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कंपनी ब्लॉग के बारे में Infineon IPM018N10: 100V OptiMOS™ 5 लीनियर MOSFET, हॉट-स्वैप और बैटरी सुरक्षा के लिए अल्टीमेट पावर डेंसिटी प्रदान करता है

प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
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कंपनी ब्लॉग
Infineon IPM018N10: 100V OptiMOS™ 5 लीनियर MOSFET, हॉट-स्वैप और बैटरी सुरक्षा के लिए अल्टीमेट पावर डेंसिटी प्रदान करता है
के बारे में नवीनतम कंपनी की खबर Infineon IPM018N10: 100V OptiMOS™ 5 लीनियर MOSFET, हॉट-स्वैप और बैटरी सुरक्षा के लिए अल्टीमेट पावर डेंसिटी प्रदान करता है

शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेडवास्तविक, स्टॉक में इन्फिनियन की दीर्घकालिक आपूर्ति बनाए रखता हैIPM018N10/IPM018N10NM5LF2∙ एक 100 वी एन-चैनल पावर MOSFET OptiMOSTM 5 Linear FET 2 तकनीक के साथ। 1.7 mΩ के रूप में कम के रूप में एक पर प्रतिरोध के साथ, 285 A तक एक निरंतर निकासी वर्तमान, और एक व्यापक सुरक्षित संचालन क्षेत्र (SOA),यह उपकरण विशेष रूप से सुरक्षा अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है, जैसे कि गर्म-स्वैपिंग, इलेक्ट्रॉनिक फ्यूज (ई-फ्यूज) और बैटरी प्रबंधन प्रणाली (बीएमएस) ), जिन्हें उच्च धाराओं का सामना करने की आवश्यकता होती है।

 

उत्पाद अवलोकन: OptiMOSTM 5 रैखिक FET 2 प्रौद्योगिकी के लिए बेंचमार्क

IPM018N10 Infineon की OptiMOSTM 5 Linear FET 2 श्रृंखला से संबंधित है और इस प्लेटफॉर्म के भीतर 100V वोल्टेज वर्ग के लिए प्रदर्शन बेंचमार्क के रूप में कार्य करता है।डिवाइस में एक नया 8×8 मिमी एमटीओएलजी पैकेज (पीजी-एचएसओजी-4-1) है, LFPAK88 जैसे 8×8 mm2 विंग-टाइप पैकेज MOSFET के साथ संगत है, और एक JEDEC-पंजीकृत मानक पैकेज डिवाइस है।

 

इस उत्पाद का मुख्य डिजाइन दर्शन एक व्यापक सुरक्षित संचालन क्षेत्र (एसओए) के साथ अति-कम प्रतिरोध को जोड़ना है,विशेष रूप से सुरक्षा सर्किट के लिए अनुकूलित जो इनरश करंट का सामना करना पड़ता है और रैखिक मोड में काम करता है.

 

IPM018N10मुख्य तकनीकी विनिर्देश

ड्रेन सोर्स वोल्टेज (वीडीएस): 100 वी

निरंतर निकासी करंट (आईडी): 285 ए (टीसी)

चालू प्रतिरोध (आरडीएस ((ऑन)): अधिकतम 1.7 mΩ @ 100 ए, 15 वी

ऑपरेटिंग तापमान सीमाः -55°C से +175°C

पैकेज प्रकारः PG-HSOG-4-1 (8×8 मिमी mTOLG)

गेट चार्ज (Qg): 178 nC @ 10V

इनपुट क्षमता (Ciss): 14,000 पीएफ @ 50V

 

IPM018N10प्रमुख विशेषताएं और लाभ

उद्योग में अग्रणी ऑन-प्रतिरोधः आरडीएस ((ऑन) 1.4 mΩ से 1.7 mΩ तक कम, संवाहक हानि को काफी कम करता है और सिस्टम ऊर्जा दक्षता में सुधार करता है

व्यापक सुरक्षित परिचालन क्षेत्र (एसओए): उत्कृष्ट रैखिक मोड संचालन क्षमता, स्टार्टअप और दोष की स्थिति के दौरान सुरक्षित रूप से इनरश प्रवाह को संभालना

उच्च शक्ति घनत्वः एक कॉम्पैक्ट 8×8 मिमी पैकेज में 349 W बिजली अपव्यय प्राप्त करता है, जिससे पीसीबी स्थान की काफी बचत होती है

अनुकूलित हस्तांतरण विशेषताएं: संकीर्ण Vgs ((th) वितरण रेंज, समानांतर में कई उपकरणों से जुड़े होने पर वर्तमान साझाकरण में सुधार

100% हिमस्खलन परीक्षणः कठोर परिचालन स्थितियों में डिवाइस की विश्वसनीयता सुनिश्चित करता है

 

प्रमुख अनुप्रयोग

IPM018N10विशेष रूप से अधिभार वर्तमान संरक्षण और उच्च शक्ति घनत्व स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए आदर्श विकल्प के रूप में डिज़ाइन किया गया हैः

बैटरी प्रबंधन प्रणाली (बीएमएस): सिस्टम सुरक्षा और विश्वसनीयता सुनिश्चित करने के लिए बैटरी पैक में मुख्य सर्किट सुरक्षा और प्री-चार्ज सर्किट के लिए उपयोग किया जाता है

गर्म-स्वैप और इलेक्ट्रॉनिक फ्यूज (ई-फ्यूज): गर्म-स्वैप के दौरान विनाशकारी वोल्टेज या वर्तमान स्पाइक्स को रोकने के लिए, चिकनी धारा सीमित करने और शॉर्ट सर्किट सुरक्षा प्रदान करता है

सर्वर बिजली आपूर्ति (सर्वर पीएसयू): उच्च दक्षता, उच्च शक्ति घनत्व वाले पावर मॉड्यूल के लिए डेटा केंद्रों की सख्त आवश्यकताओं को पूरा करता है

दूरसंचार अवसंरचना: संचार उपकरण बिजली आपूर्ति में हॉट-स्वैप सुरक्षा और शक्ति रूपांतरण के लिए उपयुक्त

 

उत्पाद उद्धरण, नमूने, या सूची जानकारी का अनुरोध करने के लिए, कृपया मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स से संपर्क करेंः

संपर्क: श्री चेन

फ़ोनः 13410018555

ईमेलः +86 sales@hkmjd.com

वेबसाइटःhttps://www.integrated-ic.com/

टैगःIPM018N10NM5LF2,IPM018N10NM5LF,IPM018N10NM5L,IPM018N10NM5,IPM018N10NM,IPM018N10N,IPM018N10

पब समय : 2026-08-13 10:41:07 >> समाचार सूची
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