कंपनी ब्लॉग के बारे में इन्फीनियन एन-चैनल पावर MOSFET IPB117N20NFD ऑप्टीमोस™ FD पावर ट्रांजिस्टर, 200V

शेन्ज़ेन मिंगजीडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेडइलेक्ट्रॉनिक घटकों का एक विशेषज्ञ आपूर्तिकर्ता है, जो Infineon के उच्च-प्रदर्शन N-चैनल पावर MOSFET – पावर MOSFET एक उच्च-प्रदर्शन, बहुमुखी 200V N-चैनल MOSFET का प्रतिनिधित्व करता है। इसका कम ऑन-रेजिस्टेंस, उच्च स्विचिंग गति और कम टर्न-ऑन वोल्टेज विभिन्न उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए एक विश्वसनीय समाधान प्रदान करता है। चाहे वह दूरसंचार, औद्योगिक बिजली आपूर्ति या ऑडियो उपकरण में हो, IPB117N20NFD उच्च-प्रदर्शन पावर MOSFET के लिए उपयोगकर्ता की मांगों को पूरा करता है। की दीर्घकालिक स्टॉक उपलब्धता प्रदान करता है। यह उत्पाद OptiMOS™ FD श्रृंखला से संबंधित है, जो अपने असाधारण प्रदर्शन और उच्च विश्वसनीयता के लिए प्रसिद्ध है, जो इसे विभिन्न उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों में व्यापक रूप से लागू करता है।

पावर MOSFET एक उच्च-प्रदर्शन, बहुमुखी 200V N-चैनल MOSFET का प्रतिनिधित्व करता है। इसका कम ऑन-रेजिस्टेंस, उच्च स्विचिंग गति और कम टर्न-ऑन वोल्टेज विभिन्न उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए एक विश्वसनीय समाधान प्रदान करता है। चाहे वह दूरसंचार, औद्योगिक बिजली आपूर्ति या ऑडियो उपकरण में हो, IPB117N20NFD उच्च-प्रदर्शन पावर MOSFET के लिए उपयोगकर्ता की मांगों को पूरा करता है। उत्पाद अवलोकन
IPB117N20NFD Infineon Technologies का एक N-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर है, जो उन्नत OptiMOS™ FD (फास्ट डायोड) तकनीक का उपयोग करता है।

यह 200V IPB117N20NFD OptiMOS™ FD श्रृंखला से संबंधित है, जो विशेष रूप से बॉडी डायोड हार्ड स्विचिंग के लिए अनुकूलित है।

IPB117N20NFD एक TO-263-3 पैकेज (जिसे D2PAK के रूप में भी जाना जाता है) का उपयोग करता है, जो सतह माउंट तकनीक के लिए उपयुक्त है, जो स्वचालित उत्पादन लाइनों पर कुशल सोल्डरिंग और असेंबली की सुविधा प्रदान करता है।

पावर MOSFET एक उच्च-प्रदर्शन, बहुमुखी 200V N-चैनल MOSFET का प्रतिनिधित्व करता है। इसका कम ऑन-रेजिस्टेंस, उच्च स्विचिंग गति और कम टर्न-ऑन वोल्टेज विभिन्न उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए एक विश्वसनीय समाधान प्रदान करता है। चाहे वह दूरसंचार, औद्योगिक बिजली आपूर्ति या ऑडियो उपकरण में हो, IPB117N20NFD उच्च-प्रदर्शन पावर MOSFET के लिए उपयोगकर्ता की मांगों को पूरा करता है। मुख्य प्रदर्शन पैरामीटर
ड्रेन-सोर्स वोल्टेज (VDS): 200V
अधिकतम ऑन-रेजिस्टेंस (FOS(uv)): 11.7mΩ
निरंतर ड्रेन करंट (ID): 84A (Tc=25°C पर)
पल्स ड्रेन करंट: 336A (Tc=25°C पर, I0=67A, R0B=25Ω)
रिवर्स डायोड पीक dv/dt: 60kV/μs (ln=160A, V0B=100V, dir/t=1500A/μs, Tjmax=175°C पर)
गेट-सोर्स वोल्टेज (VGS): -20V से 20V
पावर डिसिपेशन (Pd): 300W (Tc=25°C पर)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज: -55°C से 175°C

उत्पाद की विशेषताएं
IPB117N20NFD पावर MOSFET एक उच्च-प्रदर्शन, बहुमुखी 200V N-चैनल MOSFET का प्रतिनिधित्व करता है। इसका कम ऑन-रेजिस्टेंस, उच्च स्विचिंग गति और कम टर्न-ऑन वोल्टेज विभिन्न उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए एक विश्वसनीय समाधान प्रदान करता है। चाहे वह दूरसंचार, औद्योगिक बिजली आपूर्ति या ऑडियो उपकरण में हो, IPB117N20NFD उच्च-प्रदर्शन पावर MOSFET के लिए उपयोगकर्ता की मांगों को पूरा करता है। कई उन्नत तकनीकों को एकीकृत करता है, जो निम्नलिखित प्रमुख विशेषताएं प्रदान करता है:
बढ़ी हुई मजबूती: बॉडी डायोड हार्ड स्विचिंग के तहत सहनशक्ति के लिए अनुकूलित, कठोर स्विचिंग वातावरण में सिस्टम विश्वसनीयता में सुधार।
फास्ट डायोड तकनीक: कम Qrr फास्ट डायोड (FD) तकनीक को शामिल करता है, जो रिवर्स रिकवरी चार्ज और समय को काफी कम करता है ताकि स्विचिंग पावर सप्लाई जैसे अनुप्रयोगों में बेहतर प्रदर्शन हो सके।
ऊर्जा दक्षता और पावर घनत्व: उद्योग-अग्रणी Rds(on) और Qg मापदंडों के साथ, IPB117N20NFD उच्च सिस्टम दक्षता और पावर घनत्व प्राप्त करता है, जिससे डिजाइनरों को उत्पाद के पदचिह्न को कम करने में मदद मिलती है।
पर्यावरण अनुपालन और सुरक्षा: RoHS-अनुपालक और हैलोजन-मुक्त, IPB117N20NFD आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए सख्त पर्यावरणीय आवश्यकताओं को पूरा करता है, जबकि उत्कृष्ट तापमान विशेषताओं और दीर्घकालिक स्थिरता प्रदान करता है।

अनुप्रयोग परिदृश्य
IPB117N20NFD पावर MOSFET एक उच्च-प्रदर्शन, बहुमुखी 200V N-चैनल MOSFET का प्रतिनिधित्व करता है। इसका कम ऑन-रेजिस्टेंस, उच्च स्विचिंग गति और कम टर्न-ऑन वोल्टेज विभिन्न उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए एक विश्वसनीय समाधान प्रदान करता है। चाहे वह दूरसंचार, औद्योगिक बिजली आपूर्ति या ऑडियो उपकरण में हो, IPB117N20NFD उच्च-प्रदर्शन पावर MOSFET के लिए उपयोगकर्ता की मांगों को पूरा करता है। दूरसंचार उपकरण: उच्च-दक्षता वाली बिजली प्रबंधन प्रदान करना।
औद्योगिक बिजली आपूर्ति: स्थिर बिजली वितरण सुनिश्चित करना।
क्लास डी ऑडियो एम्पलीफायर: ऑडियो उपकरणों में प्रदर्शन को बढ़ाना।
मोटर नियंत्रण: मोटर संचालन को सटीक रूप से विनियमित करना।
DC-AC इन्वर्टर: कुशल बिजली रूपांतरण को सक्षम करना।
पैकेज का प्रकार

IPB117N20NFD पावर MOSFET एक उच्च-प्रदर्शन, बहुमुखी 200V N-चैनल MOSFET का प्रतिनिधित्व करता है। इसका कम ऑन-रेजिस्टेंस, उच्च स्विचिंग गति और कम टर्न-ऑन वोल्टेज विभिन्न उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए एक विश्वसनीय समाधान प्रदान करता है। चाहे वह दूरसंचार, औद्योगिक बिजली आपूर्ति या ऑडियो उपकरण में हो, IPB117N20NFD उच्च-प्रदर्शन पावर MOSFET के लिए उपयोगकर्ता की मांगों को पूरा करता है।सारांश

मिंगजीडा इलेक्ट्रॉनिक्स द्वारा आपूर्ति किया गया Infineon
IPB117N20NFD पावर MOSFET एक उच्च-प्रदर्शन, बहुमुखी 200V N-चैनल MOSFET का प्रतिनिधित्व करता है। इसका कम ऑन-रेजिस्टेंस, उच्च स्विचिंग गति और कम टर्न-ऑन वोल्टेज विभिन्न उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों के लिए एक विश्वसनीय समाधान प्रदान करता है। चाहे वह दूरसंचार, औद्योगिक बिजली आपूर्ति या ऑडियो उपकरण में हो, IPB117N20NFD उच्च-प्रदर्शन पावर MOSFET के लिए उपयोगकर्ता की मांगों को पूरा करता है।हमसे संपर्क करें:

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