कंपनी ब्लॉग के बारे में Infineon F4-33MR12W1M1H-B76 1200 V CoolSiCTM MOSFET Fore PACK एच-ब्रिज मॉड्यूल

शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड ने नए मूल पैकेजिंग में इनफिनियन एफ4-33एमआर12डब्ल्यू1एम1एच-बी76 1200 वी कूलसीसीटीएम एमओएसएफईटी फॉर पैक एच-ब्रिज मॉड्यूल पेश किया

F4-33MR12W1M1H-B76 का परिचय

यह पहली पीढ़ी का 1200 वी, 33 एमओएम EasyPACKTM 1B CoolSiCTM MOSFET Fore PACK एच-ब्रिज मॉड्यूल है जिसमें एनटीसी तापमान सेंसर और प्रेसफिट क्रिमप तकनीक है।

विशेषता विवरण

बकाया पैकेज, 12 मिमी तक की ऊंचाई

उन्नत वाइड बैंडगैप (WBG) अर्धचालक सामग्री

बहुत कम मॉड्यूल भटकने वाले प्रेरण

उन्नत पहली पीढ़ी के कूलसीसीTM एमओएसएफईटी

बड़े गेट ड्राइव वोल्टेज रेंज

गेट स्रोत वोल्टेजः +23 वी और -10 वी

ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान (Tvjop): अतिभारित परिस्थितियों में 175°C तक

PressFIT क्रिमप पिन

एकीकृत एनटीसी तापमान सेंसर

लाभ

उत्कृष्ट मॉड्यूल दक्षता

सिस्टम लागत लाभ

प्रणाली की दक्षता में सुधार

कम गर्मी अपव्यय आवश्यकताएं

उच्च आवृत्तियों को सक्षम करता है

बढ़ी हुई शक्ति घनत्व

अनुप्रयोग क्षेत्र

निर्बाध विद्युत आपूर्ति (UPS)

ऊर्जा भंडारण प्रणाली

इलेक्ट्रिक वाहनों का तेज़ चार्जिंग

सौर प्रणाली समाधान

कंपनी होमःwww.hkmjd.com