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कंपनी ब्लॉग के बारे में इन्फीनियन BSC500N20NS3G 200V ऑप्टिमॉस™ 3 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

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कंपनी ब्लॉग
इन्फीनियन BSC500N20NS3G 200V ऑप्टिमॉस™ 3 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर
के बारे में नवीनतम कंपनी की खबर इन्फीनियन BSC500N20NS3G 200V ऑप्टिमॉस™ 3 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

इन्फीनियन BSC500N20NS3G 200V OptiMOS™ 3 N-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

 

शेन्ज़ेन मिंगजियाडा इलेक्ट्रॉनिक्स कं, लिमिटेड, इलेक्ट्रॉनिक घटक उद्योग में एक अग्रणी आपूर्तिकर्ता के रूप में, लगातार इन्फीनियन के उच्च-प्रदर्शन BSC500N20NS3G 200V OptiMOS™ 3 N-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर का स्टॉक और आपूर्ति कर रहा है।

 

【उत्पाद अवलोकन और मुख्य विशेषताएं】

यह BSC500N20NS3G 200V OptiMOS™ MOSFET ट्रांजिस्टर एक अत्याधुनिक बेंचमार्क तकनीक है, जो 48V सिस्टम, DC-DC कन्वर्टर्स, निर्बाध बिजली आपूर्ति (UPS), और DC मोटर ड्राइव के लिए इनवर्टर में सिंक्रोनस सुधार के लिए आदर्श है।

 

मुख्य विद्युत मापदंडों के संदर्भ में, BSC500N20NS3G में 200V ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज (Vdss) और 24A की निरंतर ड्रेन करंट (Id) क्षमता है, जो इसे पावर MOSFET श्रेणी के भीतर मध्यम से उच्च वोल्टेज ग्रेड उत्पाद के रूप में स्थापित करता है। इसका ऑन-रेजिस्टेंस (RDS(on)) 42mΩ (विशिष्ट) जितना कम है, जो चालन नुकसान के मामले में उत्कृष्ट प्रदर्शन को सक्षम बनाता है। डिवाइस ±20V का गेट-सोर्स वोल्टेज (Vgs) सपोर्ट करता है, जिसमें 2V का गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज (Vgs(th)) होता है, जो इसे विभिन्न ड्राइव सर्किट डिज़ाइनों के लिए उपयुक्त बनाता है। स्विचिंग प्रदर्शन के संदर्भ में, इस MOSFET में 20 nC का गेट चार्ज (Qg) और बेहद कम गेट-ड्रेन चार्ज (Qgd) है, जो केवल 7 ns के फॉल टाइम और 5 ns के राइज टाइम के साथ मिलकर कुशल स्विचिंग प्रदर्शन सुनिश्चित करता है।

 

थर्मल प्रदर्शन के दृष्टिकोण से, BSC500N20NS3G में 96W तक का पावर डिसिपेशन (Pd) और एक विस्तृत ऑपरेटिंग तापमान रेंज (-55°C से +150°C) है, जो इसे विभिन्न पर्यावरणीय स्थितियों में अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाता है। डिवाइस में उपयोग किया जाने वाला TDSON-8 पैकेज (जिसे PG-TDSON-8 के रूप में भी जाना जाता है) आकार में कॉम्पैक्ट है (5.9mm × 5.15mm × 1.27mm), न केवल PCB स्थान बचाता है बल्कि थर्मल प्रदर्शन को भी अनुकूलित करता है। यह पैकेज प्रारूप सतह माउंट (SMD/SMT) का समर्थन करता है, जो स्वचालित उत्पादन की सुविधा प्रदान करता है, जबकि विभिन्न उत्पादन पैमानों की आवश्यकताओं को पूरा करने के लिए कट टेप, माउसरील और रील जैसे कई पैकेजिंग विकल्प प्रदान करता है।

 

इन्फीनियन की OptiMOS™ 3 तकनीक के मुख्य लाभ BSC500N20NS3G में पूरी तरह से प्रदर्शित होते हैं:

उद्योग-अग्रणी RDS(on): अनुकूलित ट्रेंच गेट संरचना के माध्यम से बेहद कम ऑन-रेजिस्टेंस प्राप्त करता है

सबसे कम Qg और Qgd: ड्राइव नुकसान को कम करता है और स्विचिंग आवृत्ति क्षमता को बढ़ाता है

ग्लोबल बेस्ट-इन-क्लास FOM (मेरिट का आंकड़ा): एक प्रदर्शन मीट्रिक जो चालन और स्विचिंग नुकसान का व्यापक रूप से मूल्यांकन करता है

RoHS-अनुपालक और हैलोजन-मुक्त: पर्यावरणीय आवश्यकताओं को पूरा करता है, MSL लेवल 1 नमी संवेदनशीलता रेटिंग के साथ

 

【विशेष विवरण】

ट्रांजिस्टर ध्रुवता: N-चैनल

चैनलों की संख्या: 1 चैनल

Vds - ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: 200 V

Id - निरंतर ड्रेन करंट: 24 A

Rds On - ड्रेन-सोर्स प्रतिरोध: 42 mΩ

Vgs - गेट-सोर्स वोल्टेज: -20 V, +20 V

Vgs th - गेट-सोर्स थ्रेशोल्ड वोल्टेज: 2 V

Qg - गेट चार्ज: 20 nC

न्यूनतम ऑपरेटिंग तापमान: -55°C

अधिकतम ऑपरेटिंग तापमान: +150°C

Pd - पावर डिसिपेशन: 96 W

चैनल मोड: एन्हांसमेंट मोड

कॉन्फ़िगरेशन: सिंगल चैनल

फॉल टाइम: 7 ns

फॉरवर्ड ट्रांसकंडक्टेंस - न्यूनतम मान: 19 S

ऊंचाई: 1.27 मिमी

लंबाई: 5.9 मिमी

उत्पाद प्रकार: MOSFET

राइज टाइम: 5 ns

विशिष्ट टर्न-ऑफ डिले टाइम: 28 ns

विशिष्ट टर्न-ऑन डिले टाइम: 14 ns

चौड़ाई: 5.15 मिमी

यूनिट वजन: 120.300 मिलीग्राम

 

के बारे में नवीनतम कंपनी की खबर इन्फीनियन BSC500N20NS3G 200V ऑप्टिमॉस™ 3 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर  0

 

【तकनीकी लाभ और प्रदर्शन विश्लेषण】

कम ऑन-रेजिस्टेंस और उच्च दक्षता BSC500N20NS3G की सबसे प्रमुख तकनीकी विशेषताएं हैं। 25°C परिवेश तापमान पर इस डिवाइस का विशिष्ट RDS(on) केवल 42 mΩ है, जो MOSFETs के 200V वोल्टेज वर्ग में अग्रणी है। कम ऑन-रेजिस्टेंस सीधे कम चालन नुकसान में तब्दील होता है, विशेष रूप से उच्च-वर्तमान अनुप्रयोगों में। उदाहरण के लिए, 24A की रेटेड करंट पर, चालन नुकसान केवल P = I² × R = 24² × 0.042 ≈ 24.2W है, जो तुलनीय प्रतिस्पर्धी उत्पादों की तुलना में 15-20% कम है। यह उच्च दक्षता BSC500N20NS3G को निरंतर संचालन मोड अनुप्रयोगों, जैसे मोटर ड्राइव और पावर रूपांतरण सिस्टम के लिए विशेष रूप से उपयुक्त बनाती है।

 

स्विचिंग प्रदर्शन के संदर्भ में, BSC500N20NS3G असाधारण गतिशील विशेषताओं का प्रदर्शन करता है। 20nC के कुल गेट चार्ज (Qg) और बेहद कम गेट-ड्रेन चार्ज (Qgd) के साथ, डिवाइस तेजी से स्विचिंग संक्रमण प्राप्त करता है—सिर्फ 5ns का राइज टाइम और 7ns का फॉल टाइम। ऐसी तेज़ स्विचिंग गति स्विचिंग नुकसान को काफी कम करती है, विशेष रूप से उच्च-आवृत्ति अनुप्रयोगों में। विशिष्ट स्विचिंग डिले टाइम्स के संदर्भ में, टर्न-ऑन डिले (td(on)) 14ns है, और टर्न-ऑफ डिले (td(off)) 28ns है। ये पैरामीटर सामूहिक रूप से सुनिश्चित करते हैं कि डिवाइस स्विचिंग आवृत्तियों पर भी कुशल संचालन बनाए रख सकता है जो कई सौ kHz तक उच्च हैं। इंजीनियरों के लिए जो सिंक्रोनस सुधार या उच्च-आवृत्ति DC-DC कन्वर्टर्स डिज़ाइन कर रहे हैं, इन विशेषताओं का मतलब है कि छोटे चुंबकीय घटक और फ़िल्टर कैपेसिटर का उपयोग किया जा सकता है, जिससे सिस्टम का आकार और लागत कम हो जाती है।

 

थर्मल प्रबंधन क्षमता BSC500N20NS3G का एक और प्रमुख लाभ है। डिवाइस उत्कृष्ट थर्मल चालन मार्गों के साथ एक अनुकूलित TDSON-8 पैकेज का उपयोग करता है। पैकेज के नीचे का बड़ा-क्षेत्र ड्रेन पैड सीधे PCB पर सोल्डर किया जा सकता है, जो कुशल गर्मी अपव्यय के लिए PCB की तांबे की परतों का उपयोग करता है। व्यावहारिक अनुप्रयोगों में, यह पैकेजिंग डिज़ाइन जंक्शन-टू-एम्बिएंट थर्मल प्रतिरोध (RθJA) को काफी कम करता है, जिससे डिवाइस उच्च परिवेश तापमान पर संचालित हो सकता है या बड़ी धाराओं को संभाल सकता है। -55°C से +150°C की एक विस्तृत ऑपरेटिंग तापमान रेंज के साथ संयुक्त, BSC500N20NS3G कठोर पर्यावरणीय अनुप्रयोगों जैसे औद्योगिक स्वचालन उपकरण और ऑटोमोटिव इलेक्ट्रॉनिक सिस्टम के लिए आदर्श है।

 

【विशिष्ट अनुप्रयोग परिदृश्य】

BSC500N20NS3G, अपने उत्कृष्ट विद्युत विशेषताओं और विश्वसनीयता के साथ, कई पावर इलेक्ट्रॉनिक्स क्षेत्रों में व्यापक अनुप्रयोग पाया है। औद्योगिक बिजली आपूर्ति से लेकर ऑटोमोटिव सिस्टम तक, संचार उपकरण से लेकर उपभोक्ता इलेक्ट्रॉनिक्स तक, यह 200V OptiMOS™ 3 पावर MOSFET कुशल समाधान प्रदान करता है।

 

सिंक्रोनस सुधार अनुप्रयोग BSC500N20NS3G के लिए प्राथमिक अनुप्रयोग क्षेत्र हैं। आधुनिक स्विचिंग पावर सप्लाई (SMPS) में, विशेष रूप से AC-DC पावर एडेप्टर और सर्वर पावर सप्लाई में, सिंक्रोनस सुधार तकनीक ने पारंपरिक Schottky डायोड सुधार को बदल दिया है, जिससे दक्षता में काफी सुधार हुआ है। BSC500N20NS3G का कम ऑन-रेजिस्टेंस (42mΩ) और तेज़ बॉडी डायोड विशेषताएँ इसे सेकेंडरी-साइड सिंक्रोनस सुधार के लिए एक आदर्श विकल्प बनाती हैं। वास्तविक डिज़ाइनों में, इस MOSFET का उपयोग UCC24612 जैसे नियंत्रण IC के साथ 12V/20A आउटपुट पावर सप्लाई में 92% से अधिक की समग्र दक्षता प्राप्त करने के लिए किया जा सकता है, जो डायोड सुधार योजनाओं पर 3-5 प्रतिशत अंक सुधार का प्रतिनिधित्व करता है। उच्च-घनत्व बिजली आपूर्ति डिज़ाइनों के लिए, उच्च वर्तमान आवश्यकताओं को पूरा करते हुए कम तापमान वृद्धि बनाए रखते हुए, कई BSC500N20NS3G उपकरणों का समानांतर में उपयोग किया जा सकता है।

 

48V-110V सिस्टम में मोटर नियंत्रण एक अन्य प्रमुख अनुप्रयोग क्षेत्र है। औद्योगिक स्वचालन के विकास के साथ, 48V BLDC मोटर्स का उपयोग रोबोट, AGV और पावर टूल्स में तेजी से किया जाता है। BSC500N20NS3G की 200V वोल्टेज रेटिंग 48V सिस्टम के लिए पर्याप्त वोल्टेज मार्जिन प्रदान करती है, और इसकी तेज़ स्विचिंग विशेषताएँ उच्च PWM आवृत्तियों (आमतौर पर 50-100kHz) का समर्थन करती हैं, जिससे चिकनी मोटर नियंत्रण और कम टॉर्क रिपल सक्षम होता है। एक विशिष्ट तीन-चरण ब्रशलेस मोटर ड्राइवर में, छह BSC500N20NS3G डिवाइस एक फुल-ब्रिज इन्वर्टर बनाते हैं, जो, IR2106S जैसे गेट ड्राइवरों के साथ जोड़े जाने पर, 2kW तक के मोटर लोड को चला सकते हैं। MOSFET की कम Qg विशेषता एक साधारण बूटस्ट्रैप सर्किट का उपयोग करके बिजली आपूर्ति की अनुमति देती है, जिससे अलग बिजली आपूर्ति डिज़ाइन सरल हो जाता है।

 

अलग DC-DC कन्वर्टर्स के क्षेत्र में, BSC500N20NS3G असाधारण रूप से अच्छा प्रदर्शन करता है। ऐसे कन्वर्टर्स का व्यापक रूप से दूरसंचार उपकरण, औद्योगिक नियंत्रण प्रणालियों और चिकित्सा उपकरणों में उपयोग किया जाता है, जो इनपुट और आउटपुट के बीच विद्युत अलगाव प्रदान करते हैं। LLC अनुनादक कनवर्टर टोपोलॉजी में, BSC500N20NS3G की तेज़ बॉडी डायोड और कम आउटपुट कैपेसिटेंस (Coss) विशेषताएँ स्विचिंग नुकसान को काफी कम करती हैं, जिससे कनवर्टर 200-400kHz की उच्च आवृत्तियों पर संचालित हो सकता है, जिससे ट्रांसफॉर्मर और फ़िल्टर घटकों का आकार काफी कम हो जाता है। 100 से 300W तक की मध्यम-शक्ति वाले अलग DC-DC मॉड्यूल के लिए, इस MOSFET का उपयोग करके 94% से अधिक की पीक दक्षता प्राप्त होती है, जो 80Plus टाइटेनियम मानक की आवश्यकताओं को पूरा करती है।

 

निर्बाध बिजली आपूर्ति (UPS) सिस्टम भी BSC500N20NS3G के उच्च प्रदर्शन से लाभान्वित होते हैं। ऑनलाइन UPS सिस्टम के इन्वर्टर चरण को ग्रिड आउटेज के दौरान महत्वपूर्ण भार को साफ AC बिजली की आपूर्ति सुनिश्चित करने के लिए कुशल और विश्वसनीय पावर स्विच की आवश्यकता होती है। BSC500N20NS3G का उपयोग 1-3kVA UPS सिस्टम के इन्वर्टर ब्रिज आर्म में किया जाता है, जिसकी 200V वोल्टेज रेटिंग 170Vpk AC आउटपुट को संभालने के लिए पर्याप्त है, जबकि इसका कम ऑन-रेजिस्टेंस बैटरी डिस्चार्ज के दौरान ऊर्जा हानि को कम करता है, जिससे बैकअप समय बढ़ता है। पारंपरिक IGBT समाधानों की तुलना में, BSC500N20NS3G का उपयोग करने वाले UPS इन्वर्टर 2-3% दक्षता सुधार प्राप्त करते हैं, जबकि थर्मल प्रबंधन आवश्यकताओं को कम करते हैं।

 

अन्य अनुप्रयोगों में शामिल हैं:

HID लैंप इलेक्ट्रॉनिक बैलास्ट: उच्च-आवृत्ति ड्राइव के लिए तेज़ स्विचिंग विशेषताओं का उपयोग करता है, दृश्य झिलमिलाहट को समाप्त करता है

क्लास D ऑडियो एम्पलीफायर: उच्च PWM आवृत्तियों का समर्थन करता है, THD को कम करता है और ऑडियो गुणवत्ता में सुधार करता है

LED लाइटिंग पावर सप्लाई: ऊर्जा दक्षता और विश्वसनीयता को बढ़ाने के लिए निरंतर वर्तमान ड्राइव सर्किट में उपयोग किया जाता है

इलेक्ट्रिक साइकिल नियंत्रक: 48V सिस्टम में कुशल बिजली रूपांतरण प्रदान करता है, बैटरी रनटाइम बढ़ाता है

पब समय : 2025-07-14 14:52:35 >> समाचार सूची
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