कंपनी ब्लॉग के बारे में Infineon MOSFET पावर ट्रांजिस्टर IPB017N10N5LF OptiMOS™ 5 100 V रैखिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर

मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्सः मूल इन्फिनियनIPB017N10N5LFऑप्टिमोसTM 5 रैखिक पावर एमओएसएफईटी

IPB017N10N5LFअवलोकन

दIPB017N10N5LFInfineon की OptiMOSTM 5 रैखिक FET श्रृंखला से एक एन-चैनल वृद्धि-मोड पावर MOSFET है, जिसे विशेष रूप से रैखिक मोड अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है जैसे कि गर्म-स्वैपिंग, इलेक्ट्रॉनिक फ्यूज (ई फ्यूज),और बैटरी सुरक्षायह खाई MOSFETs के अल्ट्रा-कम ऑन प्रतिरोध को सपाट MOSFETs के व्यापक सुरक्षित संचालन क्षेत्र (SOA) के साथ जोड़कर एक बहुत कम RDS ((on) 1 प्रदान करके एक सफलता प्राप्त करता है।7 mΩ (@10 V) 100 V नामित वोल्टेज पर. यह उत्कृष्ट रैखिक क्षेत्र स्थिरता और गलती सहिष्णुता भी प्रदान करता है, जिससे यह उच्च शक्ति घनत्व, उच्च विश्वसनीयता बिजली आपूर्ति प्रणालियों के लिए एक आदर्श विकल्प बन जाता है।,तत्काल शिपमेंट के लिए स्टॉक में वास्तविक उत्पाद, जो ग्राहकों को कोर पावर उपकरणों की स्थिर और विश्वसनीय आपूर्ति प्रदान करने के लिए नमूने और थोक दोनों खरीद का समर्थन करते हैं।

IPB017N10N5LFविनिर्देश

1विद्युत प्रदर्शन

ड्रेन सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (वीडीएस): 100 वी

चालू प्रतिरोध (आरडीएस ((ऑन)): अधिकतम 1.7 mΩ (वीजीएस=10 वी, आईडी=100 ए)

निरंतर निकासी धारा (ID): 256 A (25°C, Tc पर)

पल्स ड्रेन करंट (IDpulse): 720 A (tp=10 ms)

गेट चार्ज (QG): विशिष्ट 168 nC (10 V पर)

आउटपुट क्षमता (सीओएसएस): विशिष्ट 1810 पीएफ

कुल शक्ति अपव्यय (Ptot): 375W (25°C, Tc पर)

थ्रेशोल्ड वोल्टेज (वीजीएस (th)): 3V

ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान (Tj): -55°C से +175°C

2पैकेज और भौतिक विशेषताएं

पैकेज प्रकारः PG-TO263-7 (D2-PAK 7-पिन)

पिन विन्यासः पिन 1 = गेट, पिन 4 + हीट सिंक पैड = ड्रेन, पिन 2/3/5/6/7 = स्रोत (मल्टी-स्रोत समानांतर)

थर्मल प्रतिरोध (RthJC): 0.4 K/W, कम थर्मल प्रतिरोध डिजाइन, उत्कृष्ट थर्मल प्रदर्शन

पर्यावरण प्रमाणन: सीसा मुक्त, हेलोजन मुक्त, RoHS अनुरूप

3प्रमुख विशेषताएं

व्यापक सुरक्षित परिचालन क्षेत्र (SOA): रैखिक मोड में स्थिर संचालन, उच्च वर्तमान वृद्धि का सामना करता है, गर्म स्वैपिंग और शॉर्ट सर्किट सुरक्षा के लिए उपयुक्त है

अल्ट्रा-लो ऑन प्रतिरोधः 1.7 mΩ आरडीएस ((ऑन), ऑन-स्टेट पावर डिस्पैशन को काफी कम करता है और सिस्टम दक्षता में सुधार करता है

उत्कृष्ट गेट विशेषताएं: कम गेट चार्ज, तेज स्विचिंग गति, उच्च आवृत्ति और रैखिक नियंत्रण अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त

हिमस्खलन का सामना करने की क्षमताः 100% हिमस्खलन परीक्षण, मजबूत बढ़त और अधिभार प्रतिरोध के साथ

JEDEC प्रमाणितः औद्योगिक ग्रेड गुणवत्ता सुनिश्चित करने के लिए J-STD20 और JESD22 विश्वसनीयता परीक्षण पास करता है

IPB017N10N5LFलाभ

रैखिक मोड-विशिष्ट डिजाइनः गर्म-स्वैपिंग और ई-फ्यूज के लिए अनुकूलित; व्यापक एसओए रैखिक क्षेत्र में स्थिर संचालन सुनिश्चित करता है और द्वितीयक टूटने को रोकता है

अल्ट्रा-लो ऑन-प्रतिरोधः 100 वी पर 1.7 mΩ आरडीएस ((ऑन), उद्योग में अग्रणी, ऑन-स्टेट नुकसान और गर्मी उत्पादन को काफी कम करता है

उच्च धारा क्षमताः 256 ए निरंतर धारा और 720 ए पल्स धारा, उच्च शक्ति प्रणालियों की मांगों को पूरा करती है

उत्कृष्ट थर्मल प्रदर्शनः TO263-7 पैकेज + कम थर्मल प्रतिरोध डिजाइन, उच्च शक्ति घनत्व और कॉम्पैक्ट अंतरिक्ष अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त

उच्च विश्वसनीयताः औद्योगिक ग्रेड व्यापक तापमान सीमा, हिमस्खलन प्रतिरोधी, और JEDEC-प्रमाणित, दीर्घकालिक स्थिर प्रणाली संचालन सुनिश्चित करता है

IPB017N10N5LFविशिष्ट अनुप्रयोग

हॉट-स्वैप कंट्रोलर: सर्वर, संचार उपकरण और औद्योगिक बिजली आपूर्ति के लिए हॉट-स्वैप मॉड्यूल, इनरश करंट को सीमित करते हैं

इलेक्ट्रॉनिक फ्यूज (ई-फ्यूज): बैटरी मैनेजमेंट सिस्टम (बीएमएस) और पावर डिस्ट्रीब्यूशन यूनिट (पीडीयू), तेजी से ओवरकंट्रैक्ट सुरक्षा प्रदान करते हैं

बैटरी सुरक्षा सर्किट: 48V/72V बैटरी पैक, शॉर्ट सर्किट, ओवर करंट और ओवर वोल्टेज सुरक्षा प्रदान करते हैं

उच्च-शक्ति भार स्विच: औद्योगिक उपकरण, मोटर ड्राइव और नवीकरणीय ऊर्जा भंडारण प्रणालियों के लिए शक्ति नियंत्रण

सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन: सर्वर पावर सप्लाई, दूरसंचार पावर सप्लाई और एडाप्टर में उच्च दक्षता वाले सिंक्रोनस रेक्टिफिकेशन अनुप्रयोग

शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड इन्फिनियन का दीर्घकालिक स्टॉक रखता हैIPB017N10N5LFOptiMOSTM रैखिक क्षेत्र-प्रभाव ट्रांजिस्टर। हमारे पेशेवर घटक आपूर्ति श्रृंखला क्षमताओं का लाभ उठाते हुए, हम ग्राहकों को व्यापक खरीद समर्थन प्रदान करते हैं।