कंपनी ब्लॉग के बारे में Infineon IMDQ75R हाई रोबस्ट 750V CoolSiC™ MOSFET ट्रांजिस्टर AI सर्वर अनुप्रयोगों के लिए

शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड कृत्रिम बुद्धिमत्ता सर्वर अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त उच्च विश्वसनीयता वाले 750 वी कूलसीसीTM एमओएसएफईटी की इनफिनियन की आईएमडीक्यू75आर श्रृंखला की आपूर्ति और पुनर्चक्रण करता है।

I. IMDQ75R श्रृंखला का अवलोकन

IMDQ75R श्रृंखला में Infineon की दूसरी पीढ़ी के CoolSiCTM G2 ट्रेंच-टाइप सिलिकॉन कार्बाइड MOSFET शामिल हैं।ये 750 वोल्ट के औद्योगिक ग्रेड के एसएमडी सतह-माउंट पावर डिवाइस Q-DPAK टॉप-कूल्ड पैकेज का उपयोग करते हैं और उच्च घनत्व स्विचिंग पावर सप्लाई (PSU) के लिए डिज़ाइन किए गए हैं, टोटेम-पोल पीएफसी, एलएलसी अनुनाद कनवर्टर्स और मध्यवर्ती बस कनवर्टर्स (आईबीसी), उच्च शक्ति, उच्च धारा, उच्च आवृत्ति संचालन से जुड़ी डिजाइन चुनौतियों को संबोधित करते हुए,एआई सर्वरों में कठोर थर्मल प्रबंधन और दीर्घकालिक निर्बाध संचालनइन उपकरणों ने जेडीईसी औद्योगिक विश्वसनीयता परीक्षण और 100% हिमस्खलन टूटने वाले वोल्टेज सत्यापन को पूरी तरह से पारित किया है, जिससे उच्च दक्षता प्राप्त होती है।उच्च शक्ति घनत्व और निरंतर के तहत दीर्घकालिक परिचालन विश्वसनीयता, दिन में 24 घंटे, सप्ताह में 7 दिन काम करने वाले डेटा केंद्रों में भारी भार की स्थिति।

प्रमुख पैरामीटर सारांश

- नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज V ((DSS): 750 V

- चालू प्रतिरोध आरडीएस (चालू): विशिष्ट 25 एमओ, अधिकतम 31 एमओ @ टीजे = 25 °C

- पल्स ड्रेन करंट I (डी,पल्स): 242 ए

- गेट चार्ज Q ((G): 49 एनसी

- 500 V की स्थिति में आउटपुट क्षमता में संग्रहीत ऊर्जा E ((OSS): 18.5 μJ

- पैकेजः Q-DPAK (PG-HDSOP-22) सतह-माउंट, शीर्ष ठंडा

- ऑपरेटिंग जंक्शन तापमानः 55 °C से 175 °C

II. IMDQ75R श्रृंखला के मुख्य विद्युत और पैकेजिंग पैरामीटर

1विद्युत प्रतिरोध वोल्टेज और हिमस्खलन विश्वसनीयता

जल निकासी के स्रोत का नामित वोल्टेज **750 V** है, जो पूरे जंक्शन तापमान रेंज में बनाए रखा गया है; 100 प्रतिशत उपकरणों को हिमस्खलन तनाव परीक्षण से गुजरना पड़ा है,बढ़त और वोल्टेज स्पाइक के लिए मजबूत प्रतिरोध प्रदर्शित; 4.5 वी का एक विशिष्ट गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज, एक कम Crss/Ciss अनुपात के साथ संयुक्त, उच्च गति स्विचिंग परिदृश्यों में परजीवी प्रवाह के जोखिम को काफी कम करता है,इसे एआई सर्वर बिजली आपूर्ति में उच्च घनत्व बोर्ड लेआउट से जुड़े गंभीर विद्युत चुम्बकीय हस्तक्षेप स्थितियों के लिए उपयुक्त बनानायह 7V से 11V तक के नकारात्मक गेट ड्राइव वोल्टेज की एक विस्तृत श्रृंखला का समर्थन करता है, जिससे सिस्टम की हस्तक्षेप प्रतिरोधकता और बढ़ जाती है।

2उत्कृष्ट योग्यता (एफओएम) आंकड़ा, समग्र प्रणाली घाटे को कम करता है

दूसरी पीढ़ी की ट्रेंच कूलसीसीTM प्रक्रिया के आधार पर, यह उद्योग में अग्रणी `आरडीएस (on) × क्यूएफआर (on) प्राप्त करता है, जबकि `आरडीएस (on) × क्यूएस (on) और `आरडीएस (on) × क्यूजी (on) के लिए उत्कृष्ट व्यापक एफओएम मान भी प्रदान करता है;आउटपुट क्षमता ऊर्जा भंडारण (ईओएस) और गेट चार्ज (क्यूजी) को काफी अनुकूलित किया गया हैपहली पीढ़ी के उत्पादों की तुलना में, स्विचिंग गति लगभग 25%-30% बढ़ी है, जबकि स्विचिंग हानि 30% से अधिक कम हो गई है।उच्च दक्षता प्रदर्शन दोनों हार्ड स्विचिंग और नरम स्विचिंग टोपोलॉजी में प्राप्त किया जाता है, उच्च आवृत्तियों पर काम करने के लिए एआई सर्वर बिजली की आपूर्ति में मदद करता है, चुंबकीय घटकों के आकार को कम करता है, और समग्र बिजली घनत्व में सुधार करता है।उपकरण में अत्यधिक कम रिवर्स रिकवरी चार्ज के साथ एक उच्च प्रदर्शन वाला SiC आंतरिक डायोड शामिल है, अतिरिक्त समानांतर तेजी से वसूली डायोड की आवश्यकता को समाप्त करता है और बिजली की आपूर्ति परिधीय घटकों के डिजाइन को सरल करता है।

3थर्मल डिजाइन और दीर्घकालिक परिचालन क्षमता

इन्फिनियन की स्वामित्व वाली.XT डिफ्यूजन-बॉन्ड चिप माउंटिंग प्रक्रिया और एक Q-DPAK टॉप-कूल्ड पैकेज का उपयोग करते हुए, डिवाइस में एक छोटा गर्मी पथ और उत्कृष्ट थर्मल प्रतिरोध है।एक ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान रेंज के साथ 55 °C से 175 °C तकयह उच्च परिवेश के तापमान के तहत 24/7 निरंतर पूर्ण भार संचालन का सामना कर सकता है जो एआई सर्वर कमरों के लिए विशिष्ट है। जब कई डिवाइस समानांतर में जुड़े होते हैं,वे उत्कृष्ट वर्तमान साझाकरण विशेषताओं का प्रदर्शन करते हैं, उच्च शक्ति सर्वर बिजली की आपूर्ति विस्तार डिजाइन के लिए आवश्यकताओं को पूरा करता है। पैकेज एक स्वतंत्र ड्राइव स्रोत-साइड केल्विन पिन एकीकृत,सर्किट्री में परजीवी प्रेरण को कम करने और उच्च आवृत्ति स्विचिंग स्थिरता में और सुधार करने के लिए पावर सर्किट को ड्राइव सर्किट से अलग करना.

III. IMDQ75R श्रृंखला की मुख्य तकनीकी विशेषताएं

1दूसरी पीढ़ी की कूलसीसीTM ट्रेंच सीआईसी प्रक्रिया, पिछले पीढ़ी की तुलना में डिवाइस की योग्यता के आंकड़े (एफओएम) में 20 से 35% सुधार के साथ; आर के लिए उद्योग के अग्रणी गुणवत्ता कारक_{डी.एस.}×Q_ओस्और आर_{डी.एस.}×Q_फ, चालू स्थिति और स्विचिंग हानि का दोहरी अनुकूलन प्राप्त करना।

2. उच्च विश्वसनीयता वाले सब्सट्रेट डिजाइन, 100% हिमस्खलन परीक्षण और स्क्रीनिंग के साथ, और गेट ऑक्साइड विश्वसनीयता का सख्ती से सत्यापन किया गया;नकारात्मक गेट सहिष्णुता रेंज को एआई बिजली आपूर्ति में लगातार लोड ट्रांजिट और GPU में तत्काल पीक ओवरफ्यूज के कारण होने वाले वोल्टेज गड़बड़ी से निपटने के लिए बढ़ाया गया है, जिससे उपकरण की विफलता का खतरा कम हो जाता है।

3. टॉप-कूल्ड Q-DPAK पैकेजिंग; .एक्सटी प्रसार बंधन प्रौद्योगिकी थर्मल प्रतिरोध को कम करती है और गर्मी अपव्यय दक्षता को बढ़ाती है; एसएमडी फॉर्म फैक्टर बिजली आपूर्ति बोर्डों पर उच्च घनत्व लेआउट को सुविधाजनक बनाता है,एआई सर्वर पावर सप्लाई को > 100 W/in3 के अल्ट्रा-हाई पावर डेंसिटी डिजाइन प्राप्त करने और समग्र सिस्टम फुटप्रिंट को कम करने में सक्षम बनाना.

4उत्कृष्ट उच्च आवृत्ति संगतता, कम से कम तापमान से प्रभावित स्विचिंग नुकसान के साथ, पीएफसी और एलएलसी ऑपरेटिंग आवृत्तियों में महत्वपूर्ण वृद्धि की अनुमति देता है।यह ट्रांसफार्मर और प्रेरक जैसे चुंबकीय घटकों के आकार को कम करता है, जिससे सर्वर बिजली आपूर्ति के लिए सामग्री का बिल और सिस्टम का कुल वजन कम हो जाता है।

5उपयोगकर्ता के अनुकूल समानांतर संचालन की क्षमता, स्वतंत्र ड्राइव स्रोत पिन के साथ जो समानांतर संचालन के दौरान वर्तमान असंतुलन को दबाता है,दशकों किलोवाट पर काम करने वाले एआई सर्वरों में उच्च शक्ति आपूर्ति इकाइयों की आउटपुट आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए कई उपकरणों को आसानी से समानांतर में कनेक्ट करने की अनुमति देना.

कृत्रिम बुद्धिमत्ता सर्वर अनुप्रयोगों के लिए IMDQ75R श्रृंखला का मूल्य

उच्च कंप्यूटिंग शक्ति वाले एआई सर्वरों में जीपीयू वर्कलोड बड़ी अस्थायी इनरुश धाराओं, निरंतर उच्च भारों,उच्च कैबिनेट परिवेश तापमान और साल भर निर्बाध संचालनपारंपरिक सिलिकॉन आधारित एमओएसएफईटी और आईजीबीटी उच्च आवृत्ति, उच्च शक्ति परिदृश्यों में उच्च नुकसान और महत्वपूर्ण थर्मल चुनौतियों का सामना करते हैं,बिजली आपूर्ति दक्षता और शक्ति घनत्व में सुधार को सीमित करना.

एआई कंप्यूटिंग सर्वरों में उच्च घनत्व वाले पीएसयू बिजली आपूर्ति प्रणालियों के लिए उपयुक्त, एसी ड़ब्ल्यूसी फ्रंट-एंड पीएफसी रूपांतरण चरण, रियर-एंड एलएलसी अनुनाद डीसी ड़ब्ल्यूसी रूपांतरण को कवर करता है,और एआई सर्वर में दोहरी सक्रिय ब्रिज (डीएबी) पावर मॉड्यूल.

1. बिजली रूपांतरण दक्षता में सुधारः अत्यंत कम प्रवाह और स्विचिंग हानि सर्वर बिजली की आपूर्ति के भीतर ही गर्मी उत्पादन को कम करती है,डाटा सेंटर के शीतलन प्रणालियों की बिजली की खपत कम करना, पीयूई मेट्रिक्स में सुधार करें और उच्च-कंप्यूटिंग-शक्ति वाले एआई परिदृश्यों में निरंतर उच्च-वर्तमान आउटपुट की आवश्यकताओं को पूरा करें।

2लघुकरण और उच्च शक्ति घनत्व प्राप्त करता हैः उच्च स्विचिंग आवृत्तियों पर बिजली की आपूर्ति को संचालित करने में सक्षम बनाता है, ट्रांसफार्मर और इंडक्टर जैसे निष्क्रिय घटकों के आकार को कम करता है,और सर्वर बिजली आपूर्ति के विकास को अधिक शक्ति घनत्व और छोटे रूप कारकों की ओर सुविधा.

3दीर्घकालिक प्रणाली विश्वसनीयता में सुधारः 100% हिमस्खलन परीक्षण, परजीवी प्रवाह के लिए मजबूत प्रतिरोध,और एक व्यापक जंक्शन तापमान रेंज पर काम करने की क्षमता मॉड्यूल को एआई सर्वर लोड में गंभीर उतार-चढ़ाव और बड़ी क्षणिक इनरश धाराओं का सामना करने में सक्षम बनाता है, जिससे बिजली आपूर्ति में विफलता का खतरा कम हो जाता है और कंप्यूटिंग कार्यभार का निरंतर और स्थिर संचालन सुनिश्चित होता है।

4सरलीकृत हार्डवेयर विकास: एकीकृत डायोड उत्कृष्ट रिवर्स रिकवरी विशेषताएं और ड्राइवर के अनुकूल डिजाइन प्रदान करता है,परिपक्व SiC गेट ड्राइवर चिप्स के साथ संगतता सुनिश्चित करना और सर्वर बिजली आपूर्ति परियोजनाओं के लिए विकास चक्र को छोटा करना.

V. IMDQ75R श्रृंखला के लिए विशिष्ट अनुप्रयोग परिदृश्य

कृत्रिम बुद्धिमत्ता/एआई कंप्यूटिंग सर्वर स्विचिंग पावर सप्लाई (पीएसयू)

डाटा सेंटर हाई वोल्टेज डायरेक्ट करंट इंटरमीडिएट बस कन्वर्टर्स (आईबीसी)

टोटेम-पोल पीएफसी और एलएलसी रेज़ोनेंट पावर कन्वर्शन टोपोलॉजी

उच्च अंत दूरसंचार बिजली आपूर्ति और निर्बाध बिजली आपूर्ति (UPS)

औद्योगिक उच्च-शक्ति SMPS स्विचिंग पावर सप्लाई सिस्टम

Infineon IMDQ75R श्रृंखला के उत्पाद:

IMDQ75R011M2H

IMDQ75R020M2H

IMDQ75R033M2H

IMDQ75R040M2H

IMDQ75R050M2H