कंपनी ब्लॉग के बारे में इन्फिनिऑन IKW25N120T2 1200V 25A IGBT ट्रांजिस्टर एंटी-पैरेलल डायोड के साथ

शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड इन्फिनियन की आपूर्ति करता हैIKW25N120T21200V 25A IGBT ट्रांजिस्टर एक एंटी-पैरेलल डायोड के साथ।

मैं.IKW25N120T2मॉडल और उत्पाद की स्थिति

IKW25N120T2 Infineon की दूसरी पीढ़ी (T2) TRENCHSTOP श्रृंखला का 1200V/25A एकल-ट्रांजिस्टर IGBT है। यह ′′DuoPack′′ कॉन्फ़िगरेशन का उपयोग करता है,जो सॉफ्ट-रिकवरी के साथ आईजीबीटी चिप को एकीकृत करता है, एक एकल पीजी-टीओ-247-3 प्लास्टिक पैकेज में तेजी से वसूली उत्सर्जक नियंत्रित डायोड, आदेश कोड IKW25N120T2FKSA1 और सिल्कस्क्रीन अंकन K25T1202 के साथ।

मॉडल का नाम स्पष्ट रूप से विनिर्देशों को दर्शाता हैः IK एक IGBT को एक विरोधी समानांतर डायोड के साथ दर्शाता है (जबकि IG से शुरू होने वाला नाम एक एकल-चिप IGBT को बिना डायोड के दर्शाता है);¥W ¥ TO-247 पैकेज के लिए खड़ा है; 25 का तात्पर्य 100 डिग्री सेल्सियस के तापमान पर 25 ए की एक नाममात्र कलेक्टर धारा से है; 120 का तात्पर्य 1200 वी का एक नाममात्र वोल्टेज से है; T2 का तात्पर्य दूसरी पीढ़ी के TRENCHSTOP प्लेटफॉर्म से है,Infineon की चौथी पीढ़ी के IGBT (IGBT4) की trench-gate field-stop संरचना से व्युत्पन्न चिप तकनीक के साथइसकी आधिकारिक रूप से अनुशंसित स्विचिंग आवृत्ति सीमा 2 kHz से 20 kHz है;यह एक कम आवृत्ति हार्ड-स्विचिंग डिवाइस के रूप में तैनात है जो संवाहक हानि को प्राथमिकता देता है जबकि स्विचिंग हानि को भी ध्यान में रखता है, जो उच्च आवृत्ति संचालन के लिए डिज़ाइन की गई H3 श्रृंखला का पूरक है।

II. तकनीकी मंच और संरचनात्मक विशेषताएंIKW25N120T2

इस यंत्र के केंद्र में एक कम्पोजिट संरचना है जिसमें एक खाई गेट और एक फील्ड स्टॉप शामिल है। खाई गेट नहर को समतल से ऊर्ध्वाधर में बदल देता है,कोशिका घनत्व और ट्रांसकंडक्टेंस को बढ़ाना; फील्ड स्टॉप परत बहाव क्षेत्र के पूंछ के अंत में एक बफर बनाता है, जिससे 1200 वी ब्रेकडाउन वोल्टेज बनाए रखते हुए चिप को पतला बनाया जा सकता है,इस प्रकार एक साथ संतृप्ति वोल्टेज गिरावट और बंद बंद पूंछ वर्तमान को कम. पहले के सपाट-गेट आईजीबीटी की तुलना में, यह पीढ़ी केवल स्विचिंग नुकसान के लिए ऑन-स्टेट नुकसान का व्यापार करने के बजाय स्थिर और गतिशील दोनों विशेषताओं में सुधार प्रदान करती है।

समानांतर विरोधी डायोड एक उत्सर्जक नियंत्रित, उच्च दक्षता (HE) डिजाइन का उपयोग करता है, जो एक बहुत ही नरम वसूली तरंग रूप और नियंत्रित वसूली शुल्क की विशेषता है।यह आईजीबीटी चालू होने के समय डायोड के पीक रिवर्स रिकवरी करंट को दबा देता है, इस प्रकार चालू होने के नुकसान और ईएमआई को कम करता है। यह ¥ डुओपैक ¥ पैकेज का व्यावहारिक मूल्य भी हैःआईजीबीटी और इसके डायोड को एक ही निर्माता द्वारा एक ही चिप क्षेत्र में फिट करने के लिए डिज़ाइन और मिलान किया गया हैउपयोगकर्ताओं को खुद एक अलग फास्ट रिकवरी डायोड का चयन करने की आवश्यकता नहीं है, जिससे अंतरिक्ष और लागत की बचत होती है जबकि असंगत त्रुटियों से बचा जाता है।

III. मुख्य स्थैतिक पैरामीटरIKW25N120T2

कलेक्टर/एमिटर वोल्टेज (VCE) 1200 V है (VGE = 0 V और IC = 500 μA पर मापा जाता है); अधिकतम गेट/एमिटर वोल्टेज ±20 V है; ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान सीमा −40 °C से +175 °C है;और भंडारण तापमान सीमा -55 °C से +150 °C है.

वर्तमान क्षमता को दो स्तरों में विभाजित किया गया हैः 25 °C के केस तापमान (TC) पर 50 A की DC कलेक्टर धारा, जो TC = 110 °C पर 25 A तक गिर जाती है; इससे ₹25 A ₹ रेटिंग की उत्पत्ति की व्याख्या होती है;धड़कन कलेक्टर वर्तमान ICPuls 100 ए है (Tjmax द्वारा सीमित), जबकि बंद करने के लिए सुरक्षित संचालन क्षेत्र (एसओए) भी 100 ए (वीसीई ≤ 1,200 वी, टीजे ≤ 175 °C) है। डायोड पक्षः आगे की धारा 40 ए TC = 25 °C और 25 ए TC = 110 °C पर है; पल्सड धारा 100 ए है।

संतृप्ति वोल्टेज ड्रॉप VCEsat, VGE = 15 V और IC = 25 A की स्थितियों में, आमतौर पर 1.7 V 25 °C (अधिकतम 2.2 V), आमतौर पर 2.1 V 150 °C, और आमतौर पर 2.2 V 175 °C पर है।ये आंकड़े 1200 V/25 A वर्ग के लिए निचले हिस्से पर हैं, जो सीधे T2 प्लेटफॉर्म के ¥ कम VCEsat ¥ बिक्री बिंदु को दर्शाता है। इससे भी महत्वपूर्ण बात यह है कि VCEsat में एक सकारात्मक तापमान गुणांक है;वोल्टेज गिरावट उच्च तापमान पर घटने के बजाय बढ़ जाती हैजब कई उपकरणों को समानांतर में जोड़ा जाता है, तो धारा स्वाभाविक रूप से संतुलित होती है, जिससे व्यक्तिगत उपकरणों द्वारा उत्पन्न थर्मल रनवे को रोका जा सकता है।निर्माता स्पष्ट रूप से एक विशेषता के रूप में “आसान समानांतरता” को सूचीबद्ध करता है.

अन्य स्थैतिक मापदंडः गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज VGEth 5.2 V / 5.8 V / 6.4 V (न्यूनतम / विशिष्ट / अधिकतम) है, और ट्रांसकंडक्टेंस gfs आमतौर पर 13.5 S (VCE = 20 V, IC = 25 A) है।थ्रेशोल्ड वोल्टेज के इस व्यापक वितरण का अर्थ है कि डिवाइस सीधे तर्क-स्तर के ड्राइवरों के साथ संगत नहीं है (जैसे 3.3 V या 5 V); एक समर्पित IGBT ड्राइवर +15 V चालू वोल्टेज के साथ इस्तेमाल किया जाना चाहिए। शून्य-गेट वोल्टेज रिसाव वर्तमान ICES लगभग 0.4 mA 25 °C और 1,200 V, लगभग 4 mA 150 °C पर है,और 175 °C पर 20 mA तक पहुँच सकता हैउच्च तापमान अवरुद्ध हानि को उच्च वोल्टेज स्टैंडबाय या उच्च तापमान वातावरण में ध्यान में रखा जाना चाहिए और सामान्य तापमान के लिए मानों का उपयोग करके अनुमान नहीं लगाया जा सकता है।

डायोड की आगे की वोल्टेज गिरावट (वीएफ) आम तौर पर 25 °C पर 1.65 वी और 150 °C पर 1.7 वी है जब आईएफ = 25 ए, अधिकतम 2.2 वी के साथ।

IV. गतिशील मापदंड और स्विचिंग हानिIKW25N120T2

इनपुट क्षमता Ciss 1600 पीएफ है, आउटपुट क्षमता Coss 155 पीएफ है, और रिवर्स ट्रांसफर क्षमता Crss 90 पीएफ है (VCE = 25 V, VGE = 0 V, 1 MHz); गेट चार्ज QGate 120 nC है (VCC = 960 V,आईसी = 25 एइस डेटा सेट से ड्राइव पावर निर्धारित होती हैः सूत्र Qg × ΔVGE × fsw का उपयोग करके अनुमानित, गेट ड्राइव पावर 10 kHz पर लगभग 0.12 μC × 23 V × 10 k, ≈ 28 mW है।ड्राइवर पर भार बहुत हल्का होता है; मुख्य चुनौती अपर्याप्त ड्राइव शक्ति के बजाय मिलर क्षमता से डीवीडी/डीटी के कारण गलत ट्रिगरिंग में निहित है।

एक प्रेरक भार के साथ परीक्षण परिस्थितियों में, VCC = 600 V, IC = 25 A, VGE = 0/15 V, और RG = 16.4 Ω, 25 °C पर स्विचिंग विशेषताएं निम्नानुसार हैंः चालू होने की देरी td (ऑन) 27 ns,वृद्धि समय tr 20 ns, बंद होने में देरी td (बंद) 265 ns, गिरने का समय tf 95 ns, चालू होने की ऊर्जा Eon 1.55 mJ, बंद होने की ऊर्जा Eoff 1.35 mJ, और कुल स्विचिंग ऊर्जा Ets 2.9 mJ; 175 °C पर, td (बंद) 25 ns, tr 24 ns है,td (बंद) 340 ns है, tf 164 ns, Eon 2.25 mJ, Eoff 2.05 mJ, Ets 4.3 mJ है।

इस डेटा सेट का सबसे उल्लेखनीय पहलू तापमान प्रभाव हैः जबकि चालू करने के मापदंड लगभग अपरिवर्तित रहते हैं, चालू करने के मापदंड काफी खराब हो जाते हैं,टीएफ 95 एनएस से बढ़कर 164 एनएस और ईओएफ में लगभग 52 प्रतिशत की वृद्धि के साथयह उच्च तापमान पर बढ़ी हुई पूंछ धारा के कारण होता है, जो सभी IGBT की एक सामान्य विशेषता है। नतीजतन, थर्मल डिजाइन गणना 25°C पर Eoff मूल्य पर आधारित नहीं होनी चाहिए;125°C या 175°C के लिए मानों का उपयोग करके एक सुरक्षा सीमा लागू की जानी चाहिएइसके अतिरिक्त, डेटा शीट में यह भी बताया गया है कि ईओएन में डायोड रिवर्स रिकवरी हानि पहले से ही शामिल है।जब सिस्टम स्तर के अनुमान के लिए ईटी का उपयोग किया जाता है, दोहरी गिनती से बचने के लिए Qrr हानि को अलग से नहीं जोड़ें।

175 डिग्री सेल्सियस पर 4.3 एमजे के ईटीएस के आधार पर, स्विचिंग हानि 10 kHz पर लगभग 43 W और 20 kHz पर लगभग 86 W है।यह बताता है कि निर्माता ने उच्च आवृत्तियों पर 20 kHz पर ऊपरी सीमा क्यों निर्धारित की है, स्विचिंग हानि तेजी से दक्षता लाभ को कम कर देगी, जो तब एच 3 या आईजीबीटी 7 उपकरणों के दायरे में आ जाएगी।

V. विवरणIKW25N120T2समानांतर विरोधी डायोड

डायोड रिवर्स रिकवरी टाइम (trr) VR = 600 V, IF = 25 A, और diF/dt ≈ 1050 A/μs की स्थितियों में 25°C पर 195 ns और 175°C पर 290 ns है; रिवर्स रिकवरी चार्ज (Qrr) 2 है।05 μC 25 °C पर और 3.65 μC 175 °C पर; पीक रिवर्स रिकवरी करंट (Irrm) 25 °C पर 20 A और 175 °C पर 24 A है; रिकवरी करंट के क्षय का ढलान (dirr/dt) 25 °C पर 475 A/μs और 175 °C पर 330 A/μs है।

इस डेटा सेट की ′′नरम′′ प्रकृति अपेक्षाकृत कोमल dirr/dt में परिलक्षित होती है, जो उच्च तापमान पर और धीमी हो जाती है; वसूली प्रक्रिया में धारा का तेज गिरावट नहीं होती है,और इसलिए बस परजीवी प्रेरण के माध्यम से बड़े वोल्टेज स्पाइक्स प्रेरित नहीं करता, जिसके परिणामस्वरूप अच्छा ईएमआई प्रदर्शन होता है। व्यापार-बंद अपेक्षाकृत उच्च क्यूआरआर (3,65 μC 175°C पर) है; 20 kHz हार्ड स्विचिंग ब्रिज आर्म में,डायोड वसूली के नुकसान कुल नुकसान का एक महत्वपूर्ण हिस्सा होंगेइंजीनियरिंग समझौता इस प्रकार हैः यदि आवेदन कम शोर, कम वोल्टेज स्पाइक्स और समग्र प्रणाली विश्वसनीयता को प्राथमिकता देता है, तो यह नरम वसूली संयोजन अच्छी तरह से उपयुक्त है;यदि लक्ष्य उच्च आवृत्ति में उच्चतम संभव दक्षता प्राप्त करना है, तो तेजी से वसूली समय के साथ डायोड, जैसे कि एच 3 या आईजीबीटी 7 के साथ संगत, इसके बजाय इस्तेमाल किया जाना चाहिए।

VI.IKW25N120T2शॉर्ट सर्किट क्षमता और सुरक्षित संचालन क्षेत्र

शॉर्ट सर्किट प्रतिरोध समय (tSC) 10 μs है, VGE = 15 V, VCC ≤ 600 V, और 175 °C के प्रारंभिक जंक्शन तापमान की परीक्षण स्थितियों में;यह निर्दिष्ट है कि शॉर्ट सर्किट चक्रों की संख्या 1 से कम होनी चाहिए,000, प्रत्येक शॉर्ट सर्किट घटना के बीच 1 से अधिक सेकंड के अंतराल के साथ। शॉर्ट सर्किट धारा के संबंध में, VGE = 15 V, VCC = 600 V और tSC ≤ 10 μs की स्थिति में,सामान्य शॉर्ट सर्किट धारा 150 A 25 °C के प्रारंभिक जंक्शन तापमान पर और 115 A 175 °C के प्रारंभिक जंक्शन तापमान पर होती है, जो कि रेटेड करंट का लगभग 4.6 से 6 गुना है।

10 μs खिड़की सुरक्षा डिजाइन पर स्पष्ट आवश्यकताओं को लागू करता हैः desaturation का पता लगाने के लिए रिक्त समय 10 μs से कम होना चाहिए,और नरम बंद करने की ढलान पर्याप्त रूप से कोमल होनी चाहिए ताकि बंद करने के समय डी/डीटी को भटकने वाले प्रेरण के माध्यम से अधिभार को प्रेरित करने और टूटने से रोकने के लिए10 माइक्रोन से अधिक समय तक चलने वाला शॉर्ट सर्किट अनिवार्य रूप से विफलता का कारण बनता है; इसलिए, यह एक "वैकल्पिक सुरक्षा" नहीं है, बल्कि एक अनिवार्य आवश्यकता है।यह भी ध्यान दिया जाना चाहिए कि 175°C के प्रारंभिक जंक्शन तापमान पर, शॉर्ट सर्किट का प्रवाह कम हो जाता है और खिड़की तंग हो जाती है; इसलिए, उच्च तापमान, भारी भार संचालन स्थितियों में सुरक्षा सीमा के लिए एक मार्जिन की अनुमति दी जानी चाहिए।

VII. थर्मल डिजाइन और पावर डिसिपेशन का अनुमानIKW25N120T2

थर्मल प्रतिरोध Rthjc (IGBT) 0.43 K/W है, डायोड Rthjc 0.81 K/W है, और जंक्शन-टू-एम्बिओरमेंट थर्मल प्रतिरोध Rthja 40 K/W है (बिना हीट सिंक, प्राकृतिक संवहन;केवल संदर्भ के लिए)TC = 25 °C पर, कुल शक्ति अपव्यय Ptot 349 W है, जो केस तापमान के साथ रैखिक रूप से घटता है।

25 A, 150 °C और 10 kHz की विशिष्ट परिचालन स्थितियों के आधार पर एक मोटी गणनाः संवाहक हानि लगभग 25 A × 2.1 V ≈ 52.5 W है और स्विचिंग हानि लगभग 2.9 से 4 है।3 mJ × 10 kHz ≈ 29 से 43 Wइनका योग लगभग 80 से 95 W है। Rthjc 0.43 K/W मानकर, जंक्शन और केवल मामले के बीच तापमान अंतर 35 से 41 K है;यदि केस का तापमान 80 °C पर नियंत्रित किया जाता है, जंक्शन तापमान पहले से ही 120 से 125 °C के करीब है, 175 °C की ऊपरी सीमा से पहले कुछ हेडरूम छोड़ रहा है, लेकिन यह मार्जिन 20 kHz पर तेजी से संकुचित हो जाएगा।यह दर्शाता है कि यह उपकरण मध्यम आवृत्तियों के अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।, उच्च धाराओं, और एक अच्छी तरह से डिजाइन किया गया हीट सिंक, उच्च आवृत्तियों से निपटने के लिए एक छोटे से हीट सिंक को मजबूर करने के बजाय।

डायोड का थर्मल प्रतिरोध IGBT (0.81 K/W) का लगभग दोगुना है; ब्रिज सर्किट में जहां फ्री-व्हीलिंग ड्यूटी साइकिल उच्च है या पावर फैक्टर कम है (यानीउच्च प्रतिक्रियाशील शक्ति घटक), डायोड जंक्शन का तापमान सबसे पहले अपनी सीमा तक पहुंच सकता है। हीट सिंक का चयन करते समय और जंक्शन तापमान की गणना करते समय डायोड की अलग से गणना की जानी चाहिए;एक IGBT के लिए केवल थर्मल प्रतिरोध वक्र पर भरोसा नहीं करना चाहिए.

VIII. मुख्य डिजाइन विचारIKW25N120T2ड्राइवर और समानांतर विन्यास

गेट ड्राइवर के लिए, +15 वी का चालू वोल्टेज और लगभग -8 वी का बंद वोल्टेज की सिफारिश की जाती है।एक नकारात्मक टर्न-ऑफ पूर्वाग्रह डीवी/डीटी-प्रेरित झूठी ट्रिगरिंग के प्रतिरोध में काफी सुधार करता है1200 वोल्ट के उपकरणों के लिए विशेष रूप से महत्वपूर्ण है। डेटा शीट में स्विचिंग पैरामीटर RG = 16.4 Ω के लिए दिए गए हैं।इस मूल्य के आसपास समायोजन किया जा सकता है: आरजी में वृद्धि से डायोड और स्पाइक कम होते हैं और ईएमआई को दबाया जाता है, लेकिन स्विचिंग हानि बढ़ जाती है; आरजी में कमी का विपरीत प्रभाव पड़ता है।चालू पक्ष पर प्रतिरोध बहुत कम सेट नहीं किया जाना चाहिए, अन्यथा पीक रिकवरी करंट और दोलन बढ़ेगा।

TO-247 पैकेज का आंतरिक गेट प्रतिरोध RGint 0 है, जिसका अर्थ है कि पूरे गेट प्रतिरोध को बाहरी रूप से प्रदान किया जाता है, जो काफी डिजाइन लचीलापन प्रदान करता है।इसका मतलब यह भी है कि कोई भी आंतरिक damping है; यहां तक कि थोड़ा लंबा गेट सर्किट निशान आसानी से दोलन का कारण बन सकता है। इसलिए लेआउट ड्राइव सर्किट को डिवाइस के जितना संभव हो उतना करीब रखना चाहिए, एकल-बिंदु ग्राउंड का उपयोग करना चाहिए,और बिजली सर्किट और गेट सर्किट के बीच युग्मन को रोकने. आंतरिक उत्सर्जक प्रेरण (LE) लगभग 13 nH है (केस से 5 मिमी मापा जाता है) ।यह मान बंद करने की गति को सीमित करेगा और वोल्टेज स्पाइक्स को बढ़ाएगा; यह एक ऐसा क्षेत्र है जहां इस तरह के प्रभावों को दबाने के लिए लेआउट के दौरान केल्विन कनेक्शन या कॉम्पैक्ट बसबार का उपयोग किया जाना चाहिए।

समानांतर संचालन के संबंध में, VCEsat का सकारात्मक तापमान गुणांक स्वाभाविक रूप से स्थैतिक धारा साझा करने में सुविधा प्रदान करता है, जिसे आधिकारिक तौर पर "आसान समानांतर" कहा जाता है।समानांतर में दो बिंदुओं पर ध्यान देने की आवश्यकता है: प्रथम, VGEth में 5.2 से 6.4 V का प्रसार चालू होने के समय में मामूली भिन्नताएं पैदा करेगा; प्रत्येक उपकरण के लिए स्वतंत्र गेट प्रतिरोधों का उपयोग करके गतिशील धारा साझा करने को संतुलित किया जाना चाहिए; दूसरा,समानांतर करने के बाद, कुल Qg और Ciss में घातीय वृद्धि होती है, इसलिए ड्राइवर के पीक करंट को तदनुसार बढ़ाया जाना चाहिए। एकाधिक उपकरणों के बीच एक एकल गेट प्रतिरोधक साझा करने की सिफारिश नहीं की जाती है।

IX. सामान्य अनुप्रयोग परिदृश्यIKW25N120T2

इसके 1200 वी, 25 ए और 2 से 20 केएचजेड के विनिर्देशों को देखते हुए, इस उपकरण का सबसे आम तौर पर उपयोग किया जाता हैःआवृत्ति परिवर्तक और सामान्य प्रयोजन के आवृत्ति परिवर्तकमध्यम से निम्न शक्ति वाले अर्ध-पुल या आर्क वेल्डर और प्रेरण हीटिंग में एकल-अंत टोपोलॉजी; फोटोवोल्टिक और ऊर्जा भंडारण प्रणालियों में कम शक्ति वाले ग्रिड-कनेक्टेड या ऑफ-ग्रिड चरण;चार्जर और औद्योगिक बिजली आपूर्ति में हार्ड स्विचिंग हाफ-ब्रिजऔर तीन चरण मोटर ड्राइव में 1 किलोवाट के आसपास की शक्ति सीमा।

ऐसे अनुप्रयोगों में जहां 380 वी त्रि-चरण रेक्टिफायर लगभग 540 वी का बस वोल्टेज उत्पन्न करता है, या जहां एकल-चरण 220 वी की आपूर्ति 400 वी बस तक बढ़ाई जाती है, तो 1, द्वारा प्रदान किया गया मार्जिन,200 वी प्रतिरोध वोल्टेज, आरसीडी क्लैंपिंग या सॉफ्ट स्विचिंग के साथ जोड़ा जाता है, वह बंद होने वाले स्पाइक्स और बिजली के प्रवाह में उतार-चढ़ाव को संभालने के लिए पर्याप्त है, जो 600 वी-क्लास डिवाइस हासिल नहीं कर सकते हैं।यदि बस लम्बे समय तक 800 वी या उससे अधिक पर काम करती है, ओवरज्यूज मार्जिन का पुनर्मूल्यांकन किया जाना चाहिए, या एक केल्विन एमिटर के साथ चार-पिन पैकेज का उपयोग बंद ओवरवोल्टेज सुरक्षा में सुधार करने के लिए किया जाना चाहिए।

सारांश:IKW25N120T2एक 1200V/25A हार्ड स्विचिंग IGBT है जिसमें एक स्पष्ट रूप से परिभाषित अनुप्रयोग और उत्कृष्ट पैरामीटर स्थिरता है। इसका मूल्य चरम प्रदर्शन में नहीं है, बल्कि इसकी स्थिरता सुनिश्चित करने की क्षमता में है,2 से 20 kHz तक की व्यापकतम औद्योगिक शक्ति सीमा में डिजाइन और लागत नियंत्रण की आसानी, बहुत ही नरम मिलान डायोड, सकारात्मक तापमान गुणांक (पीटीसी) समानांतरता और 10 μs शॉर्ट सर्किट का सामना करने की क्षमता। केवल इसके तापमान विशेषताओं को समझकर,थर्मल प्रतिरोध वितरण और जीवन चक्र की स्थिति क्या इस उपकरण का पूर्ण क्षमता तक उपयोग किया जा सकता है.