IQEH68NE2LM7UCG 25V OptiMOSTM 7 पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 338A निरंतर ड्रेन करंट और 680 uOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ

Name: IQEH68NE2LM7UCG 25V OptiMOSTM 7 पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 338A निरंतर ड्रेन करंट और 680 uOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ
Brand: ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
SKU: IQEH68NE2LM7UCG
Availability: InStock

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प्रमाणन

चीन ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. प्रमाणपत्र

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IQEH68NE2LM7UCG 25V OptiMOSTM 7 पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 338A निरंतर ड्रेन करंट और 680 uOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ

बड़ी छवि : IQEH68NE2LM7UCG 25V OptiMOSTM 7 पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 338A निरंतर ड्रेन करंट और 680 uOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ

उत्पाद विवरण:

उत्पत्ति के प्लेस:	सीएन
ब्रांड नाम:	Original Factory
प्रमाणन:	Lead free / RoHS Compliant
मॉडल संख्या:	IQEH68NE2LM7UCG

भुगतान & नौवहन नियमों:

न्यूनतम आदेश मात्रा:	10
मूल्य:	Contact for Sample
पैकेजिंग विवरण:	पीजी-टीटीएफएन-9
प्रसव के समय:	5-8 कार्य दिवस
भुगतान शर्तें:	टी/टी, एल/सी, वेस्टर्न यूनियन

संपर्क करें

IQEH68NE2LM7UCG 25V OptiMOSTM 7 पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 338A निरंतर ड्रेन करंट और 680 uOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ

विवरण

भाग संख्या:	IQEH68NE2LM7UCG	ट्रांजिस्टर पोलारिट:	n- चैनल
वीडीएस - नाली-स्रोत ब्रेकडाउन वोल्टेज:	25 वी	आईडी - सतत अपवाह धारा:	338 ए
आरडीएस ऑन - नाली-स्रोत प्रतिरोध:	680 यूओम	क्यूजी - गेट चार्ज:	22 एन.सी
प्रमुखता देना:	25V पावर MOSFET ट्रांजिस्टर , 338ए सतत ड्रेन करंट पावर एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर , 680 uOhms ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

IQEH68NE2LM7UCG एकीकृत सर्किट चिप 25V OptiMOSTM 7 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

IQEH68NE2LM7UCG एकीकृत सर्किट चिप 25V OptiMOSTM 7 एन-चैनल पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

उत्पाद का वर्णन

IQEH68NE2LM7UCG एक 25V, OptiMOSTM 7 स्विचिंग अनुकूलित पावर MOSFET है जिसे PQFN 3.3x3.3 स्रोत-डाउन पैकेज में हार्ड- और सॉफ्ट-स्विचिंग टोपोलॉजी के लिए डिज़ाइन किया गया है।

तकनीकी विनिर्देश

श्रृंखला	OptiMOSTM 7
एफईटी प्रकार	एन-चैनल
प्रौद्योगिकी	MOSFET (धातु ऑक्साइड)
स्रोत के लिए नाली वोल्टेज (वीडीएस)	25 वी
वर्तमान - निरंतर निकासी (Id) @ 25°C	47A (Ta), 338A (Tc)
ड्राइव वोल्टेज (मैक्स आरडीएस ऑन, मिन आरडीएस ऑन)	4.5V, 10V
आरडीएस ऑन (मैक्स) @ आईडी, वीजीएस	0.68mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (अधिकतम) @ Id	2V @ 369μA
गेट चार्ज (Qg) (अधिकतम) @ Vgs	48 एनसी @ 10 वी
वीजीएस (अधिकतम)	±16V
इनपुट क्षमता (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस	5200 पीएफ @ 12 वी
शक्ति विसर्जन (अधिकतम)	2.5W (Ta), 130W (Tc)
ऑपरेटिंग तापमान	-55°C ~ 175°C (TJ)
माउंटिंग प्रकार	सतह माउंट
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज	पीजी-टीटीएफएन-9-3
पैकेज / मामला	9-PowerTDFN

प्रमुख विशेषताएं

एन-चैनल, तर्क स्तर
बहुत कम चालू-प्रतिरोध आरडीएस (ऑन)
हार्ड- और सॉफ्ट-स्विचिंग अनुकूलन
हार्ड-स्विचः मिलर अनुपात, एफओएम, आरडीएस (ऑन) 10
सॉफ्ट-स्विच: आरडीएस ((ऑन) 45, एफओएमक्यूजी
+175°C जंक्शन तापमान
हार्ड स्विचिंग टोपोलॉजी के लिए अनुकूलित
सर्वश्रेष्ठ FOMoss के लिए अनुकूलित
डीवी/डीटी कठोरता के लिए उत्कृष्ट मिलर अनुपात
उच्च ताप प्रतिरोध
100% हिमस्खलन परीक्षण

आवेदन

डाटा सेंटर और एआई डेटा सेंटर समाधान
48 वोल्ट मध्यवर्ती बस कनवर्टर (IBC)
दूरसंचार अवसंरचना
शक्ति रूपांतरण
सर्वर पावर सप्लाई यूनिट (PSU)

स्टॉक में संबंधित इलेक्ट्रॉनिक घटक

भाग संख्या	पैकेज
RGW50TK65DGVC11	TO-3PFM
RGWS80TS65DGC13	TO-247-3
IKZ50N65ES5XKSA1	TO-247-4
RGW80TK65DGVC11	TO-3PFM
RGTH00TS65DGC13	TO-247-3
RGW60TK65DGVC11	TO-3PFM
STGWA40H120DF2	TO-247-3
RGCL80TS60DGC13	TO-247-3
RGW60TS65DHRC11	TO-247-3
RGTH00TK65GC11	TO-3PFM
RGWSX2TS65GC13	TO-247G
RGTV00TK65GVC11	TO-3PFM
RGS30TSX2HRC11	TO-247N
RGTV80TK65DGVC11	TO-3PFM
RGTH00TK65DGC11	TO-3PFM
RGW60TS65EHRC11	TO-247-3
RGW00TK65DGVC11	TO-3PFM
RGW80TS65DHRC11	TO-247-3
RGS30TSX2DGC11	TO-247-3
RGTV00TK65DGC11	TO-3PFM
IKW75N65ET7XKSA1	पीजी-टीओ247-3
RGS50TSX2GC11	TO-247-3
RGW00TS65DHRC11	TO-247-3
RGWX5TS65HRC11	TO-247-3
IKZA40N65RH5XKSA1	TO-247-4
RGS50TSX2DGC11	TO-247-3
IXA33IF1200HB	TO-247-3
RGWX5TS65EHRC11	TO-247-3
RGW00TS65CHRC11	TO-247-3
IXGH40N120C3D1	TO-247-3

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

प्रश्न. क्या आपके उत्पाद मूल हैं?

एकः हाँ, सभी उत्पादों मूल हैं, नया मूल आयात हमारा उद्देश्य है।

प्रश्न: आपके पास कौन से प्रमाण पत्र हैं?

उत्तर: हम आईएसओ 9001:2015 प्रमाणित कंपनी और ईआरएआई के सदस्य हैं।

प्रश्नः क्या आप छोटी मात्रा के आदेश या नमूने का समर्थन कर सकते हैं? क्या नमूना मुफ्त है?

एकः हाँ, हम नमूना आदेश और छोटे आदेश का समर्थन करते हैं। नमूना लागत आपके आदेश या परियोजना के अनुसार अलग है।

प्रश्न: मेरा आदेश कैसे भेजें? क्या यह सुरक्षित है?

एकः हम एक्सप्रेस का उपयोग करने के लिए जहाज, जैसे कि डीएचएल, फेडेक्स, यूपीएस, टीएनटी, ईएमएस. हम भी अपने सुझाए गए फारवर्डर का उपयोग कर सकते हैं.उत्पादों अच्छी पैकिंग में हो जाएगा और सुरक्षा सुनिश्चित और हम अपने आदेश के लिए उत्पाद क्षति के लिए जिम्मेदार हैं.

प्रश्न: लीड टाइम के बारे में क्या?

एकः हम 5 कार्य दिवसों के भीतर स्टॉक भागों जहाज कर सकते हैं. अगर स्टॉक के बिना, हम अपने आदेश मात्रा के आधार पर आप के लिए नेतृत्व समय की पुष्टि करेंगे.

कुल मिलाकर रेटिंग

5.0

इस आपूर्तिकर्ता के लिए 50 समीक्षाओं पर आधारित

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3 सितारे

2 सितारे

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Jarod

Malaysia Feb 19.2026

सहायक (600)

"Genuine and tested. EFR32BG13 works perfectly. Will buy again."

FRANCK

France Sep 10.2025

सहायक (10)

Good product quality, purchasing for the umpteenth time never disappoints, honest and trustworthy seller.recommended!

Jose

South Korea May 24.2025

सहायक (28)

Supplier is highly recommended, kind and fast response.

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व्यक्ति से संपर्क करें: Sales Manager

दूरभाष: 86-13410018555

फैक्स: 86-0755-83957753

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ऑपरेटिंग तापमान (न्यूनतम): -25 डिग्री सेल्सियस

NCP51200 वोल्टेज नियामक IC NCP51200MNTXG आईसी चिप्स डेटा दर समाप्ति नियामक

भाग संख्या: एनसीपी51200MNTXG

आउटपुट की संख्या: 1

वोल्टेज - आउटपुट: 0.5 वी ~ 1.8 वी

वोल्टेज - इनपुट: 2.375 वी ~ 3.5 वी

IQEH68NE2LM7UCG 25V OptiMOSTM 7 पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 338A निरंतर ड्रेन करंट और 680 uOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ

IQEH68NE2LM7UCG 25V OptiMOSTM 7 पावर MOSFET ट्रांजिस्टर 338A निरंतर ड्रेन करंट और 680 uOhms ड्रेन स्रोत प्रतिरोध के साथ

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25V पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

338ए सतत ड्रेन करंट पावर एमओएसएफईटी ट्रांजिस्टर

680 uOhms ड्रेन-सोर्स रेजिस्टेंस पावर MOSFET ट्रांजिस्टर

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