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कंपनी ब्लॉग के बारे में इनफिनियन आईपीबी 60 आर 045 पी 7 600 वी कूलमोस टीएम पी 7 एन-चैनल पावर एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर

प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
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कंपनी ब्लॉग
इनफिनियन आईपीबी 60 आर 045 पी 7 600 वी कूलमोस टीएम पी 7 एन-चैनल पावर एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर
के बारे में नवीनतम कंपनी की खबर इनफिनियन आईपीबी 60 आर 045 पी 7 600 वी कूलमोस टीएम पी 7 एन-चैनल पावर एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर

इन्फिनियनIPB60R045P7600 वोल्ट कूलमोसTM पी7 एन-चैनल पावर एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर

 

आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक्स उद्योग में, पावर MOSFET ट्रांजिस्टर का उपयोग पावर मैनेजमेंट,औद्योगिक नियंत्रण और ऑटोमोबाइल इलेक्ट्रॉनिक्सइनफिनियन की कूलमोस टीएम पी7 श्रृंखला अपने उत्कृष्ट प्रदर्शन और विश्वसनीयता के लिए बाजार द्वारा अत्यधिक पसंद की जाती है।शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेडएक विश्व प्रसिद्ध इलेक्ट्रॉनिक घटक वितरक के रूप में, लंबे समय से Infineon IPB60R045P7 CoolMOSTM P7 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर की आपूर्ति कर रहा है,ग्राहकों को उच्च गुणवत्ता वाले उत्पाद और पेशेवर सेवाएं प्रदान करना.

 

इन्फिनियनIPB60R045P7CoolMOSTM P7 उत्पाद अवलोकन

 

1. उत्पाद का विवरणIPB60R045P7

IPB60R045P7 600V CoolMOSTM P7 सुपरजंक्शन MOSFET 600V CoolMOSTM P6 श्रृंखला का उत्तराधिकारी है। यह डिजाइन प्रक्रिया में उपयोग में आसानी के साथ उच्च दक्षता की आवश्यकता को संतुलित करना जारी रखता है।अपनी श्रेणी में सर्वश्रेष्ठ रोंक्सए और कूलएमओएसTM 7 वीं पीढ़ी के प्लेटफॉर्म का स्वाभाविक रूप से कम गेट चार्ज (क्यूजी) इसकी उच्च दक्षता सुनिश्चित करता है.

 

के बारे में नवीनतम कंपनी की खबर इनफिनियन आईपीबी 60 आर 045 पी 7 600 वी कूलमोस टीएम पी 7 एन-चैनल पावर एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर  0

 

2, विनिर्देशIPB60R045P7

ट्रांजिस्टर ध्रुवीयता: एन-चैनल

चैनलों की संख्याः 1 चैनल

वीडीएस - ड्रेन स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेजः 120 वी

आईडी - निरंतर निकासी करंटः 61 ए

आरडीएस ऑन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोधः 45 एमओएमएस

वीजीएस - गेट-स्रोत वोल्टेजः - 20 वी, + 20 वी

Vgs th - गेट-स्रोत सीमा वोल्टेज: 1.7 वी

Qg - गेट चार्जः ९० ई.पू.

न्यूनतम संचालन तापमानः - 55 सी

अधिकतम संचालन तापमानः + 150 C

पीडी - शक्ति विसर्जन: 201 W

चैनल मोडः सुधार

विन्यासः एकल

गिरावट का समय: 5 एनएस

उठने का समय: 5 एनएस

सामान्य बंद होने का समयः 28 एनएस

सामान्य चालू होने का विलंब समयः 10 एनएस

इकाई भारः 4 ग्राम

 

३.IPB60R045P7एक उच्च प्रदर्शन एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर है, जो Infineon की CoolMOSTM P7 श्रृंखला में उन्नत MOSFET तकनीक के साथ निम्नलिखित प्रमुख विशेषताओं के साथ है:

 

उच्च वोल्टेज क्षमताः IPB60R045P7 में 650V तक का उच्च ड्रेन स्रोत वोल्टेज (Vdss) है, जिससे यह उच्च वोल्टेज अनुप्रयोग परिदृश्यों के लिए उपयुक्त है।

 

कम प्रतिरोधः IPB60R045P7 का अत्यंत कम प्रतिरोध संवाहक हानि को काफी कम करता है और समग्र दक्षता में सुधार करता है। 15.9A वर्तमान और 10V ड्राइव वोल्टेज पर,चालू प्रतिरोध (Rds On) केवल 45mOhm है, प्रभावी रूप से बिजली की खपत को कम करता है।

 

उच्च वर्तमान वाहक क्षमताः IPB60R045P7 25°C पर 48A की निरंतर निकासी धारा (Id) के साथ उच्च शक्ति आवश्यकताओं को पूरा करता है।

 

तेजी से स्विचिंग प्रदर्शनः CoolMOSTM P7 प्लेटफॉर्म की सुपरजंक्शन तकनीक के लिए धन्यवाद,IPB60R045P7 उपकरण में उच्च आवृत्ति स्विचिंग अनुप्रयोगों के लिए बेहद कम गेट चार्ज (QG) और स्विचिंग हानि है.

 

व्यापक तापमान सीमाः IPB60R045P7 कठोर वातावरण के लिए -55°C से 150°C तापमान सीमा पर काम करता है।

 

एकीकृत ईएसडी सुरक्षाः आईपीबी60आर045पी7 के अंतर्निहित ज़ेनर डायोड 2 केवी तक इलेक्ट्रोस्टैटिक डिस्चार्ज (ईएसडी) सुरक्षा प्रदान करता है, जिससे डिवाइस की विश्वसनीयता बढ़ जाती है।

 

अनुकूलित पैकेज डिजाइनः IPB60R045P7 विभिन्न अनुप्रयोग परिदृश्यों की जरूरतों को पूरा करने के लिए छेद और सतह माउंट के लिए पैकेज की एक विस्तृत श्रृंखला (जैसे, D2PAK) का समर्थन करता है।

 

4,तकनीकी लाभIPB60R045P7

उच्च दक्षता डिजाइनः IPB60R045P7 RDS(on) और QG के गुणवत्ता कारक (FOM) का अनुकूलन करके उच्च दक्षता प्राप्त करता है,यह विशेष रूप से पीएफसी और एलएलसी जैसे हार्ड- और सॉफ्ट-स्विचिंग टोपोलॉजी के लिए उपयुक्त है.

 

उपयोग में आसानी: एकीकृत गेट रेजिस्टर (आरजी) दोलन संवेदनशीलता को कम करता है और डिजाइन प्रवाह को सरल बनाता है।इसकी कम बजने की प्रवृत्ति और उत्कृष्ट बॉडी डायोड मजबूती डिजाइन जटिलता को और कम करती है.

 

उत्कृष्ट थर्मल प्रदर्शन: कम स्विचिंग और संवाहक हानि उपकरण को उच्च तापमान वातावरण में स्थिर संचालन बनाए रखने में सक्षम बनाता है, जिससे यह उच्च शक्ति घनत्व डिजाइनों के लिए उपयुक्त हो जाता है।

 

5,विशेषताओं और लाभोंIPB60R045P7

600V P7 उत्कृष्ट FOM RDS (ऑन) xEoss और RDS (ऑन) xQG को सक्षम करता है

उपयोग में आसानी

ईएसडी कठोरता ≥ 2kV (एचबीएम वर्ग 2)

एकीकृत गेट प्रतिरोध RG

कड़ाकेदार बॉडी डायोड

छेद और सतह माउंट पैकेज में व्यापक पोर्टफोलियो

दोनों मानक ग्रेड और औद्योगिक ग्रेड भागों उपलब्ध हैं

उत्कृष्ट एफओएम आरडीएस ((ऑन) एक्सक्यूजी / आरडीएस ((ऑन) एक्सईओएस उच्च दक्षता को सक्षम करते हैं

उपयोग में आसानी

ईएसडी विफलताओं को रोककर विनिर्माण वातावरण में उपयोग में आसानी

एकीकृत आरजी एमओएसएफईटी दोलन संवेदनशीलता को कम करता है

एमओएसएफईटी पीएफसी और एलएलसी जैसे कठोर और अनुनाद स्विचिंग टोपोलॉजी दोनों के लिए उपयुक्त है

एलएलसी टोपोलॉजी में देखे गए बॉडी डायोड के हार्ड कम्यूटेशन के दौरान उत्कृष्ट कठोरता

अंत अनुप्रयोगों और आउटपुट शक्तियों की एक विस्तृत विविधता के लिए उपयुक्त

उपभोक्ता और औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त उपलब्ध भाग

 

6,अनुप्रयोगIPB60R045P7

औद्योगिक बिजली आपूर्ति: इसमें सर्वर बिजली आपूर्ति, संचार उपकरण और औद्योगिक एसएमपीएस शामिल हैं, उनका उच्च प्रदर्शन और विश्वसनीयता कठोर औद्योगिक वातावरण की जरूरतों को पूरा करती है।

 

उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्सः IPB60R045P7 टीवी बिजली आपूर्ति, एडेप्टर और चार्जर के लिए उपयुक्त है, लघुकरण और उच्च प्रदर्शन डिजाइन लक्ष्यों को प्राप्त करने में मदद करता है।

 

नई ऊर्जाः आईपीबी60आर045पी7 के उच्च प्रदर्शन और कम हानि वाले गुण सौर इन्वर्टर और इलेक्ट्रिक वाहन चार्जिंग स्टेशनों में पूरी तरह से प्रदर्शित किए गए हैं।

 

7,पैकेज की रूपरेखाIPB60R045P7

के बारे में नवीनतम कंपनी की खबर इनफिनियन आईपीबी 60 आर 045 पी 7 600 वी कूलमोस टीएम पी 7 एन-चैनल पावर एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर  1

पब समय : 2025-03-17 11:26:45 >> समाचार सूची
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