कंपनी ब्लॉग के बारे में INFINEON S26HS512TGABHI003 उच्च घनत्व SEMPERTM NOR फ्लैश मेमोरी आईसी

INFINEONS26HS512TGABHI003उच्च घनत्व SEMPERTM या फ्लैश मेमोरी आईसी

उत्पाद का विवरणS26HS512TGABHI003
S26HS512TGABHI003Infineon की SEMPERTM NOR फ्लैश मेमोरी परिवार का सदस्य है और इसका घनत्व 512 Mbit है।यह उपकरण 400 एमबीबाइट/सेकंड के बैंडविड्थ और 1 के एक ऑपरेटिंग वोल्टेज के साथ एक हाइपरबस इंटरफ़ेस पर काम करता है.8 V. इसमें 200 मेगाहर्ट्ज (DDR) की बिजली की तरह तेज़ इंटरफेस आवृत्ति है और इसे एक मजबूत Infineon PG-BGA-24 पैकेज में शामिल किया गया है।

इनफिनियन SEMPERTM फ्लैश उत्पाद परिवार उच्च गति CMOS, MIRRORBITTM या फ्लैश डिवाइस हैं जो JEDEC JESD251 eXpanded SPI (xSPI) विनिर्देश के साथ संगत हैं।SEMPERTM फ्लैश को ASIL-B अनुपालन और ASIL-D तत्परता प्राप्त करने के लिए ISO 26262 मानक के अनुसार विकास के साथ कार्यात्मक सुरक्षा के लिए डिज़ाइन किया गया है.

के मापदंडS26HS512TGABHI003
घनत्व:512 एमबीट
परिवारःHS-T
इंटरफेस बैंडविड्थ:400 एमबीबाइट/सेकंड
इंटरफेस आवृत्ति:200 MHz
इंटरफेसःहाइपरबस
लीड बॉल फिनिशःSn/Ag/Cu
ऑपरेटिंग तापमानः-40 °C - 85 °C
ऑपरेटिंग वोल्टेज:1.8 V 1.7 V 2 V
पीक रिफ्लो टेम्पः 260 °C

की विशेषताS26HS512TGABHI003
Infineon 45-nm MIRRORBITTM तकनीक जो प्रत्येक मेमोरी एरे सेल में दो डेटा बिट्स संग्रहीत करती है
सेक्टर आर्किटेक्चर विकल्प
पेज प्रोग्रामिंग बफर 256 या 512 बाइट्स का
ओटीपी सुरक्षित सिलिकॉन क्षेत्र (एसएसआर) 1024 बाइट (32 × 32 बाइट)
HYPERBUSTM इंटरफ़ेस
HYPERBUSTM इंटरफेस डिवाइस के साथ SEMPERTM फ्लैश पुराने SPI (x1) या HYPERBUSTM इंटरफेस (x8) में डिफ़ॉल्ट बूट का समर्थन करता है
ऑटोबूट चालू होने के बाद मेमोरी सरणी तक तत्काल पहुँच सक्षम करता है
सीएस# सिग्नलिंग पद्धति (जेडीईसी) और व्यक्तिगत रीसेट# पिन के माध्यम से हार्डवेयर रीसेट
डिवाइस के कार्यों और विशेषताओं का वर्णन करने वाले सीरियल फ्लैश डिटेक्टेबल पैरामीटर (SFDP)
उपकरण की पहचान, निर्माता की पहचान और अद्वितीय पहचान