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कंपनी ब्लॉग के बारे में Infineon IGBT मॉड्यूल FP50R12W2T7 EasyPIMTM 2B 1200V/50A 7 वीं पीढ़ी TRENCHSTOPTM IGBT7 पावर मॉड्यूल

प्रमाणन
चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र
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कंपनी ब्लॉग
Infineon IGBT मॉड्यूल FP50R12W2T7 EasyPIMTM 2B 1200V/50A 7 वीं पीढ़ी TRENCHSTOPTM IGBT7 पावर मॉड्यूल
के बारे में नवीनतम कंपनी की खबर Infineon IGBT मॉड्यूल FP50R12W2T7 EasyPIMTM 2B 1200V/50A 7 वीं पीढ़ी TRENCHSTOPTM IGBT7 पावर मॉड्यूल

शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेडइन्फिनियन आईजीबीटी पावर मॉड्यूल की पूरी श्रृंखला की आपूर्ति करने में विशेषज्ञता रखता है। वर्तमान में हमारे पास ब्रांड नए, मूल एफपी 50 आर 12 डब्ल्यू 2 टी 7 मॉड्यूल स्टॉक में हैं।यह सातवीं पीढ़ी TRENCHSTOP TM IGBT7 प्रौद्योगिकी का उपयोग कर एक तीन चरण इनपुट rectified पीआईएम (पावर एकीकृत मॉड्यूल) है, विशेष रूप से मोटर ड्राइव, सहायक इन्वर्टर और एयर कंडीशनिंग सिस्टम जैसे औद्योगिक अनुप्रयोगों के लिए डिज़ाइन किया गया है। इसमें अल्ट्रा-लो संतृप्ति वोल्टेज ड्रॉप, 175 डिग्री सेल्सियस ओवरलोड क्षमता है,और PressFIT crimping तकनीक.

 

FP50R12W2T7उत्पाद का अवलोकन

FP50R12W2T7एक Infineon EasyPIMTM 2B तीन चरण PIM (पावर एकीकृत मॉड्यूल) सातवीं पीढ़ी TRENCHSTOPTM IGBT7 trench-gate field-stop तकनीक पर आधारित है। विनिर्देशः 1200V/50A। IGBTs को एकीकृत करता है,तेज़ डायोड, और एनटीसी तापमान सेंसर एक इकाई में। विशेष रूप से औद्योगिक आवृत्ति रूपांतरण, सर्वो सिस्टम, यूपीएस और नवीकरणीय ऊर्जा उपकरणों के लिए डिज़ाइन किया गया, यह कम नुकसान प्रदान करता है,उच्च अधिभार क्षमता, और लंबी सेवा जीवन।

 

विनिर्देश

निर्माता: Infineon

मॉडल:FP50R12W2T7(FP50R12W2T7_B11)

पैकेजः EasyPIMTM 2B (56.7×48mm)

वोल्टेज / करंटः VCE = 1200V, IC = 50A (100A पीक)

आईजीबीटी प्रौद्योगिकीः ट्रेंचस्टॉपTM आईजीबीटी7 (7वीं पीढ़ी का ट्रेंच गेट)

संतृप्ति वोल्टेज ड्रॉपः VCE(sat) = 1.5V @ 25°C (कम हानि)

डायोड: सातवीं पीढ़ी के एमिटर नियंत्रित फास्ट डायोड

ऑपरेटिंग तापमानः -40°C से +175°C (उच्च अधिभार)

इन्सुलेशन वोल्टेजः 2.5 kV AC / 1 मिनट

एकीकृतः एनटीसी थर्मिस्टोर (तापमान सेंसर)

माउंटिंगः प्रेसफिट क्रिमप पिन, इकट्ठा करने में आसान, उच्च विश्वसनीयता

 

FP50R12W2T7विशेषताएं

• विद्युत विशेषताएं

- वीसीईएस = 1200 वी

- IC nom = 50 A / ICRM = 100 A

- ट्रेंच-गेट IGBT7

- 175 डिग्री सेल्सियस तक ओवरलोड ऑपरेशन

- कम VCEsat

• यांत्रिक गुण

- कम थर्मल प्रतिरोध Al2O3 सब्सट्रेट

- वेल्डिंग तकनीक

- उच्च शक्ति घनत्व

- कॉम्पैक्ट डिजाइन

- 2.5 kV AC 1 मिनट का इन्सुलेशन

 

FP50R12W2T7अनुशंसित अनुप्रयोग

• एयर कंडीशनिंग

• सहायक इन्वर्टर

• मोटर ड्राइव

 

पैकेज का अवलोकन

FP50R12W2T7निम्नलिखित विनिर्देशों के साथ एक Infineon EasyPIMTM 2B मानक पावर मॉड्यूल पैकेज में रखा गया है:

पैकेज आयाम (L × W): 56.7 mm × 48 mm

ऊंचाईः 12 मिमी

सीसा का प्रकारः PressFIT (FP50R12W2T7_B11 संस्करण) या सोल्डर्ड सीसा (FP50R12W2T7 मानक संस्करण)

सब्सट्रेट सामग्रीः Al2O3 एल्यूमीनियम ऑक्साइड सिरेमिक

माउंटिंग विधिः सतह माउंट / छेद के माध्यम से संगत

 

मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स द्वारा आपूर्ति किए जाने वाले सभी उत्पाद ब्रांड नए, वास्तविक और प्रामाणिक हैं, चिप की गुणवत्ता सुनिश्चित करते हैं और गैर-प्रामाणिक स्रोतों जैसे कि नवीनीकृत, नकली,या ढीली पैकेजिंग वाले सामानचाहे आपको नमूने, छोटे बैच खरीद या बड़े पैमाने पर उत्पादन आपूर्ति की आवश्यकता हो, मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स लचीले आपूर्ति समाधान और अत्यधिक प्रतिस्पर्धी मूल्य निर्धारण प्रदान कर सकता है।

 

संपर्क जानकारी:

संपर्क व्यक्ति: श्री चेन

फोन: +86 13410018555

ईमेलः sales@hkmjd.com

वेबसाइटःhttps://www.integrated-ic.com/

पब समय : 2026-04-07 10:11:22 >> समाचार सूची
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