शन के कारण इंजीनियरों के लिए शीर्ष विकल्पों में से एक है।IPG20N04S4L-11 उन्नत OptiMOS प्रौद्योगिकी का उपयोग करता है 11 का एक अति-कम ऑन प्रतिरोध (RDS(on)) प्रदान करने के लिए.6mΩ, जो बिजली की खपत को काफी कम करता है और सिस्टम की दक्षता में सुधार करता है।

उत्पाद का विवरणIPG20N04S4L-11
IPG20N04S4L-11 ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स और औद्योगिक नियंत्रण अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया, OptiMOSTM-T2 परिवार से संबंधित, इन्फिनियन का एक दोहरी एन-चैनल वृद्धि शक्ति MOSFET है।PG-TDSON-8-4 पैकेज (5 x 6 मिमी) में उपलब्ध है, उपकरण में बेहद कम चालू प्रतिरोध (RDS(on) = 11.6 mΩ) है और यह 40 V के ड्रेन सोर्स वोल्टेज (VDS) और 20 A के निरंतर ड्रेन करंट (ID) का समर्थन करता है,इसे उच्च दक्षता वाले पावर स्विचिंग जैसे अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाना, मोटर ड्राइव और बॉडी कंट्रोल मॉड्यूल (BCM).38 IPG20N04S4L एक दोहरी एन-चैनल वृद्धि शक्ति MOSFET से Infineon, OptiMOS TM-T2 परिवार का हिस्सा है,ऑटोमोबाइल इलेक्ट्रॉनिक्स और औद्योगिक नियंत्रण अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया.

IPG20N04S4L-11 AEC-Q101 प्रमाणीकरण के अनुरूप है, -55°C से +175°C के बीच एक व्यापक तापमान सीमा पर स्थिर रूप से काम करता है,और ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक्स निर्माण की उच्च विश्वसनीयता आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए 260 °C पीक रिफ्लो सोल्डरिंग का समर्थन करता है.3 IPG20N04S4L-11 को ऑटोमोबाइल इलेक्ट्रॉनिक्स विनिर्माण की जरूरतों को पूरा करने के लिए डिज़ाइन किया गया है.

की मुख्य विशेषताएंIPG20N04S4L-11
दोहरी एन-चैनल एमओएसएफईटीः आईपीजी20एन04एस4एल-11 पीसीबी स्थान बचाने के लिए दो स्वतंत्र एमओएसएफईटी एकीकृत करता है।
अल्ट्रा-लो ऑन-प्रतिरोधः RDS ((on) = 11.6mΩ (सामान्य) बिजली हानि को कम करने के लिए।
उच्च वर्तमान क्षमताः उच्च शक्ति स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए 20A निरंतर निकासी वर्तमान (आईडी)
ऑटोमोटिव ग्रेड स्वीकृतिः IPG20N04S4L-11 AEC-Q101 के अनुरूप है और MSL1 (260°C रिफ्लो सोल्डरिंग) का समर्थन करता है।
कम गेट चार्ज (Qg): उच्च आवृत्ति पीडब्ल्यूएम नियंत्रण के लिए स्विचिंग दक्षता को अनुकूलित करता है।
100% हिमस्खलन परीक्षणः अस्थायी उच्च वोल्टेज के तहत डिवाइस की विश्वसनीयता में सुधार करता है।
RoHS अनुरूपः पर्यावरण के अनुकूल लीड मुक्त डिजाइन।

विनिर्देश
मॉडल:IPG20N04S4L-11
निर्माता: Infineon
पैकेजः PG-TDSON-8-4 (5 x 6 मिमी)
चैनलों की संख्याः 2 (दोहरे एन-चैनल)
ड्रेन स्रोत वोल्टेज (वीडीएस): 40V
निरंतर निकासी करंट (ID): 20A
चालू प्रतिरोध (आरडीएस ((ऑन)): 11.6mΩ (सामान्य)
थ्रेशोल्ड वोल्टेज (VGS ((th)): 1.7V
इनपुट क्षमता (Ciss): 1530pF (@25V VDS)
ऑपरेटिंग तापमान सीमाः -55°C ~ +175°C
अनुपालन मानक: AEC-Q101, RoHS

विनिर्देशों के मुख्य बिंदुIPG20N04S4L-11इनमें शामिल हैंः
दोहरी एन-चैनल डिजाइनः स्थान बचाता है और सर्किट लेआउट को सरल बनाता है।
40V प्रतिरोध वोल्टेजः 12V/24V ऑटोमोटिव सिस्टम और औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त।
11.6mΩ अल्ट्रा-लो आरडीएस ((ऑन) (वीजीएस=10V पर): संवाहक हानि को कम करता है और ऊर्जा दक्षता में सुधार करता है।
AEC-Q101 अनुरूपः सख्त ऑटोमोटिव ग्रेड विश्वसनीयता आवश्यकताओं को पूरा करता है।
अनुकूलित स्विचिंग प्रदर्शनः उच्च गति स्विचिंग को कम विद्युत चुम्बकीय हस्तक्षेप (ईएमआई) के साथ जोड़ती है।

IPG20N04S4L-11व्यापक रूप से निम्न में प्रयोग किया जाता हैः
मोटर वाहन डीसी-डीसी कन्वर्टर्स
मोटर ड्राइव मॉड्यूल
बैटरी प्रबंधन प्रणाली (बीएमएस)
लोड स्विच और बिजली वितरण इकाइयां

वर्तमान में, मिंगजियाडा, एक प्रसिद्ध घटक आपूर्तिकर्ता के रूप में, लगातार और स्थिर आपूर्ति करता हैIPG20N04S4L-11, ग्राहकों को मूल वास्तविक उत्पाद और तकनीकी सहायता प्रदान करता है।

संपर्क जानकारी:
टेलीफोनः +86 13410018555
ईमेलः sales@hkmjd.com
वेबसाइटःwww.integrated-ic.com