कंपनी ब्लॉग के बारे में INFINEON IPDD60R050G7 600V एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

INFINEONIPDD60R050G7600 वी एन-चैनल पावर एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर

उत्पाद का विवरणIPDD60R050G7
IPDD60R050G7600 V CoolMOSTM G7 सुपरजंक्शन (SJ) MOSFET को टॉप साइड कूलिंग की अभिनव अवधारणा के साथ जोड़ा गया है,पीएफसी जैसे उच्च धारा हार्ड स्विचिंग टोपोलॉजी के लिए एक सिस्टम समाधान प्रदान करना और एलएलसी टोपोलॉजी के लिए एक उच्च अंत दक्षता समाधान.

विनिर्देशIPDD60R050G7
ट्रांजिस्टर ध्रुवीयताःएन-चैनल
चैनलों की संख्या:1 चैनल
वीडीएस - ड्रेन स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज:600 वी
आईडी - निरंतर निकासी करंट:47 ए
आरडीएस ऑन - ड्रेन स्रोत प्रतिरोधः50 एमओएमएस
वीजीएस - गेट-स्रोत वोल्टेज:- 20 वी, + 20 वी
Vgs th - गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज:3 V
Qg - गेट चार्ज:68 nC
न्यूनतम संचालन तापमान:- 55 C
अधिकतम संचालन तापमानः + 150 C
पीडी - शक्ति विसर्जनः 278 W
चैनल मोडःबढ़ाव
विन्यासः एकल
गिरने का समय:3 सेकंड
उत्पाद का प्रकारःएमओएसएफईटी
उठने का समय:6 ns
सामान्य बंद होने का विलंब समयः72 ns
सामान्य चालू होने की देरी का समय:22 सेकंड
इकाई भारः763.560 मिलीग्राम

की विशेषताएंIPDD60R050G7
वर्ग में सर्वश्रेष्ठ FOM RDS ((on) x Eoss और RDS ((on) x Qg देता है
अभिनव ऊपरी पक्ष शीतलन अवधारणा
अंतर्निहित चौथी पिन केल्विन स्रोत विन्यास और कम परजीवी स्रोत प्रेरण
TCOB क्षमता >> 2,000 चक्र, MSL1 के अनुरूप और कुल पीबी मुक्त

लाभIPDD60R050G7
उच्चतम ऊर्जा दक्षता को सक्षम करना
बोर्ड और अर्धचालक के थर्मल डिस्कॉप्लिंग थर्मल पीसीबी सीमाओं को दूर करने की अनुमति देता है
कम परजीवी स्रोत प्रेरकता से उपयोग में आसानी और आसानी बढ़ जाती है
उच्च शक्ति घनत्व समाधान सक्षम करता है
उच्चतम गुणवत्ता मानकों को पार करना

अनुप्रयोगIPDD60R050G7
दूरसंचार
सर्वर
सौर
पीसी शक्ति
एसएमपीएस
1-चरण स्ट्रिंग इन्वर्टर समाधान
48 वी बिजली वितरण
डीआईएन रेल बिजली आपूर्ति
हाइड्रोजन इलेक्ट्रोलिसिस
दूरसंचार अवसंरचना

पैकेज की रूपरेखा